1,、單個led的流明效率與用LED作光源構成的燈具的流明效率異同
針對某一個特定的LED,加上規(guī)定的正向偏置,,例如加上IF=20mA正向電流后(對應的VF≈3.4V),,測得的輻射光通量Φ=1.2lm,則這個LED的流明效率為:
η=1.2lm×1000/3.4V×20mA=1200/68≈17.6lm/W
顯然,,對于單個LED,,如施加的電功率Pe=VF×IF,那么在這個功率下測得的輻射光通量折算為每瓦的流明值即為單個LED的流明效率,。
但是,,作為一個燈具,不論LED PN結上實際加上的功率VF×IF是多少,,燈具的電功率總是燈具輸入端口送入的電功率,,它包括了電源部分(如穩(wěn)壓器、穩(wěn)流源,、交流整流成直流電源部分等)所消耗的功率,。燈具中,驅(qū)動電路的存在使它的流明效率比測試單個LED的流明效率要下降,。電路損耗越大,,流明效率越低,因此,,尋找一種高效率的LED驅(qū)動電路就顯得極為重要,。
2、藍光LED涂上特殊熒光粉構成白光LED后輻射光通量會比高出十幾倍
從前面我們已經(jīng)知道白光LED是用什么方法制造出來的,,其中一種方法是在發(fā)藍光的LED芯片上涂上一層YAG熒光粉,,部分藍光光子激發(fā)YAG熒光粉,形成光?光轉換,,熒光粉被激發(fā)產(chǎn)生黃光光子,,藍色光與黃色光混合變成白色光,成為白光LED,。這種通過光?光轉換后不同波長的光的混合,,會使它的波譜變寬,白光LED一般具有比LED藍光波譜寬得多的波譜,。對于用藍光芯片加YAG熒光粉制成的白光LED,,與單色LED相比,人眼對它的視覺函數(shù)應當是各種波長成分視覺函數(shù)的積分平均值,,此值可以通過計算得到約為296lm,,即這種白光LED,,當發(fā)射出光功率1W的白光時,其輻射光通量約為296lm,,這個數(shù)值比發(fā)射光功率1W的藍色LED的輻射光通量41增大了7.2倍,。
3、LED的結溫如何產(chǎn)生
LED的基本結構是一個半導體的PN 結,。實驗指出,,當電流流過LED器件時,PN結的溫度將上升,,嚴格意義上說,,就把PN結區(qū)的溫度定義為LED的結溫。通常由于器件芯片均具有很小的尺寸,,因此我們也可把LED芯片的溫度視之為結溫,。
窗口層襯底或結區(qū)的材料以及導電的銀膠等均存在一定的電阻值,這些電阻值相互壘加,,構成LED的串聯(lián)電阻,。當電流流過PN結時,同時也會流過這些電阻,,從而也會產(chǎn)生焦爾熱,引起芯片溫度或結溫升高,;由于LED芯片材料于周圍介相比,,具有大得多的折射系數(shù),致使芯片內(nèi)部產(chǎn)生的大部分光無法順利地溢出界面,,而在芯片與介質(zhì)界面產(chǎn)生全反射,,返回芯片內(nèi)部并通過多次內(nèi)部反射最終被芯片材料或襯底吸收,并以晶格振動的形式變成熱,,促使結溫升高,。
4、LED PN結上溫度升高會引起它的光電參數(shù)退化
PN結作為雜質(zhì)半導體在其工作過程中,,同樣存在雜質(zhì)電離,、本征激發(fā)、雜質(zhì)散射和晶格散射等問題,,從而使復合栽流子轉換成光子的數(shù)量和效能發(fā)生變化,。當PN結的溫度(例如環(huán)境溫度)升高時,PN結內(nèi)部雜質(zhì)電離加快,,本征激發(fā)加速,。當本征激發(fā)產(chǎn)生的復合載流子的濃度遠遠超過雜質(zhì)濃度時,本征載流子的數(shù)量增大的影響較之遷移率減小的半導體電阻率變化的影響更為嚴重,,導致內(nèi)量子效率下降,,溫度升高又導致電阻率下降,,使同樣IF下,VF降低,。如果不用恒流源驅(qū)動LED,,則VF降將促使IF指數(shù)式增加,這個過程將使LED PN 結上溫升更加快,,最終溫升超過最大結溫,,導致LED PN結失效,這是一個正反饋的惡性過程,。
