Diodes公司推出微型12V P通道強化型MOSFET——DMP1245UFCL，有助提升電池效率及減少電路板空間,，并滿足空間局限的便攜式產(chǎn)品設(shè)計要求,，如智能手機及平板計算機等。
　　
　　這款新MOSFET采用超精密及高熱效率的DFN1616封裝，并具有極低的導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 特性，能將傳導(dǎo)損耗降至最低水平,，從而延長電池壽命,。例如在VGS為4.5V的條件下,，該MOSFET的導(dǎo)通電阻僅為29mΩ，這比其最接近的競爭對手產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻性能還要優(yōu)越15%,，有利于電源中斷及一般負載開關(guān)的應(yīng)用,。
　
　　DFN1616的標(biāo)準(zhǔn)離板剖面為0.5毫米，比其對手的產(chǎn)品薄20%,，并只占2.56平方毫米的印刷電路板面積 (PCB),，比競爭對手同類型2毫米乘2毫米的較大封裝節(jié)省55%的空間。
　
　　同時,，DMP1245UFCL為用戶提供防靜電放電 (ESD) 的增強保護,。該MOSFET的額定閘極保護為3kV，比同類產(chǎn)品高出50%,，因此對人為產(chǎn)生的靜電放電所造成的影響有很強的抵御作用,。
　
　　有關(guān)產(chǎn)品的進一步信息，可瀏覽www.diodes.com,。