東芝在半導(dǎo)體業(yè)務(wù)中提出了新戰(zhàn)略,。東芝計劃將把瞄準(zhǔn)全球份額首位的NAND閃存業(yè)務(wù)實力,，應(yīng)用于其他半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。具體做法是在分離式半導(dǎo)體業(yè)務(wù),、從原系統(tǒng)LSI業(yè)務(wù)中剝離出來的模擬成像IC業(yè)務(wù),、以及與硬盤業(yè)務(wù)進行了整合的存儲產(chǎn)品業(yè)務(wù)中，應(yīng)用在存儲器業(yè)務(wù)中積累的制造技術(shù)實力,。由此來培育出繼存儲器業(yè)務(wù)之后的又一支柱業(yè)務(wù),。東芝執(zhí)行董事高級常務(wù)、東芝半導(dǎo)體與存儲器公司社長小林清志在2011年8月公布了這一戰(zhàn)略,。
　　
　　轉(zhuǎn)用四日市工廠的200mm生產(chǎn)線
　　
　　分離式半導(dǎo)體業(yè)務(wù)方面,，將致力于在社會基礎(chǔ)設(shè)施和車載用途有望產(chǎn)生巨大需求的功率元件領(lǐng)域,。東芝在功率元件領(lǐng)域的市場份額目前位居全球第三，“計劃以自主開發(fā)的元件技術(shù)和大口徑生產(chǎn)技術(shù)為優(yōu)勢,，在數(shù)年內(nèi)達到業(yè)內(nèi)第一”,。
　　
　　在社會基礎(chǔ)設(shè)施和汽車領(lǐng)域的需求高漲的功率元件市場上，分離式半導(dǎo)體業(yè)務(wù)計劃實現(xiàn)全球第一的份額,。模擬成像IC業(yè)務(wù)方面,，將致力于BSI型CMOS傳感器。合并了存儲器業(yè)務(wù)和硬盤的存儲產(chǎn)品業(yè)務(wù)方面,，將提供面向數(shù)據(jù)中心的綜合解決方案,。照片為東芝的資料，圖由本刊制作,。
　　
　　起決定性作用的,，是NAND閃存的生產(chǎn)基地--四日市工廠的200mm生產(chǎn)線。該生產(chǎn)設(shè)備已開始用于功率元件的生產(chǎn)基地加賀工廠,。通過利用存儲器業(yè)務(wù)中完成折舊的生產(chǎn)設(shè)備,，“能以較少的投資實現(xiàn)大口徑化并擴大產(chǎn)能”。東芝今后將加快200mm進程,。計劃到2013年,，將200mm晶圓在功率半導(dǎo)體整體產(chǎn)能中所占的比例提高到80%以上。
　　
　　該公司為支持更高的電力容量和高速工作頻率,，將大力開發(fā)采用新材料SiC和GaN的功率元件,。
　　
　　致力于BSI型CMOS傳感器
　　
　　模擬成像IC業(yè)務(wù)方面，東芝宣布,，已將定位為尖端邏輯LSI生產(chǎn)基地的大分工廠300mm生產(chǎn)線,，轉(zhuǎn)用為背面照射（BSI）型CMOS傳感器等的生產(chǎn)線。
　　
　　東芝預(yù)測,，小型高靈敏度BSI型傳感器到2014年將在CMOS傳感器市場上占一大半,。雖然BSI型CMOS傳感器的一部分由海外硅代工企業(yè)生產(chǎn)，但“由于生產(chǎn)工藝復(fù)雜,，未必能有效生產(chǎn)”,。而東芝“通過利用存儲器業(yè)務(wù)中積累的工藝經(jīng)驗，能夠以簡單的工藝制造BSI型傳感器”,。
　　
　　東芝已從2010年底開始,，在業(yè)內(nèi)率先采用300mm晶圓量產(chǎn)了設(shè)計規(guī)則為65nm、像素間距為1.4μm的第一代BSI產(chǎn)品,。2011年底將量產(chǎn)像素間距縮短為1.1μm的第二代產(chǎn)品,。
　　
　　另一方面，大分工廠等生產(chǎn)的邏輯LSI今后將進一步推進代工生產(chǎn),。2011年4月,，東芝解散了與索尼的合資生產(chǎn)公司（位于長崎）,，出售了相關(guān)設(shè)備。該公司計劃,，2011年將采用300mm晶圓的SoC生產(chǎn)的外包比例從2010年的零提高到50%,2013年提高到80%以上,。
　　
　　加速MRAM實用化
　　
　　存儲產(chǎn)品業(yè)務(wù)中，將加快新型非易失性存儲器MRAM的實用化,。東芝2011年7月合并了原半導(dǎo)體公司和存儲產(chǎn)品公司，成立了半導(dǎo)體與存儲器公司,。主要目的是,，利用NAND閃存的技術(shù)經(jīng)驗，開發(fā)整合了SSD（solidstatedrive）和硬盤的高性能存儲技術(shù),，并計劃利用MRAM技術(shù)進一步提高其性能,。
　　
　　東芝預(yù)測，以數(shù)據(jù)中心為核心,，集成存儲技術(shù)的需求今后將暴增,，因此加快了NAND閃存的微細(xì)化和三維單元技術(shù)的開發(fā)。不過,，NAND閃存還存在訪問性能低的課題,。因此，打算將可兼顧DRAM相當(dāng)?shù)母咚傩院?ldquo;1015次”擦寫次數(shù)的MRAM,用于NAND閃存的緩存等,。
　　
　　東芝計劃,，通過量產(chǎn)速度與DRAM相當(dāng)?shù)腗RAM,進一步擴大NAND閃存和硬盤市場。圖由本刊根據(jù)東芝的資料制作,。
　　
　　“通過組合使用高速MRAM,可以大幅提高NAND閃存和硬盤的實際訪問性能”,。東芝以2014年投產(chǎn)為目標(biāo)，推進了MRAM的技術(shù)開發(fā),，將來還計劃用于產(chǎn)品的工作存儲器,。