目前在市場上我們可以采購到很多霍爾-ASIC傳感器,，我們可以用這些傳感器來測量位置、磁場以及電流。所有這些ASIC傳感器大多用于進行精確快速的電流測量，比如電力電子行業(yè),，對于電磁干擾具有高抗干擾性的優(yōu)點,。 這一基礎已經使得新集成元件得到了開發(fā),，這些元件特別適合這些需求（圖1）。該新型集成元部件基于CMOS技術,，將開環(huán)霍爾效應電流傳感器結構的所有元件綜合在了一個單片上,。霍爾陣列作為測量元件,，后面跟著放大級以及擴展編程單元和一個穩(wěn)定的帶隙基準電壓,。該元部件具有以下特點：
5V 電源
從0.5到4毫伏/高斯的大測量范圍
可以對偏差和增益進行編程（比例或固定）
基準輸入/輸出
可編程溫度補償
接線管腳具有短路和靜電放電（ESD）保護
溫度范圍從 -40°C到+ 125°C。
基準電壓作為測量的零點可以在生產過程中進行編程,?？梢蕴峁┮话氲墓╇婋妷夯蚬潭ǖ?.5V電壓。外部管腳上也可以提供基準電壓,。例如,，該基準電壓隨時都可以通過一個來自A/D轉換器的當前外部基準電壓經一個200Ω的內部載荷阻抗進行作用,。
參數(shù)
與傳統(tǒng)霍爾元件相比，瞬態(tài)電流的速度幾乎沒有變化,。具有100A/＊s電流變化率（di/dt）的瞬態(tài)電流后的延遲時間大約為4µs,，如圖2所示。對于電流電路短路切斷和調節(jié)來說,，這個延遲時間該足夠,。有點長些的延遲時間可以通過霍爾芯片的斬波技術來進行說明，該技術用于改善漂移參數(shù),。
對于在高EMC環(huán)境所使用的傳感器來說,，其中一個關鍵參數(shù)是在電壓跳變（共模）之后的性能。圖3記錄了6 KV/＊s電流變化率（dV/dt）的情況,，同時給出了當輸出為大約20mV時跳過一個偏差之后的狀態(tài),，這一結果與3%標稱值的漂移相一致。性能是平衡的,，因此在不產生偏差的情況下可以對其進行外部或內部過濾,。
由于斬波的穩(wěn)定性，與傳統(tǒng)霍爾元件相比,，感應器輸出處的噪音增加了三倍,。一般情況下，該噪音大約為10m/Vpp,，與大約1.4%的輸出標稱電流相對應,。由于500KHz的高噪音頻率，該噪音并不會對通常的應用產生影響,。對于具有高帶寬的超快電流調節(jié)電路來說,，應將該參數(shù)考慮進去。
在溫度漂移（對于電流傳感器來說是一個最基本的參數(shù)）方面,，可以通過與傳統(tǒng)解決方案相比較來實現(xiàn)最大程度的改善,。與傳統(tǒng)傳感器相比，偏差漂移和增益漂移已經通過一個超過2的因數(shù)進行了改善,。當溫度升高50°C時,，偏差漂移達到最大值，為1.6%最大標稱值,。增益漂移,，定義為測量值的百分比值，在最差的情況下可達到2%,。這些值對開環(huán)霍爾效應電流傳感器來說是極好的值,。
安裝在印刷電路板上的傳感器應盡可能與解耦電容緊密地連接在一起。這些電容對EMC特性的改善作用顯著,。圖4給出了布線圖,，該布線具有在測量過程中實際發(fā)現(xiàn)的值,。但是，這種布線會根據(jù)不同的應用場合而略有不同,。
該基準電壓應該具有與供電電壓相同的值,。
各種適用設計方案
憑借該項ASIC技術，我們已經開發(fā)了四個新型號范圍的開環(huán)霍爾效應電流傳感器,，這些傳感器適用于各種不同場合,。在傳感器的開發(fā)過程中，我們特別注意了所涵蓋應用場合的要求,、對于力學方面以及對于電力部件與電子元件分離絕緣方面的要求,。比如安裝在電池驅動的車輛內，我們還首次開發(fā)了適合低電壓高達100V應用場合的特殊傳感器,。