本文介紹有關(guān)用于LTE 微蜂窩式與有源天線系統(tǒng)式基站應(yīng)用的小型高效GaN Doherty 放大器。該Doherty 放大器采用TriQuint 半導(dǎo)體公司開發(fā)的T1G6001528-Q3 器件,,是一種寬頻帶的分立GaN 射頻功率晶體管,。該Doherty 放大器具有以下特征: 在LTE 頻率范圍(2.62 GHz ~ 2.69 GHz) 、平均輸出功率為38.5 dBm,、飽和輸出功率峰值超過46 dBm,、漏電效率超過55%,、增益超過15 dB、LTE 兩載波 (2x 10 MHz 載波),、 信號波形8 dB 均峰比, 在Netlogic 標(biāo)準(zhǔn)DPD 下,、鄰信道功率比(ACPR)超過 -50 dBc、放大器大小為30 毫米x 70 毫米,。 索引術(shù)語 — GaN (氮化鎵),、Doherty 放大器、LTE,、微蜂窩,、有源天線系統(tǒng)、基站,。
I.介紹
目前在通訊網(wǎng)絡(luò)領(lǐng)域,實現(xiàn)較高的數(shù)據(jù)速率和頻譜效率始終是開發(fā)新技術(shù)的動力,。為了滿足無線通訊用戶越來越嚴(yán)格的較高數(shù)據(jù)速率和頻譜效率的要求,,利用一些新的技術(shù), 4G 無線系統(tǒng)包括長期演進(jìn)技術(shù)(LTE)在內(nèi)的已經(jīng)被發(fā)展 。例如:正交頻分多路復(fù)用技術(shù)(OFDM)和多輸入多輸出(MIMO),,這兩種技術(shù)具有較高數(shù)據(jù)速率和頻譜效率特征,,可以實現(xiàn)20 MHz 的信號頻寬、100 Mbps 的下行鏈路數(shù)據(jù)速率,、50 Mbps 的上行鏈路數(shù)據(jù)速率,。這種LTE 設(shè)計有10 MHz 和20 MHz 兩種調(diào)制信號頻寬,前者針對一個載波,,后者針對兩個載波,。為在降低功率消耗的同時提供一個較高數(shù)據(jù)速率,微蜂窩式或有源天線系統(tǒng)式基站等各類小型基站,,基于LTE 的網(wǎng)絡(luò)將比W-CDMA (3G) 的網(wǎng)絡(luò)更頻繁地被利用,。在這種小尺寸類型的無線基站中, 使用高效率和小型射頻功率放大器是必要的,以提供具有最大成本效益的性能,。 由于Doherty 架構(gòu)的放大器在功率回退范圍(6~10 dB)的高效率性能和與數(shù)字預(yù)失真(DPD)配合能取得高線性性能, 所以Doherty 放大器配置廣泛地被應(yīng)用于無線基站射頻功率放大器 [1]~[2],。雖然現(xiàn)在有一些新的先進(jìn)技術(shù)正在開發(fā)無線基站[3]?~[4]的射頻功率放大器,采用Doherty 放大器配置的高功率和高效率射頻放大器仍然是最常見的大規(guī)模生產(chǎn)的無線基站技術(shù),。 由于氮化鎵(GaN)射頻功率晶體管的高效率和大高功率密度等多種特征,,具有支持下一代射頻功率器件應(yīng)用[5]?~[7]的需要的特性。因此是這種放大器設(shè)計實施的技術(shù)首選 ,。
II. GaN 射頻功率器件
本文中的Doherty 放大器中所采用的有源器件,,為TriQuint 半導(dǎo)體公司所開發(fā)的T1G6001528-Q3 器件, 它采用高電子遷移率晶體管(HEMT)和SiC HEMT 技術(shù), 是一個寬帶分立氮化鎵(GaN)產(chǎn)品,, 支持28V 的工作電壓和DC ~6 GHz 的頻率范圍 ,。該器件采用TriQuint 生產(chǎn)的0.25 μm 氮化鎵和SiC 工藝,,具有在高度漏極偏置運(yùn)行的情況下使用靜電場起電板技術(shù)最大化功率和效率的特征。這種優(yōu)化有可能在簡化放大器的陣容,,和較低的熱管理成本方面, 降低系統(tǒng)成本簡化,。 如圖1 所示,T1G6001528-Q3 器件采用5 毫米總門外設(shè) (total gate periphery)的分立模塊,,構(gòu)建于四個1.25 毫米的高電子遷移率晶體管單位晶格,。模塊貼裝與封裝接線材型針對寬帶性能進(jìn)行了優(yōu)化。
