中心議題：
解決方案：
- 選擇輸入整流橋
- 選擇輸入濾波電容器
- 設(shè)計漏極鉗位保護電路
本文介紹輸入整流濾波器及鉗位保護電路的設(shè)計,，包括輸入整流橋的選擇,、輸入濾波電容器的選擇、漏極鉗位保護電路的設(shè)計等內(nèi)容,，講解圖文并茂且附實例計算,。
1 輸入整流橋的選擇
1)整流橋的導(dǎo)通時間與選通特性
50Hz交流電壓經(jīng)過全波整流后變成脈動直流電壓u1,，再通過輸入濾波電容得到直流高壓U1。在理想情況下,，整流橋的導(dǎo)通角本應(yīng)為180°(導(dǎo)通范圍是從 0°～180°),，但由于濾波電容器C的作用，僅在接近交流峰值電壓處的很短時間內(nèi),，才有輸入電流流經(jīng)過整流橋?qū)充電,。50Hz交流電的半周期為 10ms，整流橋的導(dǎo)通時間tC≈3ms,，其導(dǎo)通角僅為54°(導(dǎo)通范圍是36°～90°),。因此，整流橋?qū)嶋H通過的是窄脈沖電流,。橋式整流濾波電路的原 理如圖1(a)所示,，整流濾波電壓及整流電流的波形分別如圖l(b)和(c)所示。
最后總結(jié)幾點：
(1)整流橋的上述特性可等效成對應(yīng)于輸入電壓頻率的占空比大約為30％,。
(2)整流二極管的一次導(dǎo)通過程,，可視為一個“選通脈沖”，其脈沖重復(fù)頻率就等于交流電網(wǎng)的頻率(50Hz),。
(3)為降低開關(guān)電源中500kHz以下的傳導(dǎo)噪聲,，有時用兩只普通硅整流管(例如1N4007) 與兩只快恢復(fù)二極管(如FR106)組成整流橋，F(xiàn)Rl06的反向恢復(fù)時間trr≈250ns,。
2)整流橋的參數(shù)選擇
隔離式開關(guān)電源一般采用由整流管構(gòu)成的整流橋,，亦可直接選用成品整流橋，完成橋式整流,。全波橋式整流器簡稱硅整流橋,，它是將四只硅整流管接成橋路形式，再 用塑料封裝而成的半導(dǎo)體器件,。它具有體積小,、使用方便、各整流管的參數(shù)一致性好等優(yōu)點,，可廣泛用于開關(guān)電源的整流電路,。硅整流橋有4個引出端，其中交流輸 入端,、直流輸出端各兩個,。
硅整流橋的最大整流電流平均值分0．5～40A等多種規(guī)格，最高反向工作電壓有50～1000V等多種規(guī)格,。小功率硅整流橋可直接焊在印刷板上,，大、中功率硅整流橋則要用螺釘固定,，并且需安裝合適的散熱器,。
整流橋的主要參數(shù)有反向峰值電壓URM(V),，正向壓降UF(V)，平均整流電流Id(A),，正向峰值浪涌電流IFSM(A),，最大反向漏電流 IR(μA)。整流橋的反向擊穿電壓URR應(yīng)滿足下式要求：
舉例說明,，當交流輸入電壓范圍是85～132V時,，umax=132V，由式(1)計算出UBR=233．3V,，可選耐壓400V的成品整流橋,。對于寬范 圍輸入交流電壓，umax=265V,，同理求得UBR=468．4V，應(yīng)選耐壓600V的成品整流橋,。需要指出,，假如用4只硅整流管來構(gòu)成整流橋，整流管 的耐壓值還應(yīng)進一步提高,。辟如可選1N4007(1A／1000V),、1N5408(3A／1000V)型塑封整流管。這是因為此類管子的價格低廉,，且按 照耐壓值“寧高勿低”的原則,，能提高整流橋的安全性與可靠性。
設(shè)輸入有效值電流為IRMS,，整流橋額定的有效值電流為IBR,，應(yīng)當使IBR≥2IRMS。計算IRMS的公式如下：
式中,，PO為開關(guān)電源的輸出功率,，η為電源效率，umin為交流輸入電壓的最小值,，cosφ為開關(guān)電源的功率因數(shù),，允許cosφ=0．5～0．7。由于整 流橋?qū)嶋H通過的不是正弦波電流,，而是窄脈沖電流(參見圖1),，因此整流橋的平均整流電流Id
2 輸入濾波電容器的選擇
1)輸入濾波電容器容量的選擇
為降低整流濾波器的輸出紋波，輸入濾波電容器的容量CI必須選的合適,。令每單位輸出功率(W)所需輸入濾波電容器容量 (μF)的比例系數(shù)為k,，當交流電壓 u=85～265V時，應(yīng)取k=(2～3)μF／W,；當交流電壓u=230V(1±15％)時,，應(yīng)取k=1μF／W。輸入濾波電容器容量的選擇方法詳見附 表l,，Po為開關(guān)電源的輸出功率,。
2)準確計算輸入濾波電容器容量的方法輸入濾波電容的容量是開關(guān)電源的一個重要參數(shù),。CI值選得過低,，會使UImin值大大降低，而輸入脈動電壓UR卻升 高,。但CI值取得過高,，會增加電容器成本，而且對于提高UImin值和降低脈動電壓的效果并不明顯,。下面介紹計算CI準確值的方法,。
設(shè)交流電壓u的最小值為umin。u經(jīng)過橋式整流和CI濾波,，在u=umin情況下的輸入電壓波形如圖2所示,。該圖是在Po=POM，f=50Hz,、整流 橋的導(dǎo)通時間tC=3ms,、η=80％的情況下繪出的。由圖可見,，在直流高壓的最小值UImin上還疊加一個幅度為UR的一次側(cè)脈動電壓,，這是CI在充放 電過程中形成的。欲獲得CI的準確值,，可按下式進行計算：
