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貿(mào)澤電子開售NXP i.MX RT106L和RT106F處理器

2020年5月13日 – 專注于引入新品的全球電子元器件授權(quán)分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開售NXP® Semiconductors的i.MX RT106L和i.MX RT106F跨界處理器。這是兩款專門針對特定解決方案設(shè)計(jì)的EdgeReady?器件,，搭載Arm® Cortex®-M7核心的高級實(shí)現(xiàn),，運(yùn)行頻率可達(dá)600MHz,，分別適用于在各種物聯(lián)網(wǎng) (IoT) 和智能工業(yè)設(shè)計(jì)中執(zhí)行高級本地語音命令操作和實(shí)時人臉識別響應(yīng),。

發(fā)表于：5/13/2020

展示邁向工業(yè)4.0的新進(jìn)程

倍加福（Pepperl+Fuchs）將在HMI2020上展示一系列數(shù)字化轉(zhuǎn)型的成功示例和解決方案。

發(fā)表于：5/13/2020

意法半導(dǎo)體推出超實(shí)惠的6引腳封裝同步整流控制器

中國，2020年5月13日 – 意法半導(dǎo)體推出高能效和低功耗為特色的反激式轉(zhuǎn)換器副邊同步整流(SR)芯片SRK1000A和SRK1000B，該產(chǎn)品系列現(xiàn)在新增一款更劃算,、封裝更小的產(chǎn)品，可用于充電器,、快速充電器,、適配器和USB PD端口。

發(fā)表于：5/13/2020

中信證券回應(yīng)：美對華半導(dǎo)體代工廠禁令系謠傳

隨著5月15日美國對華為臨時許可證限期將到期,，市場有關(guān)美國將加大對國內(nèi)半導(dǎo)體代工廠限制的禁令聲再起,。不過，中信證券當(dāng)晚立即公開對媒體表示,，美國對華半導(dǎo)體代工廠禁令系謠傳,。

發(fā)表于：5/13/2020

三級流水線RISC-V處理器設(shè)計(jì)與驗(yàn)證

RISC-V作為一種開源精簡指令集架構(gòu)，自發(fā)布以來便得到了大量關(guān)注,。設(shè)計(jì)了一種三級流水線的RISC-V處理器,。其中，采用靜態(tài)預(yù)測BTFN技術(shù)處理流水線執(zhí)行中的分支情況,，采用前向旁路傳播技術(shù)解決數(shù)據(jù)冒險(xiǎn)問題,，同時，采用資源共享的辦法,，復(fù)用寄存器堆,、加法器、選擇器等模塊,，使設(shè)計(jì)面積得到一定的優(yōu)化,。在VCS和Verdi等EDA工具中，使用RV32I整數(shù)運(yùn)算指令集對處理器進(jìn)行了仿真測試,，結(jié)果表明,，所設(shè)計(jì)的處理器功能正確，達(dá)到預(yù)定目標(biāo),。

發(fā)表于：5/13/2020

基于FPGA的自定義CPU架構(gòu)設(shè)計(jì)

為滿足當(dāng)前工業(yè)應(yīng)用下越來越多的分布式計(jì)算的需求,，提出了一種在FPGA芯片中構(gòu)建自定義指令集的CPU的方式，以此來使FPGA具有類似于單片機(jī)的處理指令的能力,。并且，這種能力的前提是復(fù)用計(jì)算單元,，因此資源消耗有限,，不會隨著計(jì)算量的增加而增大。在自定義指令集CPU的改進(jìn)型架構(gòu)中,，使用了并行計(jì)算的結(jié)構(gòu),，使得運(yùn)算速度大幅提升。最后，結(jié)合實(shí)際應(yīng)用案例,，移植電流環(huán)計(jì)算中的FOC算法到自定義CPU中運(yùn)算,。并用ModelSim軟件進(jìn)行仿真，測試其計(jì)算時間僅需7.48 μs,。

發(fā)表于：5/13/2020

FMAD CP：帶中性線的三相濾波器

發(fā)表于：5/13/2020

美國對國內(nèi)半導(dǎo)體代工廠啟動“無限追溯”機(jī)制

12日晚間從供應(yīng)鏈獲悉,，美國半導(dǎo)體設(shè)備制造商LAM（泛林半導(dǎo)體）和AMAT（應(yīng)材公司）等公司發(fā)出信函,，要求中國國內(nèi)從事軍民融合或?yàn)檐娖饭?yīng)集成電路的企業(yè)（如中芯國際和華虹半導(dǎo)體等），不得用美國清單廠商半導(dǎo)體設(shè)備代工生產(chǎn)軍用集成電路,，同時“無限追溯”機(jī)制生效,。

