1 DDR NAND閃存的特性

　　與傳統(tǒng)的48腳NAND Flash引腳定義不同，DDRNAND閃存不再分別劃分讀時鐘(RE#)和寫時鐘(WE#),，而是將讀寫合為1個時鐘,，即CLK，而用W／R引腳的高低來區(qū)分這次是讀操作還是寫操作,，如圖1所示,。數(shù)據(jù)I／O接口也改為正負雙沿采集的DQ數(shù)據(jù)線。如圖1中DDR NAND閃存部分所示,，各引腳功能說明如下：

　　CE1#～CE4#：片選信號,，低為使能。一個48腳的物理NAND Flash片子最多能同時包含(封裝)4個NAND Flash,。

　　CLE：命令鎖存使能信號,，高為使能。

　　ALE：地址鎖存使能信號,，高為使能

　　CLK：時鐘信號,。

　　W／R#：區(qū)分讀寫操作信號，高為寫,，低為讀,。

　　DQ0～DQ7：數(shù)據(jù)／地址／命令復(fù)用數(shù)據(jù)線。

　　R／B1#～R／B4#：NAND狀態(tài)信號線,。

　　VCC,，VCCQ：接電源,。

　　VSS，VSSQ：接地,。

　　R：無定義,。

　　2 對DDR NAND閃存的軟件驅(qū)動操作

　　DDR NAND與普通NAND Flash一樣，遵從ONFI協(xié)議的命令集合,，如表1所示,。其中，O／M項為M的必選,，為O的可選,，也就是說標有M的命令所有NAND Flash都支持，而標有O的命令則為部分支持部分不支持,。 　　

　　下面分別以NAND Flash最重要最為常用的驅(qū)動接口：讀,，寫，擦為例,，分別說明DDR NAND的操作流程,。

　　2．1 讀操作

　　DDR NAND的讀操作和寫操作一般都是以頁為單位操作的，與傳統(tǒng)的NAND Flash一樣,，它允許在1個頁讀寫周期內(nèi)讀取1 Byte到data區(qū)與spare區(qū)大小之和這么多字節(jié),。讀取數(shù)據(jù)過程為：(1)先向DDRNAND發(fā)送讀命令00h。(2)然后接著發(fā)送需要讀取的DDR NAND的位置row地址和column地址,。(3)接著發(fā)送讀確認命令30 Hz,，DDR NAND收到這個命令后會拉低RB信號線，然后開始工作,，將相應(yīng)的一頁數(shù)據(jù)讀取到DDR NAND里的頁緩沖,，讀完后把RB信號線拉高，產(chǎn)生一個RB中斷,。(4)主控程序接收到RB中斷后,，發(fā)送同步時鐘準備信號，即CLE和ALE同時產(chǎn)生一個cycle,。(5)接著就可以發(fā)送讀數(shù)據(jù)的clock cycle,，每發(fā)送一個clock cycle就會在DDR NAND的頁緩沖FIFO中送出2 Byte數(shù)據(jù)，上升沿一個,，下降沿一個,，因為DDR NAND是雙沿采數(shù)的，同時DDR NAND也會控制DQS信號線與data同步,。(6)主控程序發(fā)送完讀數(shù)據(jù)的clock,，讀操作結(jié)束。如圖2所示。 　　

　　2．2 寫操作

　　在DDR NAND中,，寫操作也叫編程,。寫操作的單位也是頁，它的操作過程如下：(1)先向DDRNAND發(fā)送寫命令80 Hz,。(2)然后接著發(fā)送需要寫入的DDR NAND的位置row地址和column地址,。(3)發(fā)送同步時鐘準備信號，即CLE和ALE同時產(chǎn)生一個cycle,。(4)接著就可以發(fā)送讀數(shù)據(jù)，發(fā)送數(shù)據(jù)是根據(jù)clock產(chǎn)生DQS信號,，在DQS信號上下沿分別發(fā)送數(shù)據(jù)到DDR NAND,。(5)發(fā)完一個page的數(shù)據(jù)后，接著發(fā)送寫確認命令10 Hz,，DDR NAND收到這個命令后會拉低RB信號線,，然后開始工作，將相應(yīng)的一頁數(shù)據(jù)從DDR NAND里的頁緩沖中正式編程到DDR NAND中,，待編程完畢后把RB信號線拉高,，產(chǎn)生一個RB中斷，如圖3所示,，此時寫操作已完成,。

　　2．3 擦除操作

　　DDR NAND的擦除操作單位為block，擦操作比較特殊,，它不涉及任何數(shù)據(jù),，沒有用雙沿操作的地方，所以它的操作過程和時序跟普通NAND Flash是一樣的,，操作過程如下：(1)先向DDR NAND發(fā)送擦命令60 Hz,。(2)接著發(fā)送需要擦除的DDR NAND的位置，3 Byte的row地址,。(3)發(fā)送擦確認命令d0h,，DDR NAND收到這個命令后會拉低RB信號線，然后開始工作,，待擦除完畢后再把RB信號線拉高,，產(chǎn)生一個RB中斷，一個block擦除完畢,。

　　3 結(jié)束語

　　從市場方面了解到DDR NAND這種雙沿采數(shù)的新型NAND Flash有逐步取代原高端16 bit NANDFlash之勢,，成為新的高端閃存。它具有更高的讀寫速率,，不需要優(yōu)化代碼就能輕松突破存儲速度的瓶頸限制,。