設(shè)計(jì)資源-AET-電子技術(shù)應(yīng)用

一種基于改進(jìn)的馬爾可夫鏈的交通狀況預(yù)測(cè)模型[其他][其他]

發(fā)表于：5/16/2022

基于深度學(xué)習(xí)的口罩佩戴檢測(cè)與跟蹤[其他][其他]

佩戴口罩可以有效預(yù)防病毒的傳播，為減少通過(guò)人工方式檢查口罩佩戴情況所消耗的大量人力資源，提出一種基于深度學(xué)習(xí)的口罩佩戴檢測(cè)與跟蹤方法，該方法分為檢測(cè)和跟蹤兩個(gè)模塊。檢測(cè)模塊在YOLOv3網(wǎng)絡(luò)的基礎(chǔ)上引入空間金字塔池化結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)不同尺度的特征融合；然后將損失函數(shù)改為CIoU損失，減少回歸誤差，提升檢測(cè)精度，為后續(xù)跟蹤模塊提供良好的條件。跟蹤模塊采用多目標(biāo)跟蹤算法Deep SORT，對(duì)檢測(cè)到的目標(biāo)進(jìn)行實(shí)時(shí)跟蹤，有效防止重復(fù)檢測(cè)，改善被遮擋目標(biāo)的跟蹤效果。測(cè)試結(jié)果表明，該方法的檢測(cè)速度為38 f/s，平均精度值達(dá)到為85.23%，相比原始YOLOv3算法提高了4%，能達(dá)到實(shí)時(shí)檢測(cè)口罩佩戴情況的效果。

發(fā)表于：5/16/2022

新型電極材料在N型OFET中的應(yīng)用[其他][其他]

相比于無(wú)機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(OFET)具有制備工藝簡(jiǎn)單、成本低、柔性、透明等優(yōu)點(diǎn)，在柔性電子產(chǎn)品、可穿戴器件等領(lǐng)域中有廣泛用途。電極作為OFET器件的一個(gè)重要組成部分，其影響OFET器件的整體性能。為了提升電極性能，一方面可以對(duì)金屬電極進(jìn)行修飾，另一方面可以使用聚合物等新材料來(lái)制作OFET電極。圍繞新型電極材料在N型OFET中的應(yīng)用展開綜述。首先，介紹OFET的一般器件結(jié)構(gòu)。接著依次介紹了修飾金屬電極、聚合物電極、碳基電極、無(wú)機(jī)化合物電極和納米線電極的N型OFET進(jìn)展。最后，總結(jié)全文，并對(duì)OFET新型電極材料的未來(lái)發(fā)展做出了展望。

發(fā)表于：5/16/2022

高性能數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)核心器件國(guó)產(chǎn)化水平研究[其他][其他]

高性能數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)在高能物理、粒子物理實(shí)驗(yàn)、輻射探測(cè)等科學(xué)研究中具有廣泛的應(yīng)用，是許多大科學(xué)裝置的關(guān)鍵設(shè)備。高性能數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)核心器件主要包括ADC和FPGA，國(guó)外一些發(fā)達(dá)國(guó)家在這方面的研究長(zhǎng)期處于壟斷地位，高性能的ADC和FPGA是嚴(yán)格對(duì)我國(guó)實(shí)施技術(shù)管控的產(chǎn)品，因此研究基于國(guó)產(chǎn)化核心器件的高性能數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)顯得尤為重要。基于高性能數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的原理，根據(jù)《瓦森納協(xié)議》，梳理了西方國(guó)家對(duì)我國(guó)關(guān)鍵電子元器件以及測(cè)試儀器設(shè)備的技術(shù)封鎖情況，調(diào)研了國(guó)產(chǎn)高性能ADC芯片以及FPGA芯片的設(shè)計(jì)生產(chǎn)現(xiàn)狀并做了性能比對(duì)，同時(shí)分析了國(guó)內(nèi)外示波器以及數(shù)據(jù)采集儀的現(xiàn)狀并做了性能指標(biāo)方面的對(duì)比，最后討論了關(guān)鍵電子元器件國(guó)產(chǎn)化替代思路。

