文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼: A
文章編號(hào): 0258-7998(2012)09-0071-04
電流源常常用于測(cè)試其他設(shè)備,,用以驅(qū)動(dòng)電流傳感器或其他器材,,提供二晶體管或三極管的偏置,或者設(shè)定測(cè)試條件[1]。直流電流源還可以精確測(cè)量低電阻阻值,。電流源在各個(gè)領(lǐng)域的廣泛使用激發(fā)起人們對(duì)恒流源的研究更加深入化和多樣化,。恒流源在加速器中的使用是加速器結(jié)構(gòu)改善的一個(gè)標(biāo)志[2]。因此如何提高電流源的精度和拓展其應(yīng)用電路,,一直是專業(yè)人士熱衷的研究課題,。本文設(shè)計(jì)了一種基于Howland電流源電路和V/I轉(zhuǎn)換電路(即其延拓電路)的組合式精密壓控電流源。先通過仿真手段研究Howland電流源電路及其變形電路的互補(bǔ)組合式的電流特性,,再使用通用集成運(yùn)算放大器和電阻構(gòu)建壓控電流源的實(shí)驗(yàn)測(cè)試電路,,并給出精度、輸出阻抗以及頻率響應(yīng)特性等實(shí)驗(yàn)測(cè)試結(jié)果,。
在Multisim10.0的環(huán)境下對(duì)Howland電流源電路進(jìn)行仿真,,測(cè)試實(shí)際搭建的電路(測(cè)試過程中集成運(yùn)放均用的是UA741CN),得到輸入電壓和輸出電流的對(duì)應(yīng)關(guān)系,如表1所示,。
2 Howland電流源延拓電路即(V/I轉(zhuǎn)換電路)
Howland電流源電路雖然結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,,但是輸入和輸出反相,,不能滿足設(shè)計(jì)需要。為解決這個(gè)問題,,將其延拓即得圖2所示的V/I轉(zhuǎn)換電路,。
表1和表2均表明仿真效果很好,但實(shí)際電路的效果并不理想,,輸出電流的精度較差,。這是因?yàn)榉抡孢^程中數(shù)據(jù)是理論值,運(yùn)放參數(shù)被理想化,,而實(shí)際的運(yùn)放都不理想,,Avd、Rid,、KCMR并非無窮大,,Rod也不為零,故Io和Ui的關(guān)系不能嚴(yán)格滿足理論公式,。所以僅有單純的Howland電流源電路或V/I轉(zhuǎn)換電路并不能構(gòu)成精密壓控電流源,。
3 高精度壓控電流源
3.1理論分析及仿真
由本文1、2節(jié)看出:Howland電流源和V/I轉(zhuǎn)換電路仿真時(shí)的絕對(duì)誤差在μA級(jí),,但實(shí)際電路的絕對(duì)誤差則接近mA級(jí),,基本不能滿足應(yīng)用需求。故兩個(gè)電路在實(shí)際的高精度壓控電流源中都不實(shí)用,。
為了提高輸出精度,,本文引入誤差補(bǔ)償?shù)乃枷搿Mㄟ^對(duì)比,、分析上文得到的數(shù)據(jù),,將Howland電流源作為誤差補(bǔ)充電路引入到V/I轉(zhuǎn)換電路中,得到圖3所示高精度壓控電流源電路,。該電路極大地改善了電路的精度,,使實(shí)際輸出電流的絕對(duì)誤差達(dá)到μA級(jí)。其中VREF為基準(zhǔn)電壓,,作為Howland電流源的壓控端,,輸出一個(gè)小電流用以補(bǔ)償核心電路的誤差。在實(shí)際電路中R0,、R,、R7均要求為精密電阻。其余阻值要匹配,,否則會(huì)帶來很大的誤差[3],。
在Multisim10.0的環(huán)境下對(duì)高精度電流源電路仿真,對(duì)Ui進(jìn)行參數(shù)掃描分析得到表3所示結(jié)果。
表3中數(shù)據(jù)表明圖3電路極大的提高了輸出精度,,表明該電路理論上可行,。
對(duì)圖3電路進(jìn)行交流分析可知,該高精度電流源具有較好的頻率響應(yīng),,圖4給出了其頻率響應(yīng)曲線,,包括有幅度頻率響應(yīng)和相位頻率響應(yīng)。由圖可見,,電路的上限截止頻率達(dá)到600 kHz,,優(yōu)于運(yùn)算放大器的單位增益帶寬積。當(dāng)采用CB工藝實(shí)現(xiàn)單片集成時(shí),電路的性能會(huì)更好[4],。