舉例說明,，在寬范圍電壓輸入時，umin=85V,。取UImin=90V,，f=50Hz,，tC=3ms，假定Po=30W,，η=80％,，一并帶入(3)式 中求出CI=84．2μF，比例系數(shù)CI／PO=84．2μF／30W=2．8μF／W,，這恰好在(2～3)μF／W允許的范圍之內(nèi),。
3 漏極鉗位保護電路的設(shè)計
對反激式開關(guān)電源而言，每當功率開關(guān)管(MOSFET)由導(dǎo)通變成截止時,，在開關(guān)電源的一次繞組上就會產(chǎn)生尖峰電壓和感應(yīng)電壓,。其中的尖峰電壓是由于高頻 變壓器存在漏感(即漏磁產(chǎn)生的自感)而形成的，它與直流高壓UI和感應(yīng)電壓UOR疊加在MOSFET的漏極上,，很容易損壞MOSFET,。為此，必須在增加 漏極鉗位保護電路,，對尖峰電壓進行鉗位或者吸收,。
1)漏極上各電壓參數(shù)的電位分布
下面分析輸入直流電壓的最大值UImax、一次繞組的感應(yīng)電壓UOR,、鉗位電壓UB與UBM,、最大漏極電壓UDmax,、漏一源擊穿電壓U(BR)DS這6 個電壓參數(shù)的電位分布情況,，使讀者能有一個定量的概念。對于TOPSwitch—XX系列單片開關(guān)電源,，其功率開關(guān)管的漏一源擊穿電壓 U(BR)DS≥700V,，現(xiàn)取下限值700V。感應(yīng)電壓UOR=135V(典型值),。本來鉗位二極管的鉗位電壓UB只需取135V,，即可將疊加在UOR 上由漏感造成的尖峰電壓吸收掉，實際卻不然,。手冊中給出UB參數(shù)值僅表示工作在常溫,、小電流情況下的數(shù)值。實際上鉗位二極管(即瞬態(tài)電壓抑制器TVS)還 具有正向溫度系數(shù),，它在高溫,、大電流條件下的鉗位電壓UBM要遠高于UB。實驗表明,，二者存在下述關(guān)系：
這表明UBM大約比UB高40％,。為防止鉗位二極管對一次側(cè)感應(yīng)電壓UOR也起到鉗位作用，所選用的TVS鉗位電壓應(yīng)按下式計算：
此外,，還須考慮與鉗位二極管相串聯(lián)的阻塞二極管VD的影響,。VD一般采用快恢復(fù)或超快恢復(fù)二極管,，其特征是反向恢復(fù)時間(trr)很短。但是VDl在從反向截止到正向?qū)ㄟ^程中還存在著正向恢復(fù)時間(tfr),，還需留出20V的電壓余量,。
考慮上述因素之后，計算TOPSwitch一 最大漏一源極電壓的經(jīng)驗公式應(yīng)為：
TOPSwitch—XX系列單片開關(guān)電源在230V交流固定輸入時,，MOSFET的漏極上各電壓參數(shù)的電位分布如圖3所示,，占空比D≈26％。此時 u=230V±35V,，即umax=265V,，UImax=umax≈375V，UOR=135V,，UB=1．5 UOR≈200V,，UBM=1．4UB=280V，UDmax=675V,，最后再留出25V的電壓余量,，因此U(BR)DS=700V。實際上 U(BR)DS也具有正向溫度系數(shù),，當環(huán)境溫度升高時U(BR)DS也會升高,，上述設(shè)計就為芯片耐壓值提供了額外的裕量。
2)漏極鉗位保護電路的設(shè)計
漏極鉗位保護電路主要有以下4種設(shè)計方案(電路參見圖4)：
(1)利用瞬態(tài)電壓抑制器TVS(P6KE200) 和阻塞二極管(超陜恢復(fù)二極管UF4005) 組成的TVS,、VD型鉗位電路,，如(a)圖所示。圖中的Np,、NS和NB分別代表一次繞組,、二次繞組和偏置繞組。但也有的開關(guān)電源用反饋繞組NF來代替偏置繞組NB,。
(2)利用阻容吸收元件和阻塞二極管組成的R,、C、VD型鉗位電路,，如(b)圖所示,。
(3)由阻容吸收元件、TVS和阻塞二極管構(gòu)成的R,、C,、TVS、VD型鉗位電路,，如(c)圖所示,。
(4)由穩(wěn)壓管(VDZ)、阻容吸收元件和阻塞二極管(快恢復(fù)二極管FRD)構(gòu)成的VDz、R,、C,、VD型鉗位電路，如(d)圖所示,。
上述方案中以(c)的保護效果最佳,，它能充分發(fā)揮TVS響應(yīng)速度極快、可承受瞬態(tài)高能量脈沖之優(yōu)點,，并且還增加了RC吸收回路,。鑒于壓敏電阻器(VSR) 的標稱擊穿電壓值(U1nA)離散性較大，響應(yīng)速度也比TVS慢很多,，在開關(guān)電源中一般不用它構(gòu)成漏極鉗位保護電路,。
需要指出，阻塞二極管一般可采用快恢復(fù)或超快恢復(fù)二極管,。但有時也專門選擇反向恢復(fù)時間較長的玻璃鈍化整流管1N4005GP,，其目的是使漏感能量能夠得 到恢復(fù)，以提高電源效率,。玻璃鈍化整流管的反向恢復(fù)時間介于快恢復(fù)二極管與普通硅整流管之間,，但不得用普通硅整流管1N4005來代替lN4005GP。
常用鉗位二極管和阻塞二極管的選擇見附表2,。
