美國Dallas公司推出的串行接口實時時鐘芯片DSl302可對時鐘芯片備份電池進行涓流充電,。由于該芯片具有體積小、功耗低,、接口容易,、占用CPU I/0口線少等主要特點，故該芯片可作為實時時鐘,廣泛應用于智能化儀器儀表中,。
　　筆者在調試中發(fā)現(xiàn),在對DSl302編程中有幾個問題易被疏忽而導致錯誤,，現(xiàn)提供給讀者參考。
1 讀操作出現(xiàn)的錯誤
　　按照參考文獻[2]的讀操作程序框圖和參考文獻[1]、[2]所敘述的可知：單字節(jié)讀操作每次需16個時鐘,，地址字節(jié)在前8個時鐘周期的上升沿輸入，而數(shù)據(jù)字節(jié)在后8個時鐘周期的下降沿輸出,。據(jù)此結合圖1的硬件連接圖編制出了如下的單字節(jié)讀程序：

　　DS_READ:SETB 　　P1.2 　?。涣?IMG style="FILTER: " height=19 alt="" hspace=0 src="http://files.chinaaet.com/old/uploadfiles/jishu/jslw/20090205085451671.gif" width=34 align=absMiddle border=0>＝0,。
　　　　CLR 　　P1.1 　?。涣頢CLK＝0,。
　　　　CLR 　　P1.2 　?。涣?IMG height=19 alt="" hspace=0 src="http://files.chinaaet.com/old/uploadfiles/jishu/jslw/20090205085451671.gif" width=34 align=absMiddle border=0>＝1,，啟動芯片,。
　　　　LCALL DS_WSUB 　　,；寫8位地址,。
　　　　LCALL DS_RSUB 　　,；讀出8位數(shù)據(jù),。
　　　　RET
　　DS_WSUB:MOV 　　R7，#08H
　　WL00P: RRC 　　A　　　??；A為地址字節(jié)。
　　　　MOV 　　P1.0,，C
　　　　SETB 　　P1.1　?。辉跁r鐘上升沿
　　　　NOP　　　　　??；輸入地址字節(jié)。
　　　　CLR 　　P1.1
　　　　DJNZ R7,WL00P
　　　　RET
　　DS_RSUB:SETB 　　P1.0 　??；為讀數(shù)據(jù)作準備。
　　　　MOV R7,#08H
　　RL00P：SETB 　　P1.1
　　　　NOP
　　　　CLR　　P1.1　??；在第9個正脈沖的下
　　　　MOV　　C，P1.0　??；降沿開始輸出數(shù)據(jù)。
　　　　RRC　　A　　　　,；A中為讀出的數(shù)據(jù),。
　　　　DJNZ R7，RL00P
　　　　RET
　　若使用如下程序對DSl302的RAM1(其內容為5AH)進行讀操作
　　READ：MOV A,#11000101B ,；RAMl單元的讀地址,。
　　　　　LCAll DS_READ ；調用讀子程序,。
　　則程序執(zhí)行后A中的數(shù)據(jù)為2DH,，顯然讀出的數(shù)據(jù)不正確。若再使用一條RL A指令調整后,，則A中為5AH,，結果才正確。由此說明：使用上述程序讀出的RAM1單元中的第0位數(shù)據(jù)實為第1位數(shù)據(jù),，讀出的第7位數(shù)據(jù)實為第0位數(shù)據(jù),。
　　經(jīng)筆者仔細研究時序圖和多次試驗得知，問題的原因在于：對于讀操作時序,，在SCLK出現(xiàn)第8個正脈沖時,，上升沿輸入地址字節(jié)的最后一位數(shù)據(jù)，而在此正脈沖的下降沿就要輸出數(shù)據(jù)字節(jié)的第0位數(shù)據(jù),。然而筆者的程序中是在第9個正脈沖的下降沿才誤認為輸出了數(shù)據(jù)字節(jié)的第0位數(shù)據(jù),，此位數(shù)據(jù)事實上是第二個下降沿輸出的，故實為數(shù)據(jù)字節(jié)的第1位數(shù)據(jù),。經(jīng)筆者實驗：只要保持為高電平,，如果超過8個下降沿，它們將重新從第0位輸出數(shù)據(jù)位,，因程序中輸出的最后一位數(shù)據(jù)位,，是第9個下降沿輸出的數(shù)據(jù)位，故實為數(shù)據(jù)字節(jié)的第0位數(shù)據(jù)位,。
　　由此可見,，單字節(jié)讀操作的時序圖如改為圖2所示時序圖，則讀者較容易理解可避免發(fā)生上述編程錯誤,。

　　只要將上述的DS_RSUB子程序改為如下的子程序即可解決上述問題：
　　DS_RSUBl：SETB P1.0　?。粸樽x數(shù)據(jù)作準備
　　　　MOV R7,，#08H
　　RL00P：　　CLR P1.1　　　?。籗CLK第8個正脈沖的
　　　　MOV C,，P1.0　?。幌陆笛亻_始輸出數(shù)據(jù)。
　　　　RAC
　　　　SETB 　　P1.1
　　　　DJNZ 　　R7,，RL00P
　　　　RET
2 禁止涓流充電出現(xiàn)的錯誤
　　涓流充電寄存器(TCR)控制著DSl302的涓流充電特性,。據(jù)參考文獻[1]、[2]介紹,，寄存器的位(TCS)4～7決定著是否具備充電性能,。僅在1010編碼的條件下才具備充電性能，其它編碼組合不允許充電,。位2和3(DS)則在VCC2和VCC1之間選擇是一個還是兩個二極管串入其中,。如果編碼是01,，選擇一個二極管,；如果編碼是10，選擇兩個,；其它編碼將禁止充電,。該寄存器的0和l位(RS)用于選擇與二極管相串聯(lián)的電阻值，其中編碼01為2kΩ,；10為4kΩ,；11為8kΩ；而00將不允許充電,。筆者編制了如下的允許涓流充電的控制程序(選擇一個二極管,充電限流電阻為4kΩ)：
　　SETB 　　P1.2　　　?。涣?IMG height=19 alt="" hspace=0 src="http://files.chinaaet.com/old/uploadfiles/jishu/jslw/20090205085451671.gif" width=34 align=absMiddle border=0>＝0
　　CLR 　　P1.2 　　　??；令SCLK＝0
　　CLR 　　P1.2　　　　,；令＝1
　　MOV 　　A,#90H　　　?。籘CR的寫地址
　　LCALL DS_WSUB
　　MOV 　　A,#10100110B 　??；TCR的命令
　　LCALL DS_WSUB
　　用萬用表串入Vcc1與可充電池之間，執(zhí)行程序后,，則有電流流過萬用表,，表示充電正常。筆者通過將上述程序的第6句改為：MOV A,#10100010B,，即置DS為00來禁止涓流充電器工作,。執(zhí)行程序后，在Vcc1與電池之間串入萬用表,，則仍有電流流過,，表示尚未禁止充電。若將第6語句改為：MOV A,#10101110B，即置DS為11,，執(zhí)行上述程序后情況仍如此,。若將第6語句改為：
　　MOV A,#01010110B 即TCS≠1010
　　或：　　MOV A,#10100100B 即RS＝00則充電被禁止。
　　筆者誤認為芯片損壞,，換上另一新購置的芯片,，結果仍如此。隨即筆者取下圖1所示電路中的可充電池,，換上一標稱為10kΩ的電阻對芯片進行了測試,，測試結果如表1所示VCC2＝5V。