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飛兆半導體的碳化硅(SiC)解決方案為功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)提供 業(yè)界領(lǐng)先的效率和更高的可靠性

首次出現(xiàn)在產(chǎn)品組合中的 SiC 雙極結(jié)型晶體管(BJT)實現(xiàn) 在較高工作溫度下最低的總功率損耗
2012-11-21

 

為努力實現(xiàn)更高的功率密度并滿足嚴格的效率法規(guī)要求以及系統(tǒng)正常運行時間要求,,工業(yè)和功率電子設(shè)計人員在進行設(shè)計時面臨著不斷降低功率損耗和提高可靠性的難題。然而,,在可再生能源、工業(yè)電機驅(qū)動器,、高密度電源,、汽車以及井下作業(yè)等領(lǐng)域,要想增強這些關(guān)鍵設(shè)計性能,,設(shè)計的復雜程度就會提高,,同時還會導致總體系統(tǒng)成本提高。

為幫助設(shè)計人員解決這些難題,,全球領(lǐng)先的高性能功率移動半導體解決方案供應商飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 發(fā)布了非常適合功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的碳化硅(SiC)技術(shù)解決方案,,進而拓展了公司在創(chuàng)新型高性能功率晶體管技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。

 

飛兆半導體SiC解決方案助您成功

 

通過在產(chǎn)品組合中引入基于SiC技術(shù)的新產(chǎn)品成員,,飛兆半導體進一步鞏固了其在創(chuàng)新型高性能功率晶體管技術(shù)領(lǐng)域的產(chǎn)品領(lǐng)先地位,。

 

飛兆半導體的SiC特性包括:

 

·        經(jīng)過優(yōu)化的半標準化自定義技術(shù)解決方案,可充分利用自身較大的半導體器件與模塊封裝技術(shù)組合

·        憑借功能集成和設(shè)計支持資源簡化工程設(shè)計難題的先進技術(shù),,可在節(jié)約工程設(shè)計時間的同時最大限度地減少元器件數(shù)量,。

·        具有尺寸、成本和功率優(yōu)勢的較小型先進封裝集成了領(lǐng)先的器件技術(shù),,可滿足器件制造商和芯片組供應商的需求

 

在飛兆半導體SiC組合中首先要發(fā)布的一批產(chǎn)品是先進的SiC雙極結(jié)型晶體管(BJT)系列,,該系列產(chǎn)品可實現(xiàn)較高的效率、電流密度和可靠性,,并且能夠順利地進行高溫工作,。通過利用效率出色的晶體管,飛兆半導體的SiC BJT實現(xiàn)了更高的開關(guān)頻率,,這是因為傳導和開關(guān)損耗較低(30-50%),,從而能夠在相同尺寸的系統(tǒng)中實現(xiàn)高達40%的輸出功率提升,。

 

這些強健的BJT支持使用更小的電感、電容和散熱片,,可將系統(tǒng)總體成本降低多達20%,。這些業(yè)界領(lǐng)先的SiC BJT性能出眾,可促進更高的效率和出色的短路及逆向偏壓安全工作區(qū),,將在高功率轉(zhuǎn)換應用的功率管理優(yōu)化中發(fā)揮重大作用,。

 

飛兆半導體還開發(fā)了即插即用的分立式驅(qū)動器電路板(15A和50A版本),作為整套碳化硅解決方案的一部分,,與飛兆半導體的先進SiC BJT配合使用時,,不僅能夠在減少開關(guān)損耗和增強可靠性的條件下提高開關(guān)速度,還使得設(shè)計人員能夠在實際應用中輕松實施SiC技術(shù),。飛兆半導體為縮短設(shè)計時間,、加快上市速度,還提供了應用指南和參考設(shè)計,。應用指南可供設(shè)計人員獲取SiC器件設(shè)計所必需的其他支持,;參考設(shè)計有助于開發(fā)出符合特定應用需求的驅(qū)動器電路板。

 

SiC BJT和其他SiC

 

有史以來最高效的1200 V功率轉(zhuǎn)換開關(guān)

•         最低的總損耗,,包括開關(guān),、傳導及驅(qū)動器損耗

•         所有1200 V器件中最低的開關(guān)損耗(任意RON條件下)

簡單直接的驅(qū)動

•         常關(guān)功能降低了風險和復雜程度,并減少了限制性能的設(shè)計

•         穩(wěn)定的基極輸入,,對過壓/欠壓峰值不敏感   

強健且可靠

•         額定工作溫度高:Tj=175°C

•         由于RON具有正溫度系數(shù),,增益具有負溫度系數(shù),因此易于并聯(lián)

•         穩(wěn)定持久的Vbe正向電壓和反向阻隔能力

 

封裝和報價信息(訂購1,000個,,美元)

 

飛兆半導體的SiC BJT采用TO-247封裝,;符合條件的客戶從現(xiàn)在起即可獲取工程設(shè)計樣本。 

 

飛兆半導體在功率半導體器件領(lǐng)域掌握的專業(yè)技術(shù)非常符合不斷發(fā)展的碳化硅市場狀況,。公司的SiC產(chǎn)品組合將提供當前競爭對手望塵莫及的速度、靈活性和總體性能優(yōu)勢,。飛兆半導體致力于打造可幫助客戶實現(xiàn)成功的解決方案,,通過不斷與客戶合作提供出色的多市場半導體產(chǎn)品,注重創(chuàng)新,、服務(wù)和生產(chǎn)的卓越性,。

 

有關(guān)飛兆半導體SiC技術(shù)的更多信息,請訪問:www.fairchildsemi.com/sic

 

飛兆半導體:解決方案助您成功,!

 

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