日前,，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布,，發(fā)布占位面積為1.6mmx1.6mm、高度小于0.8mm的新款8V P溝道TrenchFET®功率MOSFET---SiB437EDKT,。此外,，SiB437EDKT是唯一能在1.2V下導(dǎo)通的此類器件,。
　
　　新款SiB437EDKT可用做智能手機、MP3播放器,、便攜式多媒體播放器,、數(shù)碼相機、電子書和平板電腦等手持設(shè)備中的負載開關(guān),。器件的熱增強Thin PowerPAK® SC-75封裝占位面積小,，超薄的高度只有0.65mm，能夠?qū)崿F(xiàn)更小,、更薄的終端產(chǎn)品,，而低導(dǎo)通電阻意味著更低的傳導(dǎo)損耗,，節(jié)約能源，并在這些設(shè)備中最大化電池的運行時間,。
　
　　MOSFET可在1.5V和1.2V電壓下導(dǎo)通,，能夠搭配手持設(shè)備中常見的更低電壓的柵極驅(qū)動和更低的總線電壓，從而省去了電平轉(zhuǎn)換電路的空間和成本,。在手持設(shè)備中電池電量較低,，并且要求消耗盡可能少的能量時，這種MOSFET尤其有用,。
　
　　SiB437EDKT在4.5V,、1.8V、1.5V和1.2V下具有34mΩ,、63mΩ,、84mΩ和180mΩ的超低導(dǎo)通電阻。同樣采用1.6mmx1.6mm占位,、高度小于0.8mm的最接近的P溝道器件在4.5V,、1.8V和1.5V下的導(dǎo)通電阻為37mΩ、65mΩ和100mΩ,，這些數(shù)值分別比SiB437EDKT高8%,、5%和16%。
　
　　SiB437EDKT經(jīng)過了100%的Rg測試,，符合IEC 61249-2-21的無鹵素規(guī)定,，符合RoHS指令2002/95/EC。MOSFET的典型ESD保護為2000V,。
　
　　新款SiB437EDKT TrenchFET功率MOSFET現(xiàn)可提供樣品,，并已實現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十二周到十四周,。