日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆株式會(huì)社（總部：日本京都市）日前面向EV/HEV車（電動(dòng)汽車/混合動(dòng)力車）和工業(yè)設(shè)備的變頻驅(qū)動(dòng),，開(kāi)發(fā)出符合SiC器件溫度特性的可在高溫條件下工作的SiC功率模塊,。該模塊采用新開(kāi)發(fā)的高耐熱樹(shù)脂，世界首家實(shí)現(xiàn)了壓鑄模類型,、225℃高溫下工作,，并可與現(xiàn)在使用Si器件的模塊同樣實(shí)現(xiàn)小型和低成本封裝，在SiC模塊的普及上邁出了巨大的一步,。這種模塊是600V/100A三相變頻,，搭載了羅姆的6個(gè)SiC-SBD和6個(gè)SiC溝槽MOSFET，經(jīng)驗(yàn)證工作溫度可高達(dá)225℃,。此外,，該模塊使用范圍可達(dá)1200V級(jí)。因此,，與傳統(tǒng)的Si-IGBT模塊相比,，其損耗大大降低，不僅可實(shí)現(xiàn)小型化,，而且與以往的母模類型SiC模塊相比,，還可大幅降低成本。本產(chǎn)品預(yù)計(jì)于3～4年后達(dá)到實(shí)際應(yīng)用階段,。在此基礎(chǔ)上,，針對(duì)搭載了門極驅(qū)動(dòng)器IC的IPM，羅姆還計(jì)劃使用本技術(shù),，開(kāi)發(fā)搭載SiC的壓鑄模類型DIP型,、可高溫條件下工作的、使用范圍達(dá)600V/50A的IPM,。
　　
　　近年來(lái),，在迅速發(fā)展的EV/HEV車等所代表的電力電子技術(shù)領(lǐng)域，要求提供更高功率化,、更高效化,、更高溫工作的元器件，因此,，各公司在進(jìn)行SiC器件開(kāi)發(fā)的同時(shí),，都在開(kāi)發(fā)可在高溫下高效工作的SiC模塊。羅姆于2010年10月世界首次實(shí)現(xiàn)將搭載了SiC溝槽MOSFET的模塊(600V/450A)和搭載了SiC-SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）的二極管模塊(600V/450A)內(nèi)置于電機(jī)并成功驅(qū)動(dòng),。關(guān)于模塊,，由于傳統(tǒng)的壓鑄模類型無(wú)法耐受200℃以上的高溫，因此長(zhǎng)期使用的是耐熱特性達(dá)250℃材料的母模類型。羅姆一直不懈地推進(jìn)與母模類型相比有利于小型化,、低成本化,、量產(chǎn)化的壓鑄模類型的開(kāi)發(fā)。但是,，能在200℃以上溫度環(huán)境下使用的封裝樹(shù)脂多為硬質(zhì)材料,，存在高溫環(huán)境下容易開(kāi)裂等課題，超過(guò)200℃的高耐熱壓鑄模類型的開(kāi)發(fā)曾一度陷入困境,。此次,，羅姆通過(guò)樹(shù)脂的物理特性與模塊結(jié)構(gòu)的優(yōu)化設(shè)計(jì)，做到了225℃的耐熱性和小型化,，在世界上最先實(shí)現(xiàn)了壓鑄模類型,、在225℃高溫下的高功率工作。羅姆將SiC器件本身的特點(diǎn)與此次的新封裝類型相結(jié)合,，與具有相同功能的傳統(tǒng)Si-IGBT模塊相比,，體積更小，僅為1/50,，電氣特性方面也實(shí)現(xiàn)了“全SiC”（溝槽式MOS和SBD）化,，因此，開(kāi)關(guān)時(shí)間減少了一半,，成功的大幅度的提高了速度,。
　　
　　羅姆今后還將繼續(xù)致力于面向汽車相關(guān)市場(chǎng)、其他市場(chǎng)的SiC器件及SiC模塊的開(kāi)發(fā),。
　
＜主要特點(diǎn)＞
　?。保?25℃高溫工作
　　２）6 in 1封裝,，適用600V/100A級(jí)的變頻驅(qū)動(dòng)　　　　　　　
　?。常┮詨鸿T模類型實(shí)現(xiàn)了小型化
　　４）通過(guò)“全SiC”（溝槽式MOS和SBD）化,，實(shí)現(xiàn)了高速化,、高效化
　
＜主要規(guī)格＞

＜模塊的靜態(tài)特性＞

＜模塊的開(kāi)關(guān)波形＞
（測(cè)量條件：　Ids=100A,、Vds=300V、負(fù)載：L=200uH,、Rg=3.2Ω,、Rgs=15kΩ）

＜?jí)鸿T模類型SiC功率模塊＞

＜術(shù)語(yǔ)解說(shuō)＞
?壓鑄模類型　
將綁定好的框架置于模具內(nèi)，注入熱固性樹(shù)脂成型的封裝類型,。
　
?母模類型
將成型品組裝起來(lái)的封裝類型,。