發(fā)表于：5/16/2022

論我國(guó)數(shù)據(jù)要素市場(chǎng)化配置立法困境與進(jìn)路[其他][其他]

當(dāng)前全球數(shù)據(jù)量呈現(xiàn)出爆發(fā)式的增長(zhǎng)，數(shù)據(jù)的流動(dòng)屬性和資源屬性不斷增強(qiáng)，我國(guó)出臺(tái)多部重要文件旨在促進(jìn)數(shù)據(jù)要素流動(dòng)，構(gòu)建數(shù)據(jù)要素市場(chǎng)體系。然而,我國(guó)現(xiàn)有法律體系存在適配不足的問(wèn)題，導(dǎo)致在數(shù)據(jù)要素市場(chǎng)化配置過(guò)程中數(shù)據(jù)確權(quán)有待進(jìn)一步完善，數(shù)據(jù)權(quán)屬難以清晰界定。以深圳、上海、廣東、溫州等地為代表的地區(qū)或以立法形式探索對(duì)數(shù)據(jù)權(quán)益進(jìn)行保護(hù)，或以資產(chǎn)憑證等形式優(yōu)先解決明確產(chǎn)權(quán)數(shù)據(jù)的權(quán)屬問(wèn)題，釋放數(shù)據(jù)潛能。但要徹底解決當(dāng)前權(quán)屬問(wèn)題無(wú)法一蹴而就，在借鑒土地、勞動(dòng)力、技術(shù)與資本的立法經(jīng)驗(yàn)下，提出數(shù)據(jù)立法未來(lái)的路徑主要為創(chuàng)設(shè)新的數(shù)據(jù)法定權(quán)利，甚至探索為數(shù)據(jù)創(chuàng)設(shè)新的部門法。

發(fā)表于：5/16/2022

杜邦微電路及元件材料展現(xiàn)GreenTape? 低溫共燒陶瓷材料在天線封裝應(yīng)用中的價(jià)值[電子元件][5G]

杜邦微電路及元件材料展現(xiàn)GreenTape? 低溫共燒陶瓷材料在天線封裝應(yīng)用中的價(jià)值打造能提高5G可靠性與傳輸速度的解決方案

發(fā)表于：5/16/2022

意法半導(dǎo)體首款氮化鎵功率轉(zhuǎn)換器瞄準(zhǔn)下一代50W高能效電源設(shè)計(jì)[電源技術(shù)][消費(fèi)電子]

VIPERGAN50是意法半導(dǎo)體VIPerPLUS系列首款可在寬工作電壓(9 V至23 V)下提供高達(dá)50 W功率的產(chǎn)品。這也是ST首款采用氮化鎵(GaN)晶體管的VIPer器件。

發(fā)表于：5/13/2022

部署處理特定任務(wù)的單片機(jī)來(lái)簡(jiǎn)化復(fù)雜設(shè)計(jì)[嵌入式技術(shù)][消費(fèi)電子]

摘要：處理特定任務(wù)的單片機(jī)可減輕主單片機(jī)或微處理器的任務(wù)和工作負(fù)荷，從而有助于簡(jiǎn)化各種應(yīng)用的設(shè)計(jì)流程。

發(fā)表于：5/11/2022

羅德與施瓦茨推出新型室外頻譜監(jiān)測(cè)與無(wú)線電定位解決方案[測(cè)試測(cè)量][其他]

羅德與施瓦茨推出新型室外頻譜監(jiān)測(cè)與無(wú)線電定位解決方案在無(wú)線通信所需頻率范圍不斷擴(kuò)展的情況下，全新緊湊型 R&S UMS400 通用監(jiān)測(cè)系統(tǒng)可滿足頻譜監(jiān)測(cè)與無(wú)線電定位需求。

發(fā)表于：5/11/2022

構(gòu)筑強(qiáng)大軟件生態(tài)，Arm賦能基礎(chǔ)設(shè)施革新[EDA與制造][數(shù)據(jù)中心]

