致力于能源,、安全,、可靠性與高性能領(lǐng)域,，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號：MSCC)宣布其新一代1200V非穿通型(non-punch through,，NPT)系列的三款IGBT新產(chǎn)品面世：APT85GR120B2、APT85GR120L和APT85GR120J,。該產(chǎn)品系列的所有器件均基于美高森美的先進(jìn)Power MOS 8™ 技術(shù),，與競爭解決方案相比，總體開關(guān)和導(dǎo)通損耗顯著降低20%或更多,。這些IGBT器件設(shè)計用于大功率的高性能開關(guān)模式產(chǎn)品,，比如電焊機、太陽能逆變器和不間斷開關(guān)電源,。
美高森美的1200V解決方案可與其FRED或碳化硅肖特基(Schottky)二極管組合封裝,，為工程師提供高集成度解決方案，以便簡化產(chǎn)品開發(fā)工作,。其它特性包括：
· 相比競爭產(chǎn)品,，柵極電荷(Qg)顯著減少，具有更快的開關(guān)性能,；
· 硬開關(guān)運行頻率大于80 KHz,，實現(xiàn)更高效的功率轉(zhuǎn)換；
· 易于并聯(lián)(Vcesat的正溫度系數(shù)),，提升大功率應(yīng)用的可靠性,；以及
· 額定短路耐受時間(Short Circuit Withstand Time,，SCWT)，在需要短路能力的應(yīng)用中實現(xiàn)可靠運作
此外,，美高森美將于短期內(nèi)提供采用SOT-227封裝的APT85GR120JD60器件,，包含了一個60A反并聯(lián)(anti-parallel)超快恢復(fù)二極管，采用美高森美的專有“DQ”系列低開關(guān)損耗,、額定雪崩能量二極管技術(shù)制造,。
封裝和供貨
美高森美公司的APT85GR120B2晶體管采用TO-247 MAX封裝，APT85GR120L采用TO-264封裝,，APT85GR120J則采用SOT-227封裝,。美高森美新型NPT IGBT器件已完全滿足性能要求并在產(chǎn)，客戶可通過當(dāng)?shù)亟?jīng)銷商或美高森美銷售代表獲取樣品,。要了解更多的信息,，請發(fā)送電子郵件至[email protected]。
關(guān)于美高森美公司
美高森美公司(Microsemi Corporation,，紐約納斯達(dá)克交易所代號：MSCC) 為通信,、國防與安全、航天,，醫(yī)療與工業(yè),，以及新能源市場提供業(yè)界綜合性的半導(dǎo)體與系統(tǒng)解決方案系列，包括混合信號集成電路,、系統(tǒng)單芯片(SoC)與專用集成電路(ASICS),、可編程模擬解決方案、功率管理產(chǎn)品,、時鐘與語音處理器件,、射頻解決方案、分立組件,，以及以太網(wǎng)供電(PoE)IC與中跨(Midspan)產(chǎn)品,。美高森美總部設(shè)于美國加利福尼亞州Aliso Viejo，全球員工總數(shù)約3,000人,。欲獲取更詳盡信息,，請訪問網(wǎng)站：http://www.microsemi.com。