《電子技術(shù)應(yīng)用》
您所在的位置:首頁 > 電源技術(shù) > 業(yè)界動態(tài) > 歐洲項目推動功率微電子未來

歐洲項目推動功率微電子未來

2013-05-21

 

LAST POWER[1]項目組公布了為期三年由歐盟資助的功率半導(dǎo)體項目開發(fā)成果,。以研發(fā)高成本效益且高可靠性的功率電子技術(shù)為目標(biāo),涉及工業(yè),、汽車,、消費電子、再生能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)和電信應(yīng)用,。項目開發(fā)成果讓歐洲擠身于世界高能效功率芯片研究商用的最前沿,。

 

歐洲納電子計劃顧問委員會(ENIAC)聯(lián)盟(JU)是納米工業(yè)上市公司與私營企業(yè)的聯(lián)盟組織,,于2010年4月啟動了LAST POWER項目,聚集了寬帶隙半導(dǎo)體(SiC和GaN)領(lǐng)域的私營企業(yè),、大學(xué)和公共研究中心,。該聯(lián)盟成員包括項目協(xié)調(diào)人意法半導(dǎo)體(意大利)、LPE/ETC (意大利),、Institute for Microelectronics and Microsystems of the National Research Council –IMM-CNR(意大利),、Foundation for Research & Technology-Hellas – FORTH(希臘), NOVASiC(法國)、Consorzio Catania Ricerche -CCR(意大利),、Institute of High Pressure Physics – Unipress(波蘭),、Università della Calabria(意大利)、SiCrystal(德國),、SEPS Technologies(瑞典),、SenSiC(瑞典)、Acreo(瑞典),、, Aristotle University of Thessaloniki - AUTH(希臘),。

 

碳化硅主要研發(fā)成果基于SiCrystal公司展示的偏軸2°截止角的150mm直徑的大面積4H-SiC襯底。在晶體結(jié)構(gòu)和表面粗糙度方面,,材料質(zhì)量兼容項目啟動時的標(biāo)準(zhǔn)100mm 4°偏軸材料,。在LPE/ETC,這些襯底用于中度摻雜的外延層的外延生長,,適用于加工600-1200V JBS(結(jié)勢壘肖特基)二極管和MOSFET,,項目組為在大面積(150mm)4H-SiC上生長外延開發(fā)了一個創(chuàng)新的CVD(化學(xué)汽相淀積)反應(yīng)堆。

 

外延層質(zhì)量讓意法半導(dǎo)體能夠在工業(yè)生產(chǎn)線上制造JBS結(jié)勢壘肖特基二極管,。第一批晶圓特征分析顯示,,電氣性能與先進的4°偏軸材料相當(dāng)。在這種情況下,,關(guān)鍵工序是在NOVASiC上實現(xiàn)化學(xué)機械拋光(CMP)- StepSiC ® 填充和平面化,,對于外延層生長前的襯底制備和器件活動層表面粗糙度亞納米控制,該工序是一個關(guān)鍵問題,。在這個項目內(nèi),,同一企業(yè