對于一位開關(guān)電源工程師來說,在一對或多對相互對立的條件面前做出選擇,,那是常有的事,。而我們今天討論的這個話題就是一對相互對立的條件。(即要限制主MOS管" title="MOS管">MOS管最大反峰" title="反峰">反峰,,又要RCD吸收回路" title="吸收回路">吸收回路功耗最?。?/p>
在討論前我們先做幾個假設(shè):
①開關(guān)電源的工作頻率范圍:20~200KHZ,;
?、赗CD中的二極管正向?qū)〞r間很短(一般為幾十納秒);
?、墼谡{(diào)整RCD回路前主變壓器和MOS管,,輸出線路的參數(shù)已經(jīng)完全確定。
有了以上幾個假設(shè)我們就可以先進行計算:
一 首先對MOS管的VD進行分段:
?、?,輸入的直流電壓VDC;
?、?,次級反射初級的VOR;
?、?,主MOS管VD余量VDS;
?、?,RCD吸收有效電壓VRCD1。
二 對于以上主MOS管VD的幾部分進行計算:
?、?,輸入的直流電壓VDC。
在計算VDC時,,是依最高輸入電壓值為準(zhǔn),。如寬電壓應(yīng)選擇AC265V,即DC375V,。
VDC=VAC*√2
?、ⅲ渭壏瓷涑跫壍腣OR,。
VOR是依在次級輸出最高電壓,,整流二極管壓降最大時計算的,,如輸出電壓為:5.0V±5%(依Vo=5.25V計算),二極管VF為0.525V(此值是在1N5822的資料中查找額定電流下VF值).
VOR=(VFVo)*Np/Ns
?、?,主MOS管VD的余量VDS.
VDS是依MOS管VD的10%為最小值.如KA05H0165R的VD=650應(yīng)選擇DC65V.
VDC=VD*10%
ⅳ,,RCD吸收VRCD.
MOS管的VD減去ⅰ,,ⅲ三項就剩下VRCD的最大值。實際選取的VRCD應(yīng)為最大值的90%(這里主要是考慮到開關(guān)電源各個元件的分散性,,溫度漂移和時間飄移等因素得影響),。
VRCD=(VD-VDC-VDS)*90%
注意:①VRCD是計算出理論值,再通過實驗進行調(diào)整,,使得實際值與理論值相吻合.
?、赩RCD必須大于VOR的1.3倍.(如果小于1.3倍,則主MOS管的VD值選擇就太低了)
?、跰OS管VD應(yīng)當(dāng)小于VDC的2倍.(如果大于2倍,,則主MOS管的VD值就過大了)
④如果VRCD的實測值小于VOR的1.2倍,,那么RCD吸收回路就影響電源效率,。
⑤VRCD是由VRCD1和VOR組成的
?、?,RC時間常數(shù)τ確定.
τ是依開關(guān)電源工作頻率而定的,一般選擇10~20個開關(guān)電源周期,。
三 試驗調(diào)整VRCD值
首先假設(shè)一個RC參數(shù),,R=100K/RJ15,C=10nF/1KV,。再上市電,,應(yīng)遵循先低壓后高壓,再由輕載到重載的原則,。在試驗時應(yīng)當(dāng)嚴(yán)密注視RC元件上的電壓值,,務(wù)必使VRCD小于計算值。如發(fā)現(xiàn)到達計算值,,就應(yīng)當(dāng)立即斷電,,待將R值減小后,重復(fù)以上試驗,。(RC元件上的電壓值是用示波器觀察的,,示波器的地接到輸入電解電容“+”極的RC一點上,,測試點接到RC另一點上),。一個合適的RC值應(yīng)當(dāng)在最高輸入電壓,最重的電源負(fù)載下,VRCD的試驗值等于理論計算值,。
四 試驗中值得注意的現(xiàn)象
輸入電網(wǎng)電壓越低VRCD就越高,,負(fù)載越重VRCD也越高。那么在最低輸入電壓,,重負(fù)載時VRCD的試驗值如果大于以上理論計算的VRCD值,,是否和(三)的內(nèi)容相矛盾哪?一點都不矛盾,,理論值是在最高輸入電壓時的計算結(jié)果,,而現(xiàn)在是低輸入電壓。重負(fù)載是指開關(guān)電源可能達到的最大負(fù)載,。主要是通過試驗測得開關(guān)電源的極限功率,。
五 RCD吸收電路中R值的功率選擇
R的功率選擇是依實測VRCD的最大值,計算而得,。實際選擇的功率應(yīng)大于計算功率的兩倍,。
編后語:RCD吸收電路中的R值如果過小,就會降低開關(guān)電源的效率,。然而,,如果R值如果過大,MOS管就存在著被擊穿的危險,。