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業(yè)界動(dòng)態(tài)

蔚來ET9搭載艾邁斯歐司朗智能多像素LED產(chǎn)品EVIYOS HD 25

中國(guó) 上海,，2025年3月26日——全球領(lǐng)先的光學(xué)解決方案供應(yīng)商艾邁斯歐司朗（SIX：AMS）今日宣布,，艾邁斯歐司朗智能多像素LED產(chǎn)品EVIYOS HD 25成功應(yīng)用于智能電動(dòng)行政旗艦蔚來ET9,。

發(fā)表于：3/26/2025 10:09:21 PM

通過AEC-Q200認(rèn)證的823A系列高壓汽車應(yīng)用保險(xiǎn)絲

2025年3月25日訊,，伊利諾伊州羅斯蒙特市—Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家工業(yè)技術(shù)制造公司，致力于為可持續(xù)發(fā)展,、互聯(lián)互通和更安全世界提供動(dòng)力,。公司日前宣布推出新型823A系列保險(xiǎn)絲,，該款產(chǎn)品是通過AEC-Q200認(rèn)證的高額定電壓表面貼裝（SMD）保險(xiǎn)絲,，具有很高的分?jǐn)囝~定值

發(fā)表于：3/26/2025 9:55:47 PM

英飛凌推出用于超高功率密度設(shè)計(jì)的全新E型XDP?混合反激控制器IC

【2025年3月26日, 德國(guó)慕尼黑訊】繼推出業(yè)界首款PFC和混合反激（HFB）組合IC后，全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）又推出E型混合反激控制器系列,。

發(fā)表于：3/26/2025 9:52:20 PM

意法半導(dǎo)體STM32WBA6新系列高集成度無線微控制器

2025年3月20日,，中國(guó) —— 服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics,，簡(jiǎn)稱ST,；紐約證券交易所代碼:STM) 發(fā)布了下一代STM32高能效短距離無線微控制器 (MCU)，可簡(jiǎn)化消費(fèi)電子產(chǎn)品和工業(yè)設(shè)備與物聯(lián)網(wǎng)的連接,。

發(fā)表于：3/26/2025 9:43:09 PM

九科RPA領(lǐng)域獨(dú)占鰲頭，展現(xiàn)行業(yè)地位

近日,第一新聲研究院發(fā)布的《2024年央國(guó)企RPA市場(chǎng)研究報(bào)告》顯示,九科信息在國(guó)央企RPA市場(chǎng)中獨(dú)占鰲頭,市場(chǎng)份額位居第一,。這一成就不僅彰顯了九科信息在RPA領(lǐng)域的卓越實(shí)力,也反映了國(guó)央企RPA市場(chǎng)的蓬勃發(fā)展態(tài)勢(shì)。

發(fā)表于：3/26/2025 4:07:18 PM

消息稱高通對(duì)三星代工工藝失去信心

3 月 26 日消息,，科技媒體 SamMobile 昨日（3 月 25 日）發(fā)布博文,，報(bào)道稱高通對(duì)三星失去信心,，即將推出的驍龍 8s Gen 4 芯片將由臺(tái)積電獨(dú)家代工，三星 4nm 工藝已出局,。

發(fā)表于：3/26/2025 1:02:26 PM

高通在全球三大洲指控Arm壟斷反競(jìng)爭(zhēng)

3月26日消息,，英國(guó)芯片設(shè)計(jì)公司Arm自被軟銀收購(gòu)后，業(yè)務(wù)模式已經(jīng)逐漸從基礎(chǔ)架構(gòu)提供商轉(zhuǎn)向完整芯片設(shè)計(jì)商,。彭博社今天援引知情人士的話透露,，高通已向歐盟委員會(huì)、美國(guó)聯(lián)邦貿(mào)易委員會(huì)（FTC）及韓國(guó)公平交易委員會(huì)提交機(jī)密文件,，指控Arm涉嫌濫用市場(chǎng)支配地位實(shí)施反競(jìng)爭(zhēng)行為,。

發(fā)表于：3/26/2025 11:34:52 AM

美光宣布其用于英偉達(dá)AI芯片的HBM3E及SOCAMM已量產(chǎn)出貨

3 月 25 日消息，美光今日宣布成為全球首家且唯一一家同時(shí)出貨 HBM3E 及 SOCAMM 產(chǎn)品的存儲(chǔ)廠商,。據(jù)介紹,，其用于英偉達(dá) GB300 Grace Blackwell Ultra 超級(jí)芯片的 SOCAMM 內(nèi)存，以及針對(duì) HGX B300 平臺(tái)打造的 HBM3E 12H 36GB,、用于 HGX B200 平臺(tái)的 HBM3E 8H 24GB 已量產(chǎn)出貨,。

發(fā)表于：3/26/2025 11:25:39 AM

北方華創(chuàng)發(fā)布首款12英寸電鍍?cè)O(shè)備

據(jù)北方華創(chuàng)官方微信公眾號(hào)消息，近日,，北方華創(chuàng)正式發(fā)布旗下首款12英寸電鍍?cè)O(shè)備（ECP）——Ausip T830,。該設(shè)備專為硅通孔（TSV）銅填充設(shè)計(jì)，主要應(yīng)用于2.5D/3D先進(jìn)封裝領(lǐng)域,。該產(chǎn)品標(biāo)志著北方華創(chuàng)正式進(jìn)軍電鍍?cè)O(shè)備市場(chǎng),，并在先進(jìn)封裝領(lǐng)域構(gòu)建了包括刻蝕、去膠,、PVD,、CVD、電鍍,、PIQ 和清洗設(shè)備的完整互連解決方案,。

發(fā)表于：3/26/2025 11:13:05 AM

消息稱英偉達(dá)Rubin GPU采用N3P和N5B制程與SoIC先進(jìn)封裝

3 月 25 日消息，臺(tái)媒《工商時(shí)報(bào)》今日宣稱,，英偉達(dá)將于 2026 年推出的下一代 AI GPU 產(chǎn)品 Rubin 將導(dǎo)入多制程節(jié)點(diǎn)芯粒（注：Chiplet）設(shè)計(jì),，其中計(jì)算芯片采用臺(tái)積電 N3P 制程，對(duì) PPA 要求較低的 I/O 芯片則會(huì)使用 N5B 節(jié)點(diǎn),。

發(fā)表于：3/26/2025 11:06:02 AM