《電子技術(shù)應(yīng)用》
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意法半導(dǎo)體(ST)提升超高速(UHS-I)micro-SD卡槽ESD保護(hù)芯片的靈活性

ESD和 EMI二合一芯片可支持 SD 3.0數(shù)據(jù)速率和存儲(chǔ)容量,,提升移動(dòng)用戶的使用體驗(yàn)
2011-11-01
關(guān)鍵詞: micro-SD卡槽 EMI ESD

橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,,簡(jiǎn)稱ST,;紐約證券交易所代碼:STM)推出新款單片整合EMI濾波與靜電放電(ESD)防護(hù)兩種功能的芯片,,為配備SD 3.0超高速(UHS-I)micro-SD卡槽的手機(jī)、平板電腦和3G無(wú)線網(wǎng)卡帶來(lái)獨(dú)一無(wú)二的保護(hù)功能,。

根據(jù)Strategy Analytics關(guān)于內(nèi)置存儲(chǔ)卡槽的手機(jī)市場(chǎng)預(yù)測(cè)報(bào)告,,截至2013年,約5億部手機(jī)將會(huì)內(nèi)置UHS-I 兼容SD卡槽,。UHS類存儲(chǔ)卡擁有最高2 Terabyte的存儲(chǔ)容量,,其高速的存儲(chǔ)性能可提升用戶的使用體驗(yàn),如直接錄制高清視頻,、播放共享內(nèi)容或備份數(shù)據(jù),。

手指觸摸手機(jī)會(huì)產(chǎn)生靜電放電現(xiàn)象,這些靜電可能會(huì)燒毀系統(tǒng)電路,,因此卡槽內(nèi)暴露的針腳須具備靜電放電防護(hù)功能,。為確保系統(tǒng)與存儲(chǔ)卡之間的通信速度不受影響,設(shè)計(jì)人員必須根據(jù)特定接口的要求優(yōu)化EMI濾波器與ESD保護(hù)芯片,。意法半導(dǎo)體的新款芯片EMIF06-MSD03F3可保護(hù)數(shù)據(jù)速率高達(dá)104MB/秒的UHS-I micro-SD存儲(chǔ)卡接口,。

EMIF06-MSD03F3采用同類產(chǎn)品中最先進(jìn)的微型封裝技術(shù),相較于競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品,EMIF06-MSD03F3可支持電信號(hào)或機(jī)械式卡插入識(shí)別,,這個(gè)特性讓設(shè)計(jì)人員能夠自由選用最適合應(yīng)用設(shè)計(jì)和主機(jī)系統(tǒng)的卡識(shí)別方法,。新產(chǎn)品還集成了上拉電阻器,當(dāng)無(wú)卡插入時(shí)確保系統(tǒng)特性正常,;此外還集成了可濾除GSM干擾信號(hào)的EMI濾波器,。

EMIF06-MSD03F3的主要特性

·         ±15kV ESD保護(hù)電路(IEC 61000-4-2)

·         保護(hù)SD卡的全部數(shù)據(jù)線和電源線

·         7pF最大負(fù)載電容

·         16焊球0.4mm間距片級(jí)封裝(WLCSP)

·         1.54 x 1.54mm微型外廊

·         意法半導(dǎo)體獨(dú)有的IPAD™ 無(wú)源有源器件整合技術(shù)

 EMIF06-MSD03F3采用0.4mm間距WLCSP封裝。

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