發(fā)表于：5/13/2020

Vishay擴(kuò)大MCA 1206 AT精密系列薄膜片式電阻的阻值范圍

賓夕法尼亞、MALVERN — 2020 年 5 月 12 日 — 日前,，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE股市代號：VSH）宣布,，強(qiáng)化其1206外形尺寸的 MC AT 精密系列汽車級薄膜片式電阻，阻值由47 ?到10 M?,。MCA 1206 AT是業(yè)界唯一阻值高于5 M?,，溫度系數(shù)（TCR）低至? 25 ppm/K，公差僅為? 0.1 %,，并具有薄膜穩(wěn)定性的器件,。

發(fā)表于：5/12/2020

ADI推出低EMI的雙通道Silent Switcher系列,，支持疊加式輸出電流配置

中國，北京 – Analog Devices, Inc. (ADI)今日針對汽車,、通信和固態(tài)硬盤電源推出LT8650S,、LT8652S和LT8653S雙通道4A/8.5A/2A同步降壓Silent Switcher®轉(zhuǎn)換器。它們采用專有的Silent Switcher 2架構(gòu),，具有擴(kuò)頻調(diào)制功能,，可以確保PCB布局穩(wěn)定可靠以實(shí)現(xiàn)超低的EMI，從而輕松滿足CISPR25標(biāo)準(zhǔn),。

發(fā)表于：5/12/2020

見微知著,，1G絕塵

見微知著,，1G絕塵鼎陽科技推出國內(nèi)首款12-bit高分辨率,，1GHz高帶寬數(shù)字示波器！ 2020年5月11日,，鼎陽科技正式發(fā)布SDS6000 Pro 系列數(shù)字示波器,，SDS6000 Pro具有最高12-bit垂直分辨率，最高1GHz帶寬,，最高 5GSa/s實(shí)時采樣率和250Mpts/ch存儲深度,，具備4個模擬通道和16位數(shù)字通道，其全帶寬下的本底噪聲低至125μVrms,，直流增益精度可達(dá)±0.5%,。鼎陽科技SDS6000 Pro是一款集大成的高分辨率、高帶寬的數(shù)字示波器,。

發(fā)表于：5/12/2020

Trinamic的最新改進(jìn)的TMC4671伺服控制器IC

TRINAMIC運(yùn)動控制有限公司宣布推出完全優(yōu)化的TMC4671-LA,。在推出全球首個具有針對BLDC / PMSM和兩相步進(jìn)電動機(jī)以及直流電動機(jī)和音圈的磁場定向控制的全集成伺服控制器IC之后，Trinamic繼續(xù)投身于芯片的工作,。在電動出行,、醫(yī)療設(shè)備、實(shí)驗(yàn)室自動化,、機(jī)器人技術(shù),、工廠自動化以及泵和鼓風(fēng)機(jī)設(shè)計(jì)者等市場領(lǐng)先者的經(jīng)驗(yàn)基礎(chǔ)之上，對集成芯片進(jìn)行了仔細(xì)的評估和改進(jìn),。

發(fā)表于：5/12/2020

高效GaN電源設(shè)計(jì)八部曲，泰克系列視頻課堂實(shí)操秘籍

由于可以在較高頻率,、電壓和溫度下工作且功率損耗較低，寬禁帶半導(dǎo)體（SiC 和 GaN）現(xiàn)在配合傳統(tǒng)硅一同用于汽車和 RF 通信等嚴(yán)苛應(yīng)用中,。隨著效率的提高,，對Si、SiC和GaN器件進(jìn)行安全,、精確的測試,，讓功率半導(dǎo)體設(shè)備更快上市并盡量減少設(shè)備現(xiàn)場出現(xiàn)的故障。

發(fā)表于：5/11/2020

出色的過程自動化通訊解決方案—— ADI公司的fido5000如何幫助JUMO做好準(zhǔn)備,，迎接工業(yè)4.0

在工業(yè)4.0和工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)的推動下,，工業(yè)自動化技術(shù)向數(shù)字化轉(zhuǎn)變,。生產(chǎn)場所在不斷改變。各生產(chǎn)地點(diǎn)都在實(shí)現(xiàn)網(wǎng)絡(luò)連接,；彼此之間,、公司不同部門之間可以通信，甚至跨公司范圍與外界通信,。通過狀態(tài)監(jiān)控,、優(yōu)化機(jī)械裝置和技術(shù)系統(tǒng)可以大幅提高總體生產(chǎn)效率。但是,，這需要企業(yè)中的所有參與者（無論是人還是機(jī)器）始終保持通信,，以交換海量數(shù)據(jù)和各種參數(shù)。

發(fā)表于：5/11/2020

基于Ga2O3的場效應(yīng)器件研究進(jìn)展

氧化鎵(Ga2O3)作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料,，由于其超寬帶隙,、高擊穿場強(qiáng)以及高巴利加優(yōu)值等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于大功率器件等領(lǐng)域,，已成為近幾年來國內(nèi)外科研人員研究的熱點(diǎn),。主要介紹了Ga2O3材料的特性，總結(jié)了基于Ga2O3的場效應(yīng)晶體管（FET）的研究進(jìn)展,，對Ga2O3功率器件的發(fā)展進(jìn)行了思考?xì)w納,。

發(fā)表于：5/11/2020