摘要：隨著目前新技術(shù),、新工藝的不斷出現(xiàn),，高速單片機的應(yīng)用越來越廣,，對硬件的可靠性問題便提出更高的要求。本文將從硬件的可靠性角度描述高速單片機設(shè)計的關(guān)鍵點,。
關(guān)鍵詞：高速單片機 可靠性 特性阻抗 SI PI EMC 熱設(shè)計

引 言
　　隨著單片機的頻率和集成度,、單位面積的功率及數(shù)字信號速度的不斷提高，而信號的幅度卻不斷降低,，原先設(shè)計好的,、使用很穩(wěn)定的單片機系統(tǒng)，現(xiàn)在可能出現(xiàn)莫名其妙的錯誤,，分析原因,，又找不出問題所在。另外,，由于市場的需求,，產(chǎn)品需要采用高速單片機來實現(xiàn)，設(shè)計人員如何快速掌握高速設(shè)計呢?

硬件設(shè)計包括邏輯設(shè)計和可靠性的設(shè)計,。邏輯設(shè)計實現(xiàn)功能,。硬件設(shè)計工程師可以直接通過驗證功能是否實現(xiàn)，來判定是否滿足需求,。這方面的資料相當(dāng)多,，這里就不敘述了,。硬件可靠性設(shè)計,，主要表現(xiàn)在電氣、熱等關(guān)鍵參數(shù)上,。我將這些歸納為特性阻抗,、SI、PI,、EMC,、熱設(shè)計等5個部分。

1 特性阻抗

近年來,，在數(shù)字信號速度日漸增快的情況下,，在印制板的布線時，還應(yīng)考慮電磁波和有關(guān)方波傳播的問題,。這樣,，原來簡單的導(dǎo)線，逐漸轉(zhuǎn)變成高頻與高速類的復(fù)雜傳輸線了,。

在高頻情況下,，印制板（PCB）上傳輸信號的銅導(dǎo)線可被視為由一連串等效電阻及一并聯(lián)電感所組合而成的傳導(dǎo)線路,，如圖1所示。只考慮雜散分布的串聯(lián)電感和并聯(lián)電容的效應(yīng),，會得到以下公式：

式中Z0即特性阻抗,，單位為Ω。
PCB的特性阻抗Z0與PCB設(shè)計中布局和走線方式密切相關(guān),。影響PCB走線特性阻抗的因素主要有：銅線的寬度和厚度,、介質(zhì)的介電常數(shù)和厚度、焊盤的厚度,、地線的路徑,、周邊的走線等。

在PCB的特性阻抗設(shè)計中,，微帶線結(jié)構(gòu)是最受歡迎的,，因而得到最廣泛的推廣與應(yīng)用。最常使用的微帶線結(jié)構(gòu)有4種：表面微帶線（surface microstrip）,、嵌入式微帶線（embedded microstrip）,、帶狀線（stripline）、雙帶線（dual-stripline）,。下面只說明表面微帶線結(jié)構(gòu),，其它幾種可參考相關(guān)資料。表面微帶線模型結(jié)構(gòu)如圖2所示,。

    Z0的計算公式如下：

對于差分信號,，其特性阻抗Zdiff修正公式如下：

公式中：

——PCB基材的介電常數(shù)；

b——PCB傳輸導(dǎo)線線寬,；

d1——PCB傳輸導(dǎo)線線厚,；

d2——PCB介質(zhì)層厚度；

D——差分線對線邊沿之間的線距,。

從公式中可以看出,，特性阻抗主要由、b,、d1,、d2決定。通過控制以上4個參數(shù),，可以得到相應(yīng)的特性阻抗,。

2 信號完整性（SI）

SI是指信號在電路中以正確的時序和電壓作出響應(yīng)的能力。如果電路中的信號能夠以要求的時序,、持續(xù)時間和電壓幅度到達IC,，則該電路具有較好的信號完整性。反之,，當(dāng)信號不能正常響應(yīng)時,，就出現(xiàn)了信號完整性問題,。從廣義上講，信號完整性問題主要表現(xiàn)為5個方面：延遲,、反射,、串?dāng)_、同步切換噪聲和電磁兼容性,。

