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賽普拉斯最新推出65-nm 36-Mbit 和18-Mbit器件 完善其高容量QDRII+ SRAM產(chǎn)品線

2010-12-28
來(lái)源:EEWORLD
關(guān)鍵詞: 存儲(chǔ)器 SRAM

    賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布推出新型36-Mbit 和 18-Mbit 容量的四倍速™ (QDR™) 和雙倍速 (DDR) SRAM,,這些新產(chǎn)品是其65-nm SRAM 系列產(chǎn)品中的最新成員,。這些新的存儲(chǔ)器件完善了業(yè)界最寬的65-nm同步SRAM產(chǎn)品線,,最高容量可達(dá)144Mbit,速度最快可達(dá)550MHz,。賽普拉斯擁有專利的工藝技術(shù)最多可將90-nmSRAM的功耗降低50%,引領(lǐng)了“綠色”網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)應(yīng)用的新潮流,。

    這些新器件可從外形,、功能等方面向下兼容已被廣泛采用的90-nmQDRII/QDRII+ SRAM(估計(jì)采用量遠(yuǎn)超6000萬(wàn)片),并且他們完全符合QDR聯(lián)合會(huì)的標(biāo)準(zhǔn),。如此的兼容性允許現(xiàn)有產(chǎn)品的設(shè)計(jì)者無(wú)需改變板卡設(shè)計(jì)即可很方便地升級(jí)系統(tǒng)性能,。65-nm SRAM是網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用(包括骨干和邊緣路由器、固定和模塊化以太網(wǎng)交換機(jī),、3G基站和安全路由器)的理想選擇,。他們還能改善醫(yī)用成像設(shè)備和軍用信號(hào)處理系統(tǒng)的性能。QDRII+ 和 DDRII+器件具有片內(nèi)終結(jié)器(ODT),,因其省去了外部終結(jié)電阻,,所以能夠改善信號(hào)完整性、降低系統(tǒng)成本并節(jié)省板級(jí)空間,。

    賽普拉斯負(fù)責(zé)同步SRAM產(chǎn)品的副總裁Dave Kranzler說(shuō):“作為SRAM領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者,,我們一直致力于提供最完整的高性能SRAM產(chǎn)品線,提升客戶產(chǎn)品的性價(jià)比,,使之在市場(chǎng)上更具競(jìng)爭(zhēng)力,。賽普拉斯已經(jīng)向全球超過(guò)150個(gè)客戶發(fā)運(yùn)了超過(guò)100萬(wàn)片65-nm SRAM,從而奠定了我們?cè)诟咝阅躍RAM領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位,。”

    賽普拉斯的SRAM產(chǎn)品線包括有鉛和無(wú)鉛封裝,,分商業(yè)級(jí)、工業(yè)級(jí)和軍用級(jí),,并且具有多種接口配置和性能范圍可供選擇,。賽普拉斯還可與客戶共同開(kāi)發(fā)針對(duì)特定應(yīng)用需求的解決方案。

供貨情況及照片

    36-Mbit CY712xxKV18 和 18-Mbit CY7C11xxKV18目前已量產(chǎn),,可通過(guò)賽普拉斯及其分銷合作伙伴購(gòu)買,。每個(gè)器件均可根據(jù)I/O寬度(x18或x36)、突發(fā)長(zhǎng)度(B4或B2)以及延遲(1.5-ns, 2.0-ns 或 2.5-ns)有不同的選擇,。新器件的高分辨率照片可通過(guò)如下網(wǎng)址獲?。簑ww.cypress.com/go/QDRSRAMphoto。

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