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Vishay Siliconix推出業(yè)內(nèi)最低導通電阻的TrenchFET®功率MOSFET

器件采用芯片級MICRO FOOT® 1mm x1mm和1.6mmx 1.6mm封裝,,在4.5V下的導通電阻低至20mΩ
2013-01-14
關鍵詞: TrenchFET 功率MOSFET

   日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,,推出新款8V和20V N溝道和P溝道TrenchFET®功率MOSFET---Si8424CDB,、Si8425DB,。這些MOSFET具有業(yè)內(nèi)最低的導通電阻,采用1mm x 1mm x 0.55mm和1.6mm x 1.6mm x 0.6mm的CSP MICRO FOOT®封裝,。

    在智能手機,、平板電腦和移動計算設備等便攜式電子產(chǎn)品的電源管理應用中,今天推出的器件將用于電池和負載切換,。MOSFET的小尺寸可節(jié)約PCB空間,,實現(xiàn)超薄的外形,讓便攜式電子產(chǎn)品變得更薄,、更輕,,而且器件的低導通電阻能夠?qū)崿F(xiàn)更低的傳導損耗,從而降低能耗,,延長兩次充電間的電池壽命,。器件的低導通電阻還意味著在負載開關上的壓降更低,防止出現(xiàn)討厭的欠壓鎖定現(xiàn)象,。

    對于導通電阻比空間更重要的應用場合,,8V N溝道Si8424CDB和20V P溝道Si8425DB在4.5V柵極驅(qū)動下的最大導通電阻分別為20mΩ和23mΩ。器件采用1.6mm x 1.6mm x 0.6mm CSP封裝,。更小的1mm x 1mm x 0.55mm的Si8466EDB 8V N溝道MOSFET在4.5V下的最大導通電阻為43mΩ,,將用于空間比導通電阻更重要的應用場合。Si8466EDB的典型ESD保護達到3000V,。

    Si8466EDB和Si8424CDB可在1.2V電壓下導通,,可與手持設備中常見的更低電壓的柵極驅(qū)動和更低的總線電壓配合工作,省掉電平轉(zhuǎn)換電路的空間和成本,。今天推出的所有器件都符合RoHS指令2011/65/EU,,符合JEDEC JS709A的無鹵素規(guī)定。

   Si8466EDB,、Si8424CDB和Si8425DB是MICRO FOOT家族的最新成員,,詳見http://www.vishay.com/mosfets/micro-foot-package/

器件規(guī)格表:

型號

Si8466EDB

Si8424CDB

Si8425DB

極性

N

N

P

VDS (V)

8

8

- 20

RDS(ON) (mΩ) max. @

4.5 V

43

20

23

2.5 V

46

21

27

1.8 V

-

23

40

1.5 V

60

28

-

1.2 V

90

45

-

外形尺寸(mm x mm)

1 x 1

1.6 x 1.6

1.6 x 1.6

高度(mm)

0.55

0.6

0.6

 

新款TrenchFET功率MOSFET現(xiàn)可提供樣品,,并已實現(xiàn)量產(chǎn),,大宗訂貨的供貨周期為十二周到十四周。

VISHAY簡介

Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市(VSH)的“財富1,000 強企業(yè)”,是全球分立半導體(二極管,、MOSFET和紅外光電器件)和無源電子元件(電阻器,、電感器、電容器)的最大制造商之一,。這些元器件可用于工業(yè),、計算、汽車,、消費,、電信、軍事,、航空航天,、電源及醫(yī)療市場中幾乎所有類型的電子設備和裝備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新,、成功的收購戰(zhàn)略,,以及“一站式”服務使Vishay成為了全球業(yè)界領先者。有關Vishay的詳細信息,,敬請瀏覽網(wǎng)站www.vishay.com,。

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