延遲是指信號在PCB板的導(dǎo)線上以有限的速度傳輸,，信號從發(fā)送端發(fā)出到達接收端，其間存在一個傳輸延遲,。信號的延遲會對系統(tǒng)的時序產(chǎn)生影響,。在高速數(shù)字系統(tǒng)中，傳輸延遲主要取決于導(dǎo)線的長度和導(dǎo)線周圍介質(zhì)的介電常數(shù),。

當(dāng)PCB板上導(dǎo)線(高速數(shù)字系統(tǒng)中稱為傳輸線)的特征阻抗與負載阻抗不匹配時,，信號到達接收端后有一部分能量將沿著傳輸線反射回去，使信號波形發(fā)生畸變,，甚至出現(xiàn)信號的過沖和下沖,。如果信號在傳輸線上來回反射，就會產(chǎn)生振鈴和環(huán)繞振蕩,。

由于PCB板上的任何兩個器件或?qū)Ь€之間都存在互容和互感,，因此，當(dāng)一個器件或一根導(dǎo)線上的信號發(fā)生變化時,，其變化會通過互容和互感影響其它器件或?qū)Ь€,，即串?dāng)_。串?dāng)_的強度取決于器件及導(dǎo)線的幾何尺寸和相互距離,。

信號質(zhì)量表現(xiàn)為幾個方面,。對于大家熟知的頻率、周期,、占空比,、過沖,、振鈴,、上升時間、下降時間等,，在此就不作詳細介紹了,。下面主要介紹幾個重要概念。

①高電平時間（high time）,，指在一個正脈沖中高于Vih_min部分的時間,。

②低電平時間（low time），指在一個負脈沖中低于Vil_max部分的時間,，如圖3所示,。

③建立時間（setup time）,，指一個輸入信號（input signal）在參考信號（reference signal）到達指定的轉(zhuǎn)換前必須保持穩(wěn)定的最短時間。

④保持時間（hold time）,，是數(shù)據(jù)在參考引腳經(jīng)過指定的轉(zhuǎn)換后,，必須穩(wěn)定的最短時間，如圖4所示,。

⑤建立時間裕量（setup argin）,，指所設(shè)計系統(tǒng)的建立時間與接收端芯片所要求的最小建立時間的差值。

⑥保持時間裕量（hold argin）,，指所設(shè)計系統(tǒng)的保持時間與接收端芯片所要求的最小保持時間之間的差值,。

⑦時鐘偏移（clock skew），指不同的接收設(shè)備接收到同一時鐘驅(qū)動輸出之間的時間差,。

⑧Tco（time clock to output,，時鐘延遲），是一個定義包括一切設(shè)備延遲的參數(shù),，即Tco=內(nèi)部邏輯延遲 （internal logic delay） + 緩沖器延遲（buffer delay）,。

⑨最大經(jīng)歷時間（Tflightmax），即final switch delay,，指在上升沿,，到達高閾值電壓的時間，并保持高電平之上,，減去驅(qū)動所需的緩沖延遲,。

⑩最小經(jīng)歷時間（Tflightmin），即first settle delay,，指在上升沿,，到達低閾值電壓的時間，減去驅(qū)動所需的緩沖延遲,。

時鐘抖動（clock jitter）,，是由每個時鐘周期之間不穩(wěn)定性抖動而引起的。一般由于PLL在時鐘驅(qū)動時的不穩(wěn)定性引起,，同時,，時鐘抖動引起了有效時鐘周期的減小。

串?dāng)_（crosstalk）,。鄰近的兩根信號線,，當(dāng)其中的一根信號線上的電流變化時（稱為aggressor，攻擊者）,，由于感應(yīng)電流的影響,，另外一根信號線上的電流也將引起變化（稱為victim，受害者）,。

