微波射頻相關文章 市場低迷大廠獲益 誰是下一個奇夢達 近期韓系DRAM大廠──三星、海力士先后宣布上調2010年資本支出，手筆之大令人驚愕。三星將對芯片業(yè)務支出20萬億韓元(約合177億美元)，該數(shù)字是此前支出計劃的兩倍多;海力士也將資本支出提高了三分之一，達到3.05萬億韓元(約合27億美元)。預計這些支出中將有相當一部分進入DRAM業(yè)務。 發(fā)表于：7/23/2010 汽車制造行業(yè)對電感式傳感器的優(yōu)化選擇 汽車生產工藝上來看，近年來，國內汽車制造業(yè)的自動化水平大幅提升，明顯趨勢于提高裝配精度、提高生產效率。作為定位及檢測手段，多種傳感器已經普及到生產線各個環(huán)節(jié)中，尤其是車廠廣泛用于定位的電感式傳感器，實時監(jiān)控著整條線的運行狀態(tài)。但面對于市場上不同廠家、多系列的傳感器，如何選擇最適合汽車制造領域應用的產品，成為關鍵。 發(fā)表于：7/23/2010 惠瑞捷全新的 HSM3G 高速存儲器測試解決方案為 DDR3、DDR4和更高級的內存提供了低廉的測試成本 【2010年7月23日，北京訊】惠瑞捷 (Verigy)（納斯達克代碼：VRGY）推出了全新的 HSM3G 高速存儲器測試解決方案，進一步拓展了面向 DDR3世代主流存儲器 IC 和更高級存儲器件測試能力的 V93000 HSM 平臺。V93000 HSM3G 獨特的優(yōu)勢在于其未來的可升級性，能夠為數(shù)據(jù)傳輸速度高達6.8 Gbps未來的三代 DDR 存儲器提供價格低廉的測試服務，從而前所未有地長期節(jié)約經濟成本。 發(fā)表于：7/23/2010 惠瑞捷在韓國客戶的生產廠安裝首款具有每接腳8 Gbps高速存儲卡V93000測試機 2010年7月23日，北京訊 首屈一指的半導體測試公司惠瑞捷 (Verigy) (納斯達克交易代碼：VRGY) 在韓國一家不具名客戶的生產廠內安裝并驗證其首款可生產的V93000 HSM6800系統(tǒng)。這套新系統(tǒng)是唯一的一款面向當今 GDDR5超快存儲集成電路 (IC)（運行速度超過每接腳4 Gbps）的快速高良率測試解決方案。與當今市場上的其它超高速存儲器測試系統(tǒng)相比，它具有明顯的產能優(yōu)勢。 發(fā)表于：7/23/2010 Spansion公司發(fā)布2010年第二財季報告 2010年7月23日，中國上海——全球領先的閃存解決方案供應商Spansion公司 (NYSE: CODE) 今天發(fā)布截止至2010年6月27日第二財季的運營情況。由于公司重組后實行的新會計計量產生的影響，Spansion公司同時提供GAAP和非GAAP結果。公司美國GAAP凈銷售額為2.557億美元，經營虧損300萬美元，凈收入為3.418億美元。公司美國非GAAP調整后凈銷售額2.927億美元，調整后運營收入4030萬美元，調整后凈收入為2740萬美元。 發(fā)表于：7/23/2010 Vishay推出新款PIN光敏二極管和NPN平面光敏三極管 器件具有緊湊的2.3mmx2.3mmx2.8mm占位，具有350nm至1120nm或470nm至1090nm的光譜帶寬，采用1.8mm的鷗翼式和倒鷗翼式封裝 發(fā)表于：7/22/2010 飛兆半導體150V低RDS(ON) MOSFET在隔離DC-DC應用中實現(xiàn)更高性能 飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 宣布推出一款具有低RDS(ON) (最大值17mOhm)和優(yōu)化品質因數(shù)(Figure of Merit; FOM) (最大值17m Ohm * 33nCº)的150V MOSFET器件FDMS86200，以滿足DC-DC設計人員對具有較低開關損耗、較低噪聲和緊湊占位面積之MOSFET產品的需求。該器件利用飛兆半導體先進的工藝技術和封裝技術，以及系統(tǒng)專有技術，并采用5mm x 6mm MLP封裝，具有效率高、功耗較低和散熱較少的特性。 