《電子技術(shù)應(yīng)用》
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高精度SC PIPELINED ADC預(yù)放大鎖存比較器的分析與設(shè)計(jì)
來源:電子技術(shù)應(yīng)用2012年第4期
李 揚(yáng)1,,吳金榮1,,劉 磊1等
1.廈門大學(xué) 電子工程系,,福建 廈門361005,; 2.福建省集成電路設(shè)計(jì)工程技術(shù)研究中心,福建 廈門361005
摘要: 提出了一種應(yīng)用于開關(guān)電容流水線模數(shù)轉(zhuǎn)換器的CMOS預(yù)放大鎖存比較器,。比較器采用了交叉耦合負(fù)載,、PMOS/NMOS比例優(yōu)化和電容中和技術(shù),。該結(jié)構(gòu)大幅提高了比較器的速度并有效抑制了回饋噪聲,,減小了失調(diào)電壓,可以作為Flash ADC應(yīng)用于高精度開關(guān)電容流水線ADC,。
中圖分類號(hào): TN432
文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼: A
文章編號(hào): 0258-7998(2012)04-0049-04
Analysis and design of preamplifier-latch comparator for high accuracy switched-capacitor pipelined ADC
Li Yang1,,Wu Jinrong1,Liu Lei1,,Lin Chun1,,Li Xiaochao1,2,,Guo Donghui1,,2
1.Department of Electronic Engineering, Xiamen University, Xiamen 361005,China,; 2.Fujian IC R&D Engineering Center, Xiamen 361005,,China
Abstract: To be compatible with switched capacitor pipelined ADC, a CMOS preamplifier-latch comparator is designed and well analyzed for high speed, low kick-back noise and low mismatch offset. The cross-coupled load, capacitor neutralization and the optimizing ratio of PMOS/NMOS are adopted in the comparator. Since the proposed architecture is effective for achieving,the comparator has been used in high accuracy switched-capacitor pipelined ADC as Flash ADC,。
Key words : preamplifier-latch comparator,;switched-capacitor pipeline ADC

    流水線型A/D轉(zhuǎn)換器因其在功耗、精度上的優(yōu)勢而廣泛應(yīng)用于視頻處理,、數(shù)字通信,、數(shù)據(jù)采集、超聲和醫(yī)學(xué)成像等應(yīng)用領(lǐng)域,。比較器作為A/D轉(zhuǎn)換器中的關(guān)鍵模塊,,已經(jīng)成為決定A/D轉(zhuǎn)換器各項(xiàng)關(guān)鍵指標(biāo)的重要因素之一。預(yù)放大鎖存比較器因?yàn)槠渚?、速度上的折中,,以及較低的失調(diào)電壓與回饋噪聲,成為高精度子ADC中必不可少的一部分,。

    目前多數(shù)40 MHz~50 MHz CMOS預(yù)放大鎖存比較器都是采用0.18 μm或0.35 μm的工藝進(jìn)行設(shè)計(jì),。采用0.18 μm工藝設(shè)計(jì)的預(yù)放大鎖存比較器,其時(shí)延比較短,輸入失調(diào)電壓約在10 mV~30 mV之間,,靈敏度在0.2 mV~0.3 mV,,分辨率為6 bit~8 bit[1]。采用0.35 μm/3.3 V或2.5 V硅CMOS工藝設(shè)計(jì)的比較器,,時(shí)延一般在230 ps~390 ps之間,,失調(diào)電壓6.8 mV,回饋噪聲的毛刺峰值為6.35 mV[2-3],。為了平衡這些參數(shù)值之間的優(yōu)劣,,許多研究在預(yù)放大器輸入、增益和輸出等電路結(jié)構(gòu)以及回饋噪聲的隔離上進(jìn)行了設(shè)計(jì)[2],。如采用交叉耦合負(fù)載,、多級(jí)預(yù)放大的方式來提升預(yù)放大器的增益[3],則可減少失調(diào),,從而獲得較好的精度,。應(yīng)用電容中和、電路隔離等方式來降低回饋噪聲[3],。本文對(duì)所設(shè)計(jì)的預(yù)放大鎖存比較器延遲時(shí)間進(jìn)行了詳細(xì)的理論建模和分析,,在此基礎(chǔ)上著重對(duì)鎖存器的延遲時(shí)間、失調(diào)電壓和回饋噪聲進(jìn)行了優(yōu)化設(shè)計(jì),。
1 電路時(shí)序及原理
    根據(jù)所應(yīng)用的流水線工作原理可知,,奇數(shù)級(jí)中的比較器必須在偶數(shù)級(jí)進(jìn)入保持階段前輸出比較結(jié)果,以便控制偶數(shù)級(jí)產(chǎn)生保持所需要的電壓余量,,整個(gè)電路在兩相不交疊時(shí)鐘控制下工作,。本文設(shè)計(jì)的流水線采樣頻率為50 MHz,時(shí)鐘周期為20 ns,,其中φ1,、φ2為開關(guān)電容電路的非交疊時(shí)鐘,為了減少電荷注入效應(yīng)(饋通效應(yīng)),,同時(shí)需要φ1a,、φ2a作為提前關(guān)斷時(shí)鐘。當(dāng)φ1為高電平時(shí),,偶數(shù)級(jí)MDAC進(jìn)入保持階段,,因此比較器必須在φ2a下降沿與φ1上升沿的時(shí)間內(nèi)完成比較并輸出比較結(jié)果。本文中的非重疊時(shí)鐘,,其中φ1,、φ2的非重疊時(shí)間及φ2a的下降沿提前時(shí)間均為0.3 ns,故比較器最大延遲時(shí)間為0.6 ns,。
    圖1為所設(shè)計(jì)預(yù)放大鎖存比較器的開關(guān)電容輸入電路,,當(dāng)φ1為高電平時(shí),,開關(guān)管S2、S3導(dǎo)通,,固定判決電平Vrefp,、Vrefn輸入開關(guān)電容電路,進(jìn)行電荷存儲(chǔ),,其中Vcm為共模電平,。當(dāng)φ2為高電平時(shí),開關(guān)管S1,、S4導(dǎo)通,,Vinp、Vinn輸入開關(guān)電容電路,,產(chǎn)生預(yù)放大鎖存比較器所需差值輸入電壓,。根據(jù)電荷守恒定律可得,預(yù)放大鎖存比較器的輸入電壓為:
   


