富士通半導體（上海）有限公司今日宣布,，推出兩款新型FRAM產品－MB85RS1MT 和MB85RS2MT,，兩款產品分別帶有1 Mbit 和2 Mbit的存儲器，是富士通半導體提供的最大容量的串口FRAM,。這兩款產品將于2013年3月起開始提供新品樣片,。

圖1：MB85RS1MT和MB85RS2MT

兩款新型產品保證有10萬億次的讀寫次數，大約是現有芯片的10倍,，適合用于智能電表,、工業(yè)機械和醫(yī)療設備,。與容量相同的EEPROM相比,，寫入時可減少92%的功耗。另外,，由于新款FRAM可以把所有系統(tǒng)存儲器器件（主要包括EEPROM,、SRAM和用于保持數據的電池）所需的技術集成到單一芯片上，因此可大幅降低器件成本,，占板面積和功耗,。這相應地極大地有助于開發(fā)小型和節(jié)能設備，使維修更加簡易,，因此不再需要備用電池,。

FRAM具有兩種特性：非易失性，即使關閉電源也能保存數據,；隨機存取,，可以快速寫入數據。即使發(fā)生突然電源故障和停電時,，FRAM也可以安全存儲正在寫入的數據,，所以可以在斷電前保證立刻保護芯片信息和存儲數據。憑借該能力,，自從1999年量產后,，富士通半導體的FRAM產品一直廣泛應用于工業(yè)自動化設備,、測量設備、銀行終端以及醫(yī)療設備等,。

作為對其FRAM 產品陣容的更新,，富士通半導體最近開發(fā)了MB85RS1MT (1 Mbit) 和MB85RS2MT (2 Mbit)，這兩款產品代表了公司迄今為止帶有SPI 串口的最高密度的FRAM產品,。該系列產品讀寫次數提高到10萬億次,，是富士通現行FRAM產品的10倍，因此可為實時連續(xù)數據記錄提供更好的支持,。

對于包括智能電表和其它測量設備,、工業(yè)機械以及醫(yī)療設備（如助聽器）－所有的這些設備都需要帶串口的1-2 Mbit 非易失存儲器－現在可以使用富士通半導體的新型FRAM產品取代傳統(tǒng)的EEPROM。在快速寫入方面的改善可以使性能更高,，同時可使由于電壓突然下降或者停電引起的數據丟失風險降至最低,。針對寫入時所消耗的電量，新產品比EEPROM少消耗92%的電量,，可以延長電池壽命,。

展望未來，富士通半導體將繼續(xù)提供解決方案,，幫助客戶提高終端產品的性能,，促進客戶現場設備的維護，并最大程度地降低風險,。

                                                           圖2：讀寫次數比較                                                                  圖3：功耗比較

 圖4：占板面積比較

樣片發(fā)布日程

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更多產品信息,，請見：http://www.fujitsu.com/cn/fss/memory/fram/