從數(shù)據(jù)中心到汽車及工廠，萬(wàn)物都在被重新設(shè)計(jì)為軟件定義的模式。同時(shí)，硬件的“專用處理”趨勢(shì)——即以獨(dú)特的創(chuàng)造性方式將 CPU、GPU、DPU 和其他組件組合在一起，并通過(guò)調(diào)整緩存大小、速度、I/O和其他屬性對(duì)其進(jìn)行藝術(shù)與科學(xué)的優(yōu)化，已成為繼摩爾定律后的又一創(chuàng)新推動(dòng)因素

發(fā)表于：5/10/2022

為了實(shí)現(xiàn)更小、更快、更節(jié)能，芯片制造經(jīng)歷了什么？[EDA與制造][工業(yè)自動(dòng)化]

開發(fā)3D結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)變帶來(lái)了新的挑戰(zhàn)，隨著深寬比的增加，挑戰(zhàn)也在加劇。你可能已經(jīng)想到，3D架構(gòu)需要從器件設(shè)計(jì)上做根本性改變，需要新的材料、新的沉積和刻蝕方法來(lái)實(shí)現(xiàn)。在本文中，我們將帶大家一起回顧半導(dǎo)體行業(yè)在實(shí)現(xiàn)3D架構(gòu)過(guò)程中的重要里程碑。

發(fā)表于：5/10/2022

一種使用連續(xù)時(shí)間Σ-Δ型轉(zhuǎn)換器優(yōu)化信號(hào)鏈的新型方法[模擬設(shè)計(jì)][工業(yè)自動(dòng)化]

為何應(yīng)考慮使用CTSD ADC來(lái)改善我的信號(hào)鏈設(shè)計(jì)？

發(fā)表于：5/10/2022

用于實(shí)現(xiàn)O-RAN無(wú)線解決方案的5G技術(shù)器件[EDA與制造][5G]

O-RAN旨在推動(dòng)無(wú)線社區(qū)轉(zhuǎn)型、開辟新無(wú)線設(shè)備通道和推動(dòng)創(chuàng)新，以履行3GPP關(guān)于5G的承諾。1要取得成功并保持高性價(jià)比，必須提供開源的無(wú)線電設(shè)備和優(yōu)化的5G技術(shù)。本文將介紹其中一種用于設(shè)計(jì)和構(gòu)建高功效比的解決方案。

發(fā)表于：5/6/2022

5nm及更先進(jìn)節(jié)點(diǎn)上FinFET的未來(lái)：使用工藝和電路仿真來(lái)預(yù)測(cè)下一代半導(dǎo)體的性能[電子元件][消費(fèi)電子]

雖然柵極間距（GP）和鰭片間距（FP）的微縮持續(xù)為FinFET平臺(tái)帶來(lái)更高的性能和更低的功耗，但在5nm及更先進(jìn)節(jié)點(diǎn)上，兼顧寄生電容電阻的控制和實(shí)現(xiàn)更高的晶體管性能變得更具挑戰(zhàn)。

發(fā)表于：5/5/2022

派拓網(wǎng)絡(luò)Unit 42：AWS多個(gè)Log4Shell熱補(bǔ)丁可導(dǎo)致容器逃逸和權(quán)限提升[通信與網(wǎng)絡(luò)][信息安全]

隨著Log4Shell漏洞威脅愈演愈烈，為了幫助用戶應(yīng)對(duì)該問(wèn)題，AWS發(fā)布了三個(gè)熱補(bǔ)丁解決方案以監(jiān)測(cè)存在漏洞的Java應(yīng)用程序和容器，并在運(yùn)行中安裝補(bǔ)丁。然而，Palo Alto Networks（派拓網(wǎng)絡(luò)）威脅情報(bào)團(tuán)隊(duì)Unit 42的研究人員發(fā)現(xiàn)這些補(bǔ)丁解決方案存在嚴(yán)重的安全問(wèn)題，并隨后與AWS合作對(duì)其進(jìn)行修復(fù)。

發(fā)表于：5/5/2022