Diodes公司推出微型12V P通道強(qiáng)化型MOSFET——DMP1245UFCL,，有助提升電池效率及減少電路板空間,，并滿足空間局限的便攜式產(chǎn)品設(shè)計(jì)要求,，如智能手機(jī)及平板計(jì)算機(jī)等,。
　　
　　這款新MOSFET采用超精密及高熱效率的DFN1616封裝,，并具有極低的導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 特性,，能將傳導(dǎo)損耗降至最低水平,，從而延長(zhǎng)電池壽命,。例如在VGS為4.5V的條件下,，該MOSFET的導(dǎo)通電阻僅為29mΩ,，這比其最接近的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻性能還要優(yōu)越15%，有利于電源中斷及一般負(fù)載開(kāi)關(guān)的應(yīng)用。
　
　　DFN1616的標(biāo)準(zhǔn)離板剖面為0.5毫米,，比其對(duì)手的產(chǎn)品薄20%,，并只占2.56平方毫米的印刷電路板面積 (PCB)，比競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手同類型2毫米乘2毫米的較大封裝節(jié)省55%的空間,。
　
　　同時(shí),，DMP1245UFCL為用戶提供防靜電放電 (ESD) 的增強(qiáng)保護(hù)。該MOSFET的額定閘極保護(hù)為3kV,，比同類產(chǎn)品高出50%,，因此對(duì)人為產(chǎn)生的靜電放電所造成的影響有很強(qiáng)的抵御作用。
　
　　有關(guān)產(chǎn)品的進(jìn)一步信息,，可瀏覽www.diodes.com,。