PN結上溫度升高,,使半導體PN結中處于激發(fā)態(tài)的電子?空穴復合時從高能級向低能級躍遷時發(fā)射出光子的過程發(fā)生退化。這是由于PN結上溫度升高時,,半導體晶格的振幅增大,,使振動的能量也發(fā)生增加,當它超過一定值時,,電子?空穴從激發(fā)態(tài)躍遷到基態(tài)時回與晶格原子(或離子)交換能量,,于是成為無光子輻射的躍遷,LED的光學性能退化,。
另外,,PN結上溫度升高還會引起雜質(zhì)半導體中電離雜質(zhì)離子所形成的晶格場使離子能級裂變,能級分裂受PN結溫度影響,,這就意味著由于溫度影響晶格振動,,使其晶格場的對稱性發(fā)生變化,從而引起能級分裂,,導致電子躍遷時產(chǎn)生的光譜發(fā)生變化,,這就是LED發(fā)光波長隨PN 結溫升而變化的原因。
綜合上述,,LEN PN結上溫升會引起它的電學,、光學和熱學性能的變化,過高的溫升還會引起LED封裝材料(例如環(huán)氧,、熒光粉等)物理性能的變化,,嚴重時導致LED失效,所以降低PN結溫升,,是應用LED的重要關鍵所在,。
5、提高光效可降低結溫
通常將單位輸入電功率所產(chǎn)生的光能稱之為光電轉換效率簡稱光效,。根據(jù)能量守恒定律,,LED的輸入功率最終將通過光與熱兩種形式釋放出來,光效越高放出的熱量越少,,LED芯片的溫升就越小,,這就是提高光效可降低結溫的基本原理,。
6、如何實現(xiàn)LED的調(diào)光,、調(diào)色
由于LED的發(fā)光強度IV(或光輻射通量)與它的工作電流IF在一定電流范圍內(nèi)呈縣性關系,,即隨著電流IF增大,IV也隨之增大,,因此,,改變LED的IF,就可以改變它的發(fā)光強度,,實現(xiàn)調(diào)光,。
由色度學原理可以知道,如果將紅,、綠,、藍三原色作混合,在適當?shù)娜炼缺鹊慕M合下,,理論上可以獲得無數(shù)種色彩,,這就可以用三種發(fā)光波長的LED,只要具有例如:470nm(藍色),、525 nm(綠色)和620 nm(紅色)的三種波長的LED通過點亮和IF控制,,就可以實現(xiàn)色彩的調(diào)控,即調(diào)色,。
7,、哪些類型的LED容易受靜電破壞導致失效
靜電實際是由電荷累積構成。人們在日常生活中,,特別是在干燥天氣環(huán)境中,當用手去觸摸門窗類物品時會感覺“觸電”,,這就是門窗類物品靜電積累到一定程度時對人體的“放電”,。對于羊毛織品、尼龍化纖物品,,靜電積累的電壓可高達一萬多伏特,,電壓十分高,但靜電功率不大,,不會威脅生命,,然而對于某些電子器件卻可以致命,造成器件失效,。
LED中用GN基構成的器件,,由于是寬禁帶半導體材料,它的電阻率較高,,對于InGaN/AlGaN/GaN的雙異質(zhì)結藍色光LED,,其InGaN的有源層的厚度一般只有幾十納米,,再由于這種LED的兩個正、負電極在芯片同一面上,,之間距離很小,,若兩端的靜電電荷累積到一定值時,這一靜電電壓會將PN擊穿,,使其漏電增大,,嚴重時PN結擊穿短路,LED失效,。
正因為存在靜電威脅,,對于上述結構的LED芯片和器件在加工過程中對加工廠地、機器,、工具,、儀器,包括員工服裝均要采取防靜電措施,,確保不損傷LED,。另外,在芯片和器件的包裝上也要采用防靜電材料,。<