快訊-AET-電子技術(shù)應用

消息稱三星電子正推動DRAM制程升級

4 月 22 日消息，臺媒《電子時報》今日稱，隨著三星電子推動 DRAM 內(nèi)存制程工藝的策略性轉(zhuǎn)換升級，多款采用老舊 1y nm（第二代 10nm 級）工藝 DRAM 顆粒的 DDR4 模組（內(nèi)存條）即將停產(chǎn)。具體來看，多家供應鏈企業(yè)反饋收到產(chǎn)品 EOL（IT之家注：生命周期結(jié)束）通知函，多款 8GB 或 16GB 容量 DDR4 SODIMM / UDIMM 內(nèi)存條的最后訂購日期是今年 6 年上旬，2025 年 12 月 10 日完成最后出貨。

發(fā)表于：4/22/2025 11:23:36 AM

能量密度行業(yè)最高寧德時代發(fā)布鈉離子動力電池

4月21日消息，在正在進行中的“寧德時代超級科技日”上，寧德時代帶來了全新的鈉離子動力電池，該產(chǎn)品將于今年12月正式量產(chǎn)，可應用于混動和純電車型。寧德時代鈉離子電池擁有175Wh/kg的行業(yè)最高能量密度，混動純電續(xù)航超200公里，純電續(xù)航超500公里，支持5C超快充，擁有10000次的循環(huán)壽命。鈉離子安全性遠超鋰電池，其經(jīng)過了嚴苛的測試，包括多面擠壓、針刺貫穿、電鉆穿透、電池鋸斷，均做到不起火、不爆炸！

發(fā)表于：4/22/2025 11:16:14 AM

臺積電：無法保證半導體芯片不會被轉(zhuǎn)移到被禁企業(yè)

4月22日消息，據(jù)Tom's hardware報道，針對此前臺積電因在不知情的情況下為被美國列入黑名單的中企生產(chǎn)AI計算小芯片，或?qū)⒚媾R 10 億美元的罰款一事，臺積電在其最新的年度報告中承認，在其代工的芯片離開晶圓廠后，難以確保客戶不會將芯片轉(zhuǎn)移，以及了解芯片最終用途。換句話說，臺積電不能保證類似的事件不會重演。

發(fā)表于：4/22/2025 11:10:23 AM

世強硬創(chuàng)重磅亮相2025慕尼黑上海電子展

世強硬創(chuàng)重磅亮相2025慕尼黑上海電子展以創(chuàng)新技術(shù)賦能全球電子產(chǎn)業(yè)鏈升級

發(fā)表于：4/22/2025 11:02:37 AM

LG電子宣布退出電動汽車充電樁業(yè)務

4 月 22 日消息，LG 電子公司（LG Electronics Inc.）于本周二宣布，將退出電動汽車（EV）充電樁業(yè)務。該公司表示，全球電動汽車市場需求的長期停滯是其做出這一決定的主要原因。

發(fā)表于：4/22/2025 9:55:33 AM

前十占九！“中國機構(gòu)正在主導全球芯片研究”

美國不斷加強對華芯片出口限制，試圖遏制中國獲取先進半導體。但美國最新研究顯示，中國研究人員已加緊努力，進行大量的基礎研究，目前在芯片設計和制造研究領域處于世界領先地位。

發(fā)表于：4/22/2025 9:49:00 AM

私有5G無線網(wǎng)絡發(fā)展介紹

私有5G無線網(wǎng)絡是一種類似于公共5G網(wǎng)絡的移動網(wǎng)絡，但它允許所有者提供受限訪問，并且可以使用許可或未許可的無線頻譜。私有5G網(wǎng)絡在制造工廠、港口、機場、校園或商業(yè)園區(qū)等封閉設施中能夠發(fā)揮傳統(tǒng)5G的優(yōu)勢。與Wi-Fi和其他網(wǎng)絡技術(shù)相比，私有5G網(wǎng)絡在信號覆蓋、低延遲接入、性能、隱私和安全性等方面具有顯著優(yōu)勢。

發(fā)表于：4/22/2025 9:41:16 AM

2025年全球GenAI手機出貨量有望突破4億部

4月21日根據(jù)Counterpoint的最新預測，2025年全球智能手機市場將迎來一個重要的里程碑：三分之一的智能手機出貨量將支持生成式人工智能（GenAI），預計全年出貨量將超過4億部。這一趨勢標志著智能手機行業(yè)在人工智能技術(shù)集成方面的快速進步，也預示著GenAI將成為未來智能手機的核心功能之一。

發(fā)表于：4/22/2025 9:33:40 AM

印度提交埃米級芯片議案入局芯片戰(zhàn)

4月21日消息，印度聯(lián)合新聞社發(fā)布文章表示，印度頂尖研究機構(gòu)印度科學研究所（IISc）的30名科學家團隊聯(lián)合向政府提交了一份開發(fā)“埃級”芯片的議案，該芯片的尺寸遠小于目前生產(chǎn)的最小芯片。

