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業(yè)界動態(tài)

無問芯穹開源全球首款端側(cè)全模態(tài)理解模型Megrez-3B-Omni

12 月 16 日消息,，無問芯穹今日宣布,，開源無問芯穹端側(cè)解決方案中的全模態(tài)理解小模型 Megrez-3B-Omni 和它的純語言模型版本 Megrez-3B-Instruct。

發(fā)表于：2024/12/16 13:28:58

智元開啟通用機器人商用量產(chǎn)

12 月 16 日消息,，智元機器人今日發(fā)布視頻宣布,，智元開啟通用機器人商用量產(chǎn),。

發(fā)表于：2024/12/16 13:19:36

IDC發(fā)布2025年全球半導體市場八大趨勢預(yù)測

2025年半導體市場將實現(xiàn)15%增長。根據(jù)國際數(shù)據(jù)公司（IDC）“全球半導體供應(yīng)鏈追蹤情報” 的最新研究表明,，鑒于 2025 年全球人工智能（AI）與高性能運算（HPC）需求不斷攀升,，從云端數(shù)據(jù)中心、終端設(shè)備到特定產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域，各個主要應(yīng)用市場都面臨著規(guī)格升級的趨勢,，半導體產(chǎn)業(yè)將再次迎來全新的繁榮景象,。 IDC 資深研究經(jīng)理曾冠瑋表示：“在人工智能持續(xù)推動高階邏輯制程芯片需求，以及高價高帶寬內(nèi)存（HBM）滲透率提升的推動下,，預(yù)計 2025 年整個半導體市場的規(guī)模將增長超過 15%,。半導體供應(yīng)鏈涵蓋設(shè)計、制造,、封裝測試,、先進封裝等產(chǎn)業(yè)，通過上下游之間的橫向與縱向合作,，將會共同創(chuàng)造新一輪的增長機遇,。”

發(fā)表于：2024/12/16 13:10:37

我國首臺作業(yè)時速公里級水下敷纜機器人近日完成下水測試

12 月 12 日,，從南方電網(wǎng)廣東電網(wǎng)公司獲悉,，由該公司牽頭研制的我國首臺作業(yè)時速公里級水下敷纜機器人近日完成下水測試。該裝置具有履帶,、雪橇行走能力和 " 搜尋—挖溝—敷埋 " 一體化作業(yè)能力,，敷埋作業(yè)速度可達 1000 米 / 小時，機器人本體核心部件實現(xiàn) 100% 自主可控,，意味著項目從理論研究過渡至樣機實物階段,。 " 指標數(shù)據(jù)正常，這次下水測試非常成功,！"12 月 12 日從山東威海機器人水下測試場地回來的廣東電網(wǎng)公司電力科學研究院輸電所的汪政博士看著電腦上的數(shù)據(jù),，興奮地通知了研發(fā)團隊的所有人。

發(fā)表于：2024/12/16 13:00:50

高通反駁英特爾高管驍龍PC退貨率言論

12 月 14 日消息,，針對英特爾臨時聯(lián)席 CEO 關(guān)于 " 驍龍 PC 退貨率高 " 的問題,，高通方面很快做出了回應(yīng)。英特爾臨時聯(lián)席 CEO 稱,，由于客戶對搭載高通驍龍 X 芯片的 PC 兼容性不滿意,，導致退貨率很高。高通公司發(fā)言人向 CRN 否認了這一理論,，他們表示搭載驍龍 X 芯片的電腦的退貨率 " 符合行業(yè)標準 ",，并表示客戶對他們的 PC 很滿意。

發(fā)表于：2024/12/16 11:44:19

AMD明確表態(tài)不可能與Intel合并

AMD明確表態(tài)不可能與Intel合并

發(fā)表于：2024/12/16 11:35:12

我國在運和核準在建核電機組裝機規(guī)模世界第一

12月15日消息,，據(jù)報道,，截至2024年，我國在運和核準在建核電機組裝機約1.13億千瓦,，規(guī)模升至世界第一,。 2025年,，我國將核準開工一批條件成熟的沿海核電項目，穩(wěn)步推進在建核電工程建設(shè),，到2025年底在運核電裝機達到6500萬千瓦左右,。

發(fā)表于：2024/12/16 11:26:27

第三家1萬億美元市值半導體企業(yè)出現(xiàn)

12月12日美股盤后，芯片大廠博通發(fā)布了截至11月3日的第四財季及2024財年財報,。受益于人工智能（AI）旺盛需求的推動,，博通當季業(yè)績及下季指引基本符合預(yù)期。2024財年總營收及調(diào)整后利潤均創(chuàng)下歷史新高,，特別是來自AI的收入整個財年同比暴漲了220%,。值得注意的是，ASIC定制服務(wù)一直是博通半導體業(yè)務(wù)的一項重要收入來源,，特別是在AI的驅(qū)動之下,，博通來自與AI相關(guān)的ASIC定制服務(wù)營收正快速增長。

發(fā)表于：2024/12/16 11:16:35

臺積電首次公開2nm工藝的關(guān)鍵技術(shù)細節(jié)和性能指標

12月15日消息,，IEDM 2024大會上,，臺積電首次披露了N2 2nm工藝的關(guān)鍵技術(shù)細節(jié)和性能指標：對比3nm，晶體管密度增加15％,，同等功耗下性能提升15％，同等性能下功耗降低24-35％,。

發(fā)表于：2024/12/16 11:07:11

意法半導體推出采用強化版STripFET F8技術(shù)的標準閾壓40V MOSFET

2024 年 11 月 29日,，中國——意法半導體推出了標準閾值電壓 (VGS(th))的40V STripFET F8 MOSFET晶體管，新系列產(chǎn)品兼?zhèn)鋸娀鏈喜蹡偶夹g(shù)的優(yōu)勢和出色的抗噪能力,，適用于非邏輯電平控制的應(yīng)用場景,。

發(fā)表于：2024/12/16 10:43:05