0  引言

　　自MOSFET及IGBT問(wèn)世以來(lái),，電壓控制型電力電子器件，特別是IGBT正經(jīng)歷一個(gè)飛速發(fā)展的過(guò)程,。IGBT單模塊器件的電壓越做越高,，電流越做越大。同時(shí),，與之配套的驅(qū)動(dòng)器件也得到了迅速發(fā)展,。隨著器件應(yīng)用領(lǐng)域越來(lái)越廣，電源設(shè)備變換功率越來(lái)越大,，電磁干擾也相應(yīng)增強(qiáng),。為此必須提高控制板的抗干擾能力，提高驅(qū)動(dòng)耐壓等級(jí),。于是,，光纖的使用也就成為了必然,。

　　1 ICBT驅(qū)動(dòng)的幾種方式

　　不同功率等級(jí)的IGBT，對(duì)驅(qū)動(dòng)的要求不盡相同,，表1給出了目前常用的幾種驅(qū)動(dòng)方式的比較,。

　　由表l可知，在大功率電力變換裝置中只能使用變壓器或光纖隔離,，其中尤以光纖隔離為最佳選擇,。

　　2 光纖收發(fā)器的種類(lèi)

　　目前，大部分光纖收發(fā)器均使用Agilen公司的幾種產(chǎn)品型號(hào),。具體如表2（表中所列數(shù)據(jù)均為O～70℃使用條件,，特殊標(biāo)注除外）所列。

　　一般情況下,，HFBR一1522,，HFBR一2522使用較多，其電路如圖1,、圖2所示,，電路連接如圖3所示。在大功率電力變換設(shè)備中,，控制板與大功率模塊驅(qū)動(dòng)板之間1MBd的信號(hào)傳輸率已能滿(mǎn)足要求,，而且45m的距離也已足夠使用，在實(shí)際

　　使用中,，光纖的長(zhǎng)度可依要求選擇,。

　　0  引言

　　自MOSFET及IGBT問(wèn)世以來(lái)，電壓控制型電力電子器件,，特別是IGBT正經(jīng)歷一個(gè)飛速發(fā)展的過(guò)程,。IGBT單模塊器件的電壓越做越高，電流越做越大,。同時(shí),，與之配套的驅(qū)動(dòng)器件也得到了迅速發(fā)展。隨著器件應(yīng)用領(lǐng)域越來(lái)越廣,，電源設(shè)備變換功率越來(lái)越大,，電磁干擾也相應(yīng)增強(qiáng)。為此必須提高控制板的抗干擾能力,，提高驅(qū)動(dòng)耐壓等級(jí),。于是,，光纖的使用也就成為了必然,。

　　1 ICBT驅(qū)動(dòng)的幾種方式

　　不同功率等級(jí)的IGBT，對(duì)驅(qū)動(dòng)的要求不盡相同,，表1給出了目前常用的幾種驅(qū)動(dòng)方式的比較,。

　　由表l可知,，在大功率電力變換裝置中只能使用變壓器或光纖隔離，其中尤以光纖隔離為最佳選擇,。

　　2 光纖收發(fā)器的種類(lèi)

　　目前,，大部分光纖收發(fā)器均使用Agilen公司的幾種產(chǎn)品型號(hào)。具體如表2（表中所列數(shù)據(jù)均為O～70℃使用條件,，特殊標(biāo)注除外）所列,。

　　一般情況下，HFBR一1522,，HFBR一2522使用較多,，其電路如圖1、圖2所示,，電路連接如圖3所示,。在大功率電力變換設(shè)備中，控制板與大功率模塊驅(qū)動(dòng)板之間1MBd的信號(hào)傳輸率已能滿(mǎn)足要求,，而且45m的距離也已足夠使用,，在實(shí)際

　　使用中，光纖的長(zhǎng)度可依要求選擇,。

　　3 光纖傳輸在驅(qū)動(dòng)電路中的具體應(yīng)用

　　我們以Concept公司的專(zhuān)用高壓IGBT驅(qū)動(dòng)板（ItVI）ISD418F2-FZ2400R17KF6為例,，描述其具體應(yīng)用。驅(qū)動(dòng)板的驅(qū)動(dòng)對(duì)象是2400V／1700AIGBT,，這種組合具有所有IPM的功能,，具體電路框圖如下圖4所示。

　　4 結(jié)語(yǔ)

　　通過(guò)引入光纖傳送模式,，控制信號(hào)通過(guò)光纖由控制板傳輸給驅(qū)動(dòng)板,，狀態(tài)信號(hào)則由驅(qū)動(dòng)板傳輸給控制板，完全杜絕了干擾問(wèn)題,，既實(shí)現(xiàn)了驅(qū)動(dòng)控制,，又監(jiān)測(cè)了IGBT的工作狀態(tài)，提高了工作的可靠性,。