 

3 仿真結(jié)果及分析

    本文采用TSMC 0.35 μm/3.3 V工藝設(shè)計(jì)了預(yù)放大鎖存比較器核心電路,。在Cadence環(huán)境下采用spectre對(duì)其進(jìn)行仿真,,時(shí)鐘頻率為50 MHz,,電源電壓為3.3 V,,共模電壓為1.65 V。
    圖5(a),、(b)是M12~M15兩個(gè)交叉耦合反相器PMOS,、NMOS管寬度比值k不同時(shí),預(yù)放大器鎖存比較器鎖存延遲時(shí)間仿真結(jié)果,。其中,,Vo1為點(diǎn)線,Vo2為虛線,,φ2a為實(shí)線,。從圖中可以看出,當(dāng)k=1時(shí),,鎖存器的延遲時(shí)間tp=370.4 ps,;當(dāng)k=3時(shí),鎖存器的延遲時(shí)間tp=452.8 ps,,二者相比,,前者明顯減小了18%左右。最終整體仿真結(jié)果表明比較器的總延遲時(shí)間約為388tp ps,。

 

 

    圖6(a),、(b)中實(shí)線與虛線分別給出了加入中和電容前、后預(yù)放大鎖存比較器回饋噪聲仿真結(jié)果,,其中(a)為輸入最大差分電壓1.25 V時(shí)的仿真結(jié)果,,(b)為輸入差分電壓30 mV時(shí)的仿真結(jié)果,。從圖中可以看出,加入中和電容前,,(a)中回饋噪聲峰峰值約為23 mV(-14 mV~9 mV),,(b)中回饋噪聲峰峰值約為13.8 mV(-7.5 mV~6.3 mV);加入中和電容后,,(a)中回饋噪聲峰峰值約為8.5 mV(-4.3 mV~4.2 mV),,(b)中回饋噪聲峰峰值約為0.14 mV(-0.06 mV~0.08 mV),可見回饋噪聲得到了有效的抑制,。

      本文經(jīng)過100次Monte Carlo模擬仿真后,,通過Matlab對(duì)比較器失調(diào)電壓分布進(jìn)行了仿真。仿真結(jié)果表明,,比較器失調(diào)電壓的均值為4.92 mV,,標(biāo)準(zhǔn)差為4.01 mV,分布在-14 mV~15 mV之間,;比較器的輸入范圍為-1 V~1 V,,其分辨率達(dá)到了6位。本文所設(shè)計(jì)的預(yù)放大鎖存比較器滿足各項(xiàng)設(shè)計(jì)指標(biāo),,適用于采樣速率為50 MS/s的高精度開關(guān)電容流水線ADC,。
參考文獻(xiàn)
[1] 吳笑峰,劉紅俠,,石立春,,等.用于流水線ADC的預(yù)運(yùn)放鎖存比較器的分析與設(shè)計(jì)[J].湖南大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版),2008,,35(11):49-53.
[2] 寧寧,,于奇.高速CMOS預(yù)放大-鎖存比較器設(shè)計(jì)[J].微電子學(xué),2005,35(1):56-58.
[3] 楊赟秀,,羅靜芳,,寧寧.新型高速低功耗CMOS預(yù)放大鎖存比較器[J].微電子學(xué),2006,,36(2):213-216.
[4] FIGUEIREDO P M,,VITAL J C.Low kickback noise techniques for CMOS latched comparators, Int SympCirc and Syst[C].Vancouver,Canada.2004.
[5] FLANNAGAN S T.Synchronization reliability in CMOS technology[J].IEEE Journal of Solid-State Circuits,,1985,,20(4):880-882.
[6] ALLEN P E,HOLBERG D R.CMOS analog circuit design[M].2nd Ed.北京:電子工業(yè)出版社,,2003:386-396.
[7] KHOSROV D S.A new offset cancelled latch comparator for  high-speed, low-power ADCs[M].IEEE,,2010:13-16.
[8] WESTE N,HARRIS D.CMOS VLSI design-a circuits and systems perspective[M].3rd ed.,,Ch2.3.1,,Addison-Wesley,,2005.

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