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詳解:LED結溫及其降低方法
摘要: LED的基本結構是一個半導體的P—N結,。實驗指出,,當電流流過LED元件時,,P—N結的溫度將上升,,嚴格意義上說,,就把P—N結區(qū)的溫度定義為LED的結溫,。
Abstract:
Key words :

   1,、什么是LED的結溫?

  LED的基本結構是一個半導體的P—N結,。實驗指出,,當電流流過LED元件時,,P—N結的溫度將上升,,嚴格意義上說,就把P—N結區(qū)的溫度定義為LED的結溫,。通常由于元件芯片均具有很小的尺寸,,因此我們也可把LED芯片的溫度視之為結溫。

  2,、產生LED結溫的原因有哪些?

  在LED工作時,,可存在以下五種情況促使結溫不同程度的上升:

  A、元件不良的電極結構,,視窗層襯底或結區(qū)的材料以及導電銀膠等均存在一定的電阻值,,這些電阻相互壘加,構成LED元件的串聯(lián)電阻,。當電流流過P—N結時,,同時也會流過這些電阻,從而產生焦耳熱,,引致芯片溫度或結溫的升高,。

  B、由于P—N結不可能極端完美,,元件的注人效率不會達到100%,,也即是說,在LED工作時除P區(qū)向N區(qū)注入電荷(空穴)外,,N區(qū)也會向P區(qū)注人電荷 (電子),,一般情況下,后一類的電荷注人不會產生光電效應,,而以發(fā)熱的形式消耗掉了,。即使有用的那部分注入電荷,也不會全部變成光,,有一部分與結區(qū)的雜質或缺陷相結合,,最終也會變成熱。

  C,、實踐證明,,出光效率的限制是導致LED結溫升高的主要原因。目前,,先進的材料生長與元件制造工藝已能使LED極大多數輸入電能轉換成光輻射能,,然而由于LED芯片材料與周圍介質相比,具有大得多的折射系數,,致使芯片內部產生的極大部分光子(>90%)無法順利地溢出介面,,而在芯片與介質介面產生全反射,返回芯片內部并通過多次內部反射最終被芯片材料或襯底吸收,并以晶格振動的形式變成熱,,促使結溫升高,。

  D、顯然,,LED元件的熱散失能力是決定結溫高低的又一個關鍵條件,。散熱能力強時,結溫下降,,反之,,散熱能力差時結溫將上升。由于環(huán)氧膠是低熱導材料,,因此P—N結處產生的熱量很難通過透明環(huán)氧向上散發(fā)到環(huán)境中去,大部分熱量通過襯底,、銀漿,、管殼、環(huán)氧粘接層,, PCB與熱沉向下發(fā)散,。顯然,相關材料的導熱能力將直接影響元件的熱散失效率,。一個普通型的LED,,從P—N結區(qū)到環(huán)境溫度的總熱阻在300到 600℃/w之間,對于一個具有良好結構的功率型LED元件,,其總熱阻約為15到30℃ /W,。巨大的熱阻差異表明普通型LED元件只能在很小的輸入功率條件下,才能正常地工作,,而功率型元件的耗散功率可大到瓦級甚至更高,。

  3、降低LED結溫的途徑有哪些?

  A,、減少LED本身的熱阻;

  B,、良好的二次散熱機構;

  C、減少LED與二次散熱機構安裝介面之間的熱阻;

  D,、控制額定輸入功率;

  E,、降低環(huán)境溫度

  LED的輸入功率是元件熱效應的唯一來源,能量的一部分變成了輻射光能,,其余部分最終均變成了熱,,從而抬升了元件的溫度。顯然,,減小LED溫升效應的主要方法,,一是設法提高元件的電光轉換效率(又稱外量子效率),使盡可能多的輸入功率轉變成光能,另一個重要的途徑是設法提高元件的熱散失能力,,使結溫產生的熱,,通過各種途徑散發(fā)到周圍環(huán)境中去。

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