基于改進(jìn)遺傳算法的圓陣稀布方法
所屬分類(lèi):技術(shù)論文
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文檔介紹:由于圓形陣列所具有的特性,,使其正得到日益廣泛的應(yīng)用,,但是圓陣方向圖卻具有相對(duì)主瓣較高的旁瓣電平。為此,,針對(duì)稀布圓形陣列的天線單元使旁瓣電平盡量降低的問(wèn)題,,應(yīng)用改進(jìn)的遺傳算法,取角度差值為染色體的基因,進(jìn)行陣列孔徑,、單元個(gè)數(shù),、最小間隔一定的稀布優(yōu)化排列,減小了遺傳算法的搜索空間,,提高了搜索效率,。仿真結(jié)果表明:該方法能有效提高收斂速度、降低圓陣的旁瓣電平,。
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