《電子技術(shù)應(yīng)用》
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IR 推出新型DirectFETplus功率MOSFET系列,,可將DC-DC開關(guān)應(yīng)用效率提升2%

2011-02-15
作者:IR

  全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,,簡稱IR) 推出DirectFETplus功率MOSFET系列,采用了IR的新一代硅技術(shù),,可為 12V輸入同步降壓應(yīng)用提供最佳效率,這些應(yīng)用包括新一代服務(wù)器,、臺式電腦和筆記本電腦,。
  
  IRF6811和IRF6894是新系列DirectFETplus的首批器件,比上一代器件減少了導(dǎo)通電阻 (RDS (on) ) 和柵極電荷 (Qg) ,,使其效率大幅提高2%,。此外,這些器件具有超低柵極電阻 (Rg) ,,通過把DC-DC轉(zhuǎn)換器的開關(guān)損耗降至最低來進一步提高效率,。
  
  IR亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示:“新款I(lǐng)RF6811和IRF6894芯片組利用IR的DirectFET 封裝技術(shù),并采用IR的新一代硅技術(shù)來優(yōu)化關(guān)鍵的 MOSFET參數(shù),,為下一代計算需求提供性能卓越,、可靠性高及占位空間小的最佳解決方案。”
  
  IRF6811控制MOSFET及IRF6894同步MOSFET分別以小罐及中罐供貨,。25V DirectFETplus 組件結(jié)合了業(yè)界領(lǐng)先的導(dǎo)通電阻和柵極電荷以及低電荷,,將傳導(dǎo)和開關(guān)損耗降到最低。IRF6894還設(shè)有集成式單片肖特基二極管,可降低由體二極管傳導(dǎo)和反向恢復(fù)導(dǎo)致的損耗,。新型DirectFETplus MOSFET與上一代器件的占位面積兼容,。
  
產(chǎn)品規(guī)格

器件編號

BVDSS

(V)

10V時的

典型導(dǎo)通電阻

(mΩ)?

4.5V時的

典型導(dǎo)通電阻

(mΩ)

VGS

(V)

典型QG

(nC)

典型QGD

(nC)

概要

代碼

IRF6811SPBF

25

2.8

4.1

+/-16

11

4.2

SQ

IRF6894MPBF

25

0.9

1.3

+/-16

29

10

MX

 
  產(chǎn)品詳細數(shù)據(jù)及應(yīng)用說明可瀏覽IR網(wǎng)頁 www.irf.com
  
專利和商標
  
  IR 和 DirectFET 是國際整流器公司 (International Rectifier Corporation) 的注冊商標,。文中所提及其它產(chǎn)品名稱均為對應(yīng)持有人所有的商標,。
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