MOSFET的開(kāi)關(guān)速度將決定未來(lái)POL電源的性能
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文檔介紹：MOSFET的開(kāi)關(guān)速度將決定未來(lái)POL電源的性能Carl Blake, 國(guó)際整流器公司     一個(gè)采用DirectFET MOSFET并基于四相同步整流器的VRM能夠于高達(dá)2MHz/相位下工作,，并提供120A電流,，且滿足負(fù)載點(diǎn)電源的瞬態(tài)響應(yīng)要求。   MOSFET的開(kāi)關(guān)速度將決定未來(lái)POL電源的性能.pdf
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