Diodes Incorporated 推出一系列采用薄型DFN2020-6封裝的高效率N通道及P通道MOSFET,。DFN2020H4封裝的DMP2039UFDE4，離板高度只有0.4毫米,，占板面積只有四平方毫米,，是一款額定電壓為-25V的P通道器件，體積較同類器件纖薄50%,。同系列另一采用DFN2020E封裝的MOSFET則具有0.5毫米離板高度,，較其他一般離板高度為0.6毫米的MOSFET纖薄20%。

    DMP2039UFDE4針對負(fù)載開關(guān)應(yīng)用,，為電路設(shè)計(jì)人員提供3kV的電路保護(hù),，以免受人體本身的靜電放電所影響。這些最新推出的MOSFET擁有低典型RDS(on)的特性,，例如  -12V P通道的DMP1022UFDE,，在4.5V的VGS下只有13mΩ，使電池充電應(yīng)用的傳導(dǎo)損耗減至最少,。

    20V N通道的DMN2013UFDE在直流/直流降壓及升壓轉(zhuǎn)換器內(nèi),，成為理想的負(fù)載開關(guān)或高速開關(guān)，并提供2kV的高靜電放電保護(hù),。DMN6040UFDE將會是首批采用DFN2020封裝的高電壓MOSFET之一,，在60V的VDS下運(yùn)行，并適合應(yīng)用于系統(tǒng)微型化設(shè)計(jì)行業(yè)(Small form-factor industrial)及供熱通風(fēng)與空氣調(diào)節(jié)系統(tǒng)(HVAC) 控制,。

    新產(chǎn)品特別適合應(yīng)用于極纖巧的便攜式產(chǎn)品設(shè)計(jì),，例如智能手機(jī)、平板電腦及數(shù)碼相機(jī),。首批MOSFET系列九款產(chǎn)品包括-12V,、-20V、-25V,、-40V的P通道MOSFET及12V,、20V及60V的N通道MOSFET器件。

    如欲了解進(jìn)一步產(chǎn)品信息,，請瀏覽www.diodes.com,。