《電子技術(shù)應(yīng)用》
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電源設(shè)計(jì)小貼士46:正確地同步降壓 FET 時(shí)序

2012-11-14
作者:Robert Kollman,,德州儀器 (TI)

    由于工程師們都在竭盡所能地獲得其電源的最高效率,時(shí)序優(yōu)化正變得越來越重要,。在開關(guān)期間,存在兩個(gè)過渡階段:低壓側(cè)開關(guān)開啟和高壓側(cè)開關(guān)開啟,。

    低壓側(cè)開啟開關(guān)至關(guān)重要,因?yàn)樵撨^渡階段幾乎沒有損耗,也即“無損開啟”。在高壓側(cè)開關(guān)關(guān)閉以后,,電感電流驅(qū)動(dòng)開關(guān)節(jié)點(diǎn)電壓無損接地。開啟低壓側(cè)開關(guān)的最佳時(shí)機(jī)便為過渡結(jié)束時(shí),。如果在低壓側(cè)開啟以前主體二極管短暫導(dǎo)電,,則其無關(guān)緊要,因?yàn)樗粫?huì)導(dǎo)致反向恢復(fù)損耗,。在下一個(gè)開關(guān)過渡之前,該結(jié)點(diǎn)處的過剩載流全部耗散,。但是,,如果電流仍然長(zhǎng)時(shí)間存在于主體二極管內(nèi),則會(huì)有過高的傳導(dǎo)損耗,。高壓側(cè) FET 開啟時(shí)序是最為重要的過渡,。由于同低壓側(cè) FET 存在交叉導(dǎo)通,因此開啟過早會(huì)導(dǎo)致直通損耗,;開啟過晚又會(huì)導(dǎo)致傳導(dǎo)損耗增高,,并且會(huì)將過剩載流注入低壓側(cè) FET 主體二極管內(nèi)(必須對(duì)其進(jìn)行恢復(fù))。不管哪種情況,,都會(huì)降低效率,。

    為了說明效率與驅(qū)動(dòng)信號(hào)之間時(shí)序的關(guān)系,我構(gòu)建起了一些具有驅(qū)動(dòng)器信號(hào)可調(diào)節(jié)延遲的電源,。之后,,我比較了效率與延遲時(shí)間,對(duì)其存在的關(guān)系進(jìn)行了研究,。1A-1C 顯示了結(jié)果,。

    圖1A 顯示了當(dāng)高壓側(cè) FET 在低壓側(cè) FET 完全關(guān)閉之前開啟時(shí)的情況。在低壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)中有一個(gè)明顯的更大的Miller區(qū)域,,其低壓側(cè) FET 和高壓側(cè) FET 同時(shí)導(dǎo)通,,從而在功率級(jí)中產(chǎn)生直通電流。當(dāng)?shù)蛪簜?cè) FET 最終關(guān)閉時(shí),,在開關(guān)節(jié)點(diǎn)處存在額外的電壓過沖,。在1B中,在低壓側(cè) FET 關(guān)閉且主體二極管中形成電流以后,,高壓側(cè)FET 才開啟,。當(dāng)高壓側(cè)FET 開啟時(shí),,其恢復(fù)該主體二極管,并且會(huì)有一個(gè)電流峰值讓開關(guān)節(jié)點(diǎn)電壓出現(xiàn)振鈴,。但是,,由于所用MOSFET體二極管的反向恢復(fù)時(shí)間(12nS)極短,因此這種現(xiàn)象并不明顯,。主體二極管速度越慢,,振鈴越明顯。1C 擁有最高的電源效率,。在高壓側(cè)開關(guān)開啟以前,,低壓側(cè)柵極電壓降至接地電壓附近。高壓側(cè)在更低的主體二極管導(dǎo)電以前開啟,,開關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴最小化,。

1A 先進(jìn)的高壓側(cè)時(shí)序產(chǎn)生直通電流

1B 高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)延遲時(shí)主體二極管導(dǎo)電

1C 最佳時(shí)序帶來更高的效率和更低的應(yīng)力

    圖2 顯示了不同柵極驅(qū)動(dòng)時(shí)序情況下 12 伏到 1 伏/15 安培、300 kHz功率級(jí)的效率曲線,??潭茸髠?cè)代表高壓側(cè)開關(guān)提前開啟,如圖1A 所示,。右側(cè)代表一個(gè)經(jīng)過延遲的高壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)(1B),。在左邊,效率急劇下降,,原因是功率級(jí)的直通電流損耗,。在右邊,效率逐漸下降,。

    效率逐漸下降的原因有兩個(gè):來自低壓側(cè) FET 主體二極管的傳導(dǎo)損耗和反向恢復(fù)損耗,。在主體二極管導(dǎo)電期間,主體二極管電壓下降約 0.7伏,。方程式1 表示了主體二極管導(dǎo)電期間的最大電源效率,,其大致如下:

                                                     (1)

    如果主體二極管在 3us 時(shí)間中有 50ns 時(shí)間導(dǎo)電,則可對(duì)總效率產(chǎn)生約 1.2% 的影響,。就該功率級(jí)而言,,反向恢復(fù)損耗微不足道,原因是使用了 12nS短反向恢復(fù)時(shí)間的 MOSFET,。

2 驅(qū)動(dòng)器時(shí)序可極大影響效率

    總之,,同步降壓穩(wěn)壓器中正確的柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)時(shí)序,對(duì)于最大化效率至關(guān)重要,。這種時(shí)序可最小化低壓側(cè) FET 主體二極管導(dǎo)電時(shí)間,。高壓側(cè) FET 開啟是最為關(guān)鍵的過渡階段,同時(shí)應(yīng)避免在低壓側(cè)完全關(guān)閉以前開啟高壓側(cè) FET,。這樣做可以最小化開關(guān)損耗,,并減少過渡期間的電壓振鈴,。

    更多詳情,請(qǐng)參閱 2003 年 4 月TI《應(yīng)用手冊(cè)》(SLUA281)文章《柵極驅(qū)動(dòng)升壓同步DC/DC 功率轉(zhuǎn)換器效率預(yù)測(cè)

    本文以及其他電源解決方案的更多詳情,,敬請(qǐng)?jiān)L問:http://www.ti.com.cn/lsds/ti_zh/analog/powermanagement/power_portal.page,。

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