發(fā)表于：4/22/2025 9:26:54 AM

臺積電美國廠4年巨虧400億臺幣南京廠大賺800億臺幣

4月21日消息，臺積電一直積極赴美投資建廠，總額高達1650億美元，計劃建設六座晶圓廠、兩座封裝廠、一座研發(fā)中心，未來甚至落地2nm、1.6nm級別先進工藝，而因為種種原因，在內(nèi)地只能部署一些成熟工藝。根據(jù)臺積電最新公布的股東會年報，臺積電在美國亞利桑那州新建的工廠，2024年虧損近143億元新臺幣，成為最燒錢的海外廠區(qū)。在此前三年，臺積電美國工廠因為一直處于前期投資建設階段，也是虧損連連，而且持續(xù)擴大，2021年、2022年、2023年分別達48.1億元新臺幣、94.3億元新臺幣、109.24億元新臺幣，四年合計虧損幾乎達到400億元新臺幣。

發(fā)表于：4/22/2025 9:19:06 AM

互聯(lián)網(wǎng)大廠算力荒智算中心卻在賣卡求生

“能流暢跑70B模型的國產(chǎn)GPU有推薦的嗎？”在一個算力交流群里，一位從業(yè)者問。不少回復打趣道：“48GB顯存的4090。” 48GB顯存的4090顯卡并非英偉達推出的官方版本，而是國內(nèi)特有的魔改版，專為滿足推理算力需求。該版本在市場上大量流通，價格近乎翻倍，目前在京東商城里，其售價在2-4萬元不等。

發(fā)表于：4/22/2025 9:11:07 AM

中國移動和中國廣電率先在海南完成5G NR廣播示范網(wǎng)規(guī)模化驗證

近日，在海南自貿(mào)港建設五周年之際，中國移動通信集團有限公司和中國廣播電視網(wǎng)絡集團有限公司（以下簡稱“中國移動”“中國廣電”）聯(lián)合產(chǎn)業(yè)在海南完成業(yè)界首個5G　NR廣播示范網(wǎng)的規(guī)模化驗證，標志著5G　NR廣播技術(shù)從標準制定、技術(shù)驗證邁向落地應用部署階段，為信息傳播方式帶來新突破。

發(fā)表于：4/22/2025 9:03:17 AM

印度電信部審查運營商現(xiàn)網(wǎng)中國設備

北京時間4月21日消息據(jù)印度經(jīng)濟時報報道，近期印度監(jiān)管機構(gòu)針對中國電信設備供應商做出最新舉動，要求該國所有電信運營商提供其網(wǎng)絡中所部署的中國設備的詳細信息。

發(fā)表于：4/22/2025 8:56:58 AM

Arm已將Artan基礎IP業(yè)務出售給了Cadence

近日，EDA及半導體IP大廠Cadence宣布，已與Arm達成最終協(xié)議，收購Arm的Artisan基礎IP業(yè)務。該業(yè)務涵蓋標準單元庫、內(nèi)存編譯器以及針對領先代工廠先進工藝節(jié)點優(yōu)化的通用I/O（GPIO）。此次交易將增強Cadence不斷擴展的設計IP產(chǎn)品線，其核心產(chǎn)品包括領先的協(xié)議和接口IP、內(nèi)存接口IP、適用于最先進節(jié)點的SerDes IP，以及即將收購的Secure-IC公司提供的嵌入式安全IP。

發(fā)表于：4/21/2025 11:02:08 AM

Intel 18A更多細節(jié)曝光

4月21日消息，根據(jù)VLSI 2025最新曝光的資料中，英特爾披露了更多的關(guān)于其最新的 Intel 18A制程的細節(jié)。根據(jù)英特爾官網(wǎng)的此前公布的資料顯示，Intel 18A采用了RibbonFET 環(huán)繞柵極晶體管(GAA) 技術(shù)，可實現(xiàn)電流的精確控制，同時還率先采用了業(yè)界首創(chuàng)的 PowerVia 背面供電技術(shù)，可將密度和單元利用率提高 5% 至 10%，并降低電阻供電下降，從而使 ISO 功率性能提高高達 4%，并且與正面功率設計相比，固有電阻 (IR) 下降大大降低。與Intel 3 工藝節(jié)點相比，Intel 18A的每瓦性能提高 15%，芯片密度提高 30% 。最新資料顯示，Intel 18A提供了高性能（HP）和高密度（HD）庫，具有全功能的技術(shù)設計功能和增強的設計易用性。在 PPA 比較中，Intel 18A 在標準 Arm 內(nèi)核子塊上設法在 1.1V 電壓下提供 25% 的速度提高和 36% 的功耗降低。除此之外，Intel 18A 實現(xiàn)了比 Intel 3 更好的面積利用率，這意味著該工藝可以實現(xiàn)更好的面積效率和更高密度設計的潛力。

發(fā)表于：4/21/2025 10:50:05 AM