3.2 高精度壓控電流源實(shí)際測(cè)試
測(cè)試圖3電路時(shí)使輸入電壓Ui在0~15 V之間變化,,調(diào)節(jié)VREF的輸入電壓(為負(fù)),使輸出電流精確跟隨Ui變化,,達(dá)到精確壓控目的。記錄下對(duì)應(yīng)的VREF值,,得到數(shù)據(jù)如表4所示,。通過數(shù)據(jù)處理后發(fā)現(xiàn),當(dāng)Ui在0~9.5 V變化時(shí),,在保證電壓精密控制Io的前提下,,VREF和Ui的關(guān)系為線性關(guān)系:VREF=-0.103 4Ui-0.006 8 V,其中Ui≤9.50 V,線性擬合度R2=0.999 4,。
VREF和Ui之間存在極好的線性關(guān)系,,故在Ui和VREF之間引入反相比例運(yùn)算電路,如圖5所示,。不僅很好地解決了Ui與誤差補(bǔ)償電路的基準(zhǔn)電壓VREF之間的關(guān)系,,而且簡(jiǎn)化了控制方式,在輸入控制電壓的同時(shí)引入補(bǔ)償電壓,,使電路僅需要一個(gè)控制信號(hào)即Ui,,真正做到了壓控電流源的設(shè)計(jì)目的。其中Rf為電位器,,用以調(diào)節(jié)Ui和VREF之間的比例關(guān)系,。
測(cè)試圖5電路時(shí)先將Ui設(shè)置在中間值,如4 V,,調(diào)節(jié)Rf使輸出電流值與Ui精確對(duì)應(yīng),,接著調(diào)節(jié)Ui在0~15 V之間變化,記錄VREF和Io的值,,如表5所示,。在較小量程內(nèi)(如0.1 mA~7 mA)絕對(duì)誤差可以限定在10 ?滋A以內(nèi);當(dāng)Ui在0~11 V變化時(shí),絕對(duì)誤差可以保證在50 μA以內(nèi),電路具有很好的輸出精度,。
表6所示為對(duì)電路進(jìn)行帶載能力和頻率響應(yīng)測(cè)試,,證明該電流源具有一定的帶載能力。
從圖6可知電路頻率特性較好,上限截至頻率為53 kHz,?;究梢杂迷诘皖l測(cè)試環(huán)境中。當(dāng)頻率要求比較高時(shí),,集成運(yùn)放可以改為寬帶集成運(yùn)放,。
本文巧妙運(yùn)用Howland電流源電路及其延拓電路,構(gòu)建壓控電流源,,使電流源性能顯著提高,。由于圖5電路繼承了運(yùn)算放大器的優(yōu)良性能,使該電流源具有精度高,,輸出阻抗高,,頻率響應(yīng)好等特點(diǎn)。在兼有Howland電流源主要特征的同時(shí),,對(duì)其進(jìn)行了改進(jìn)和補(bǔ)充,,使其性能更優(yōu)。該電路可以應(yīng)用在儀表放大器電流傳輸器,、浮置阻抗變換器,、高性能模擬放大器等電路的設(shè)計(jì)中,由于電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,,易于集成化,,集成后的性能將更加優(yōu)越,應(yīng)用前景廣闊,。
參考文獻(xiàn)
[1] PEASE R A. Pease, A Comprehensive Study of the Howland current pump[EB]. National Semiconductor Application Note, 2008.
[2] 秦玲,賴青貴,張良. 基于運(yùn)算放大器的壓控恒流源[J]. 強(qiáng)激光與粒子束,2010,22(3):553-556.
[3] 楊永輝,顏曉嬿,郭恒. 高精度工頻恒流源設(shè)計(jì)[J].電測(cè)與儀表,2009,46(10):72-75.
[4] YING J H, FANG C, ZHANG J Y. Design of temperature independent current reference based on superposition technology[J]. Microelectronics & Computer,,2008,25 (3):114-118.