SI是個系統(tǒng)問題,，必須用系統(tǒng)觀點來看,。以下是將問題的分解。

◆ 傳輸線效應(yīng)分析：阻抗,、損耗,、回流……

◆ 反射分析：過沖、振鈴……

◆ 時序分析：延時,、抖動,、SKEW……

◆ 串?dāng)_分析

◆ 噪聲分析：SSN、地彈,、電源下陷……

◆ PI設(shè)計：確定如何選擇電容,、電容如何放置、PCB合適疊層方式……
◆ PCB,、器件的寄生參數(shù)影響分析

◆ 端接技術(shù)等

3 電源完整性PI

PI的提出,，源于當(dāng)不考慮電源的影響下基于布線和器件模型而進行SI分析時所帶來的巨大誤差，相關(guān)概念如下,。

◆ 電子噪聲,，指電子線路中某些元器件產(chǎn)生的隨機起伏的電信號。

◆ 地彈噪聲,。當(dāng)PCB板上的眾多數(shù)字信號同步進行切換時(如CPU的數(shù)據(jù)總線,、地址總線等)，由于電源線和地線上存在阻抗,，會產(chǎn)生同步切換噪聲,，在地線上還會出現(xiàn)地平面反彈噪聲(簡稱地彈)。SSN和地彈的強度也取決于集成電路的I/O特性,、PCB板電源層和地平面層的阻抗以及高速器件在PCB板上的布局和布線方式,。負載電容的增大、負載電阻的減小,、地電感的增大,、同時開關(guān)器件數(shù)目的增加均會導(dǎo)致地彈的增大。

◆ 回流噪聲,。只有構(gòu)成回路才有電流的流動,，整個電路才能工作。這樣,，每條信號線上的電流勢必要找一個路徑,，以從末端回到源端,。一般會選擇與之相近的平面,。由于地電平面（包括電源和地）分割，例如地層被分割為數(shù)字地,、模擬地,、屏蔽地等,，當(dāng)數(shù)字信號走到模擬地線區(qū)域時，就會產(chǎn)生地平面回流噪聲,。

◆ 斷點,，是信號線上阻抗突然改變的點。如用過孔（via）將信號輸送到板子的另一側(cè),，板間的垂直金屬部分是不可控阻抗,，這樣的部分越多，線上不可控阻抗的總量就越大,。這會增大反射,。還有，從水平方向變?yōu)榇怪狈较虻?0°的拐點是一個斷點,，會產(chǎn)生反射,。如果這樣的過孔不能避免，那么盡量減少它的出現(xiàn),。

在一定程度上,，我們只能減弱因電源不完整帶來的系列不良結(jié)果，一般會從降低信號線的串繞,、加去耦電容,、盡量提供完整的接地層等措施著手。

4 EMC

EMC包括電磁干擾和電磁抗干擾兩個部分,。

一般數(shù)字電路EMS能力較強,，但是EMI較大。電磁兼容技術(shù)的控制干擾,，在策略上采用了主動預(yù)防,、整體規(guī)劃和“對抗”與“疏導(dǎo)”相結(jié)合的方針。

主要的EMC設(shè)計規(guī)則有：

① 20H規(guī)則,。PowerPlane（電源平面）板邊緣小于其與GroundPlane（地平面）間距的20倍,。

② 接地面處理。接地平面具有電磁學(xué)上映象平面(ImagePlane) 的作用,。若信號線平行相鄰于接地面,，可產(chǎn)生映像電流抵消信號電流所造成的輻射場。PCB上的信號線會與相鄰的接地平面形成微波工程中常見的Micro-strip Line（微帶線）或Strip Line（帶狀線）結(jié)構(gòu),，電磁場會集中在PCB的介質(zhì)層中,，減低電磁輻射。

因為,，Strip Line的EMI性能要比Micro-strip Line的性能好,。所以，一些輻射較大的走線，如時鐘線等,，最好走成Strip Line結(jié)構(gòu),。

③ 混合信號PCB的分區(qū)設(shè)計。第一個原則是盡可能減小電流環(huán)路的面積,；第二個原則是系統(tǒng)只采用一個參考面,。相反，如果系統(tǒng)存在兩個參考面,，就可能形成一個偶極天線,；而如果信號不能通過盡可能小的環(huán)路返回，就可能形成一個大的環(huán)狀天線,。對于實在必須跨區(qū)的情況,，需要通過，在兩區(qū)之間加連接高頻電容等技術(shù),。

④ 通過PCB分層堆疊設(shè)計控制EMI輻射,。PCB分層堆疊在控制EMI輻射中的作用和設(shè)計技巧，通過合適的疊層也可以降低EMI,。

從信號走線來看,，好的分層策略應(yīng)該是把所有的信號走線放在一層或若干層，這些層緊挨著電源層或接地層,。對于電源,，好的分層策略應(yīng)該是電源層與接地層相鄰，且電源層與接地層的距離盡可能小,，這就是我們所講的“分層＂策略,。