發(fā)表于：7/22/2010 Vishay推出使用壽命長達10000小時的新系列牛角式功率鋁電容器 賓夕法尼亞、MALVERN — 2010 年 7 月 21 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新系列4接線端、牛角式功率鋁電容器 --- 095 PLL-4TSI。電容器具有17種大尺寸外形，電壓等級從350V至450V，在85℃下的使用壽命長達10,000小時。 發(fā)表于：7/21/2010 將MEMS傳感器用于各種創(chuàng)新的消費類產品設計 MEMS即微機電系統(tǒng)，是利用微米級立體結構實現(xiàn)感應和執(zhí)行功能的一項關鍵技術。其中，微米級立體結構是利用被稱為“微加工”的特殊工藝實現(xiàn)的微米大小的立體機械結構。 發(fā)表于：7/21/2010 先柵極還是后柵極 業(yè)界爭論高K技術 隨著晶體管尺寸的不斷縮小，HKMG(high-k絕緣層+金屬柵極)技術幾乎已經成為45nm以下級別制程的必備技術.不過在制作HKMG結構晶體管的 工藝方面，業(yè)內卻存在兩大各自固執(zhí)己見的不同陣營，分別是以IBM為代表的Gate-first（先柵極）工藝流派和以Intel為代表的Gate-last（后柵極）工藝流派，盡管兩大陣營均自稱只有自己的工藝才是最適合制作HKMG晶體管的技術，但一般來說使用Gate-first工藝實現(xiàn)HKMG結構的難點在于如何控制 PMOS管的Vt電壓(門限電壓);而Gate-last工藝的難點則在于工藝較復雜，芯片的管芯密度同等條件下要比Gate-first工藝低，需要設 計方積極配合修改電路設計才可以達到與Gate-first工藝相同的管芯密度級別。 發(fā)表于：7/21/2010 Vishay推出業(yè)界首類具有75V電壓等級的固鉭貼片電容器 賓夕法尼亞、MALVERN — 2010 年 7 月 20 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出業(yè)界首類具有高達75V的工業(yè)電壓等級的固鉭貼片電阻器 --- T97和597D，增強了該公司TANTAMOUNT® 高可靠性電容器的性能，擴大其在高壓固鉭貼片電容器領域的領先地位。 發(fā)表于：7/20/2010 SD協(xié)會為 SDXC和SDHC內存卡以及設備定義新的高速性能選擇 近日，SD 協(xié)會宣布針對速度最快的 SDXC 和 SDHC 設備以及內存卡推出兩個全新的高速性能符號。第一個符號是用來表示總線界面速度每秒高達 104 MB、可提高設備性能的產品。第二個符號是用來表示具備允許實時視頻錄制的性能選項之 SD 內存卡和產品。 發(fā)表于：7/20/2010 Diodes全新小巧晶體管實現(xiàn)小型化產品設計 Diodes公司推出全新20V NPN及PNP雙極晶體管，它們采用超小型DFN1411-3表面貼裝封裝，能大大提升電源管理電路的功率密度和效率。該器件采用了Diodes第五代矩陣射極雙極工藝設計 (5 matrix emitter Bipolar process)。 發(fā)表于：7/19/2010 NOR Flash產業(yè)版圖醞釀大挪移 臺廠大舉擴產 2010年存儲器市場最夯產品非NOR Flash莫屬，從年初開始供貨吃緊且價格一路飛漲，盡管各家NOR Flash廠對于第3季價格都是持續(xù)看漲，但產業(yè)供需結構卻是暗潮洶涌，其中，旺宏與華邦大舉擴充12寸廠產能，飛索(Spansion)脫離破產保護而獲得重生，加上Microchip旗下超捷(SST)新營運策略出爐，其亞洲獨家代理商倍微對于搶回低容量NOR Flash市場龍頭信誓旦旦，都讓2010年NOR Flash產業(yè)版圖呈現(xiàn)即將大幅變動的氛圍。 發(fā)表于：7/19/2010 半導體材料市場反彈至創(chuàng)新的記錄 根據(jù)SEMI于SEMICON West上最新的數(shù)據(jù)報道，由于IC出貨量的持續(xù)增加，導致半導體材料用量己經回到近08年水平，但是預期2011年的增速減緩。 發(fā)表于：7/19/2010 ?…160161162163164165166167168169…?