圖1. T1G6001528-Q3 GaN 晶體管,,采用1.25 毫米單位晶格
一般而言,,在這種放大器使用的封裝設(shè)備通常提供18W 的輸出功率(P3dB)、線性增益在6 GHz 頻率時高于10 dB,、在整個寬帶中的最大PAE 高于50%,。在2.6 GHz 的頻率,它的飽和功率大約為25W; 增益約為16 dB; 的最大飽和的效率約為75%,。
圖2. T1G6001528-Q3 封裝
T1G6001528-Q3 的封裝如圖2 所示,,輸入/輸出引線除外, 尺寸為5 毫米x 6 毫米,。這個小設(shè)備的性能來自其高功率密度,。小形晶體管是一個能夠發(fā)展規(guī)模較小的Doherty 放大器的關(guān)鍵因素。 該器件還提供如下性能: 28V 的Vd ,、100mA 的Idq,、 50uS 的脈沖波形功率、10%的功率占空比,、2.65 GHz 頻率下的負(fù)載牽引測量結(jié)果如圖 3 所示,。 本文的Doherty 放大器的設(shè)計是基于這種負(fù)載牽引數(shù)據(jù)。
圖3. T1G6001528-Q3 負(fù)載牽引數(shù)據(jù)
III. DOHERTY 放大器配置
對稱Doherty 放大器是一個非常受歡迎的射頻高功率,, 高效率,,為當(dāng)代的無線基站配置的放大器。本文中展示的這種放大器,,采用兩個T1G6001528-Q3 分立封裝的高電子遷移率晶體管,,其整體大小為30 毫米x 70 毫米,如圖4 所示,。這種小型尺寸的設(shè)計完全滿足空間較小的微蜂窩式或有源天線系統(tǒng)式基站的要求,。圖4. 30 毫米 x 70 毫米的Doherty 放大器電路板
圖4. 30 毫米 x 70 毫米的Doherty 放大器電路板
Doherty 放大器采用Taconic 公司的RF35B 印刷電路板材料,厚度為 16.6 毫米(H),、介電常數(shù) 3.66(εr),。 輸入?yún)^(qū)域設(shè)計有3dB 的分配器電路,用于分離輸入信號并輸入到載波放大器(上行路徑)和峰值放大器(下行路徑)。其中載波放大器的偏壓屬于AB 類,,其靜態(tài)漏極電流( Idq)為100 mA,;而峰值放大器的偏壓屬于C 模式。因這兩種放大器的運(yùn)行模式不同,,故他們的輸出阻抗相異,。因此,他們的輸出匹配電路稍有差異,。 當(dāng)設(shè)計一個Doherty 放大器,,理想的設(shè)計是Zopt 負(fù)載阻抗等于最大的Psat 點(diǎn),負(fù)載阻抗在2* Zopt 等于最高效率點(diǎn),。但由于T1G6001528-Q3 是一個寬帶的通用設(shè)備,, 并非特地針對2.65 GHz 的Doherty 放大器而設(shè)計,而且其最大效率點(diǎn)不在其最大飽和功率的2:1 電壓駐波比(VSWR)圓上,。當(dāng)我們在設(shè)計這個Doherty 放大器,,我們不得不妥協(xié)在 Zopt 和2* Zopt 的負(fù)載阻抗。這意味著這意味著Zopt 阻抗負(fù)載不在最大飽和功率點(diǎn)上,,2* Zopt 阻抗負(fù)載不在最大效率點(diǎn)上,。 