⑤ 降低EMI的機箱設(shè)計。實際的機箱屏蔽體由于制造,、裝配,、維修、散熱及觀察要求,，其上一般都開有形狀各異,、尺寸不同的孔縫，必須采取措施來抑制孔縫的電磁泄漏,。一般來說,，孔縫泄漏量的大小主要取決于孔的面積、孔截面上的最大線性尺寸,、頻率及孔的深度,。

⑥ 其它技術(shù)。在IC的電源引腳附近合理地安置適當(dāng)容量的電容,，可使IC輸出電壓的跳變來得更快,。然而,，問題并非到此為止。由于電容呈有限頻率響應(yīng)的特性,，這使得電容無法在全頻帶上生成干凈地驅(qū)動IC輸出所需要的諧波功率,。除此之外,，電源匯流排上形成的瞬態(tài)電壓在去耦路徑的電感兩端會形成電壓降,，這些瞬態(tài)電壓就是主要的共模EMI干擾源。為了控制共模EMI,，電源層要有助於去耦和具有足夠低的電感,，這個電源層必須是一個設(shè)計相當(dāng)好的電源層的配對。問題的答案取決于電源的分層,、層間的材料以及工作頻率(即IC上升時間的函數(shù)),。通常，電源分層的間距是0.5mm（6mil）,，夾層是FR4材料,，則每平方英寸電源層的等效電容約為75pF。顯然,，層間距越小電容越大,。

5 熱設(shè)計

電子元件密度比以前高了很多，同時功率密度也相應(yīng)有了增加,。由于電子元器件的性能會隨溫度發(fā)生變化,，溫度越高其電氣性能會越低。

(1)數(shù)字電路散熱原理

半導(dǎo)體器件產(chǎn)生的熱量來源于芯片的功耗,，熱量的累積必定導(dǎo)致半導(dǎo)體結(jié)點溫度的升高,。隨著結(jié)點溫度的提高，半導(dǎo)體器件性能將會下降,，因此芯片廠家都規(guī)定了半導(dǎo)體器件的結(jié)點溫度,。在高速電路中，芯片的功耗較大,，在正常條件下的散熱不能保證芯片的結(jié)點溫度不超過允許工作溫度,，因此需要考慮芯片的散熱問題。

在通常條件下,，熱量的傳遞通過傳導(dǎo),、對流、輻射3種方式進行,。

散熱時需要考慮3種傳熱方式,。例如使用導(dǎo)熱率好的材料，如銅,、鋁及其合金做導(dǎo)熱材料,，通過增加風(fēng)扇來加強對流,，通過材料處理來增強輻射能力等。

簡單熱量傳遞模型：熱量分析中引入一個熱阻參數(shù),，類似于電路中的電阻,。如果電路中的電阻計算公式為R=ΔE/I，則對應(yīng)的熱阻對應(yīng)公式為R=Δt/P（P表示功耗,，單位W,；Δt表示溫差，單位℃）,。熱阻的單位為℃/W,，表示功率增加1W時所引起的溫升?？紤]集成芯片的熱量傳遞,，可以使用圖5描述的溫度計算模型。

由上所述,，可推導(dǎo)出

Tc＝Tj－P× RJC

也就是說,，當(dāng)Tc實測值小于根據(jù)數(shù)據(jù)手冊所提供數(shù)據(jù)計算出的最大值時，芯片可正常工作,。

(2)散熱處理

為了保證芯片能夠正常工作,，必須使Tj不超過芯片廠家提供的允許溫度。根據(jù)Tj=Ta+P×R可知,，如果環(huán)境溫度降低,，或者功耗減少、熱阻降低等都能夠使Tj降低,。實際使用中,，對環(huán)境溫度的要求可能比較苛刻，功耗降低只能依靠芯片廠家技術(shù),，所以為了保證芯片的正常工作,，設(shè)計人員只能在降低熱阻方面考慮。

結(jié) 語
以上提到的高速單片機設(shè)計思想和方法,，目前已經(jīng)在國外的公司得到實踐和發(fā)展,，但是國內(nèi)這方面的研究和實踐還很少。該設(shè)計思想在我們公司實踐,、摸索,，提高了產(chǎn)品可靠性。在這里推薦給各位同行,，期望共同探討,。