一種基于CLASS-AB類運放的無片外電容LDO設(shè)計*
所屬分類：技術(shù)論文
上傳者：zhoubin333
文檔大?。?span>3888 K
標(biāo)簽： 低壓差線性穩(wěn)壓器 瞬態(tài)增強電路 動態(tài)偏置電路
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文檔介紹：介紹了一種基于CLASS-AB類運放無片外電容的低壓差線性穩(wěn)壓器（LDO）,。電路在高擺率誤差放大器（EA）的基礎(chǔ)上,，通過構(gòu)建動態(tài)偏置電路反饋到EA內(nèi)部動態(tài)偏置管，大幅改善了LDO的瞬態(tài)響應(yīng)能力,，且動態(tài)偏置電路引入的左半平面零點保證了LDO的環(huán)路穩(wěn)定性,。同時，EA采用過沖檢測電路減小了輸出過沖,，縮短了環(huán)路穩(wěn)定時間。電路基于65 nm CMOS工藝設(shè)計和仿真,。仿真結(jié)果表明,，在負(fù)載電流10 μA~50 mA、輸出電容0~50 pF條件下,，LDO輸出穩(wěn)定無振蕩,。在LDO輸入2.5 V、輸出1.2 V,、無片外電容條件下,，控制負(fù)載在10 μA和50 mA間跳變，LDO輸出恢復(fù)時間為0.7 μs和0.8 μs,，下沖和上沖電壓為58 mV和15 mV,。
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