IV. DOHERTY 放大器性能 如圖3 所示,采用T1G6001528-Q3 器件的Doherty 放大器,,在多種信號波形下進(jìn)行了詳細(xì)測試,證明其性能滿足要求基站應(yīng)用,。 如圖5 所示,,AM/AM 和AM/PM 曲線,這是DPD 校正性能的一個關(guān)鍵參數(shù),。在一個典型的一般LDMOS 器件Doherty 放大器,,當(dāng)輸入功率的增加,相位單調(diào)下降,,這將降低DPD 校正性能,。但此采用T1G6001528-Q3 放大器, 輸入電源的相位變化是完全不同的,,有利于DPD 的校正,。 如圖6 所示,PAR 及效率隨輸出功率的變化, 頻率為2.65 GHz,,WCDMA 信號在0. 01% CCDF 時的 PAR 為10.2 dB,。 如圖7 所示, LTE 高功率性能, 在2.62 GHz ~2.69 GHz 之間,,量測的信號為WCDMA 波形,,測試數(shù)據(jù)為38 dBm 的平均輸出功率,計算的飽和功率采用平均輸出功率加上PAR 值。從本圖中可以看出,,在標(biāo)準(zhǔn) LTE 頻率范圍(2620 MHz ~2690 MHz)內(nèi),,如果平均輸出功率為38 dBm, 輸出效率超過55%,。 根據(jù)現(xiàn)代基站的設(shè)計,,射頻功率放大器的輸出功率 要求因不同特定地域的電話呼叫用戶的數(shù)量不同而顯現(xiàn)差異。這種要求我們稱之為“流量管制”,。 一般而言,,為使基站保持高效運(yùn)行,需要調(diào)整射頻功率放大器的工作電壓,, 以實現(xiàn)不同的輸出功率,,并要求基站射頻功率放大器能夠在工作電壓變化時提供穩(wěn)定的效率。如圖8 所示,,漏極電壓范圍為24V ~ 32V,,采用同樣的WCDMA 波形和 PAR (7.5 dB),效率與平均輸出功率電壓的變化 ,。
圖 5. AM/AM 與AM/PM
Fig. 6 輸出功率的參數(shù)范圍與效率變化
圖7. 頻率范圍以外的Psat,、 效率、增益變化
圖 8. 漏極電壓的效率與功率輸出變化
為滿足基站高效運(yùn)營的要求,,大多數(shù)射頻功率放大器需要采用數(shù)字預(yù)失真(DPD)技術(shù),,以獲得線性性能,其功率放大器的鄰信道功率比是這種性能的體現(xiàn),。因此,,對于當(dāng)前使用的基站射頻功率放大器而言,數(shù)字預(yù)失真糾正性能顯得至關(guān)重要,。為了證實這種Doherty 放大器在這方面的效果,,本文特此采用了 Netlogic 公司的標(biāo)準(zhǔn)數(shù)字預(yù)失真糾正系統(tǒng),在有兩個LTE 的20 MHz 信號寬帶的載波環(huán)境(0.01%,,CCDF 值時的PAR 為8 dB)下進(jìn)行測試,。測量的頻率2.65 GHz,輸出功率為 38.5 dBm,,鄰信道功率比的性能如圖9 所示,。DPD 校正之后,鄰信道功率比達(dá)到- 50 dBc 以上,。
圖 9. DPD 性能的鄰信道功率比
V. 總結(jié)
本文講述了有關(guān)2.6 GHz GaN Doherty 放大器的一些特征:38.5 dBm 的平均輸出功率,、標(biāo)準(zhǔn) LTE 頻率(2.62 GHz ~ 2.69 GHz)范圍、漏極效率高于55%,、增益高于15 dB,、兩個寬帶頻率為20 MHz 和PAR 為8 dB 范圍的LTE 載波信號,、用數(shù)字預(yù)失真技術(shù)之后的鄰信道功率比達(dá)到- 50dBc 以上、Doherty 放大器大小為30 毫米x 70 毫米,、在基站放大器中結(jié)合高效率和小型設(shè)計以使用氮化鎵晶體管,, 在基于 LTE 的微蜂窩基站和有源天線陣列系統(tǒng)設(shè)計上發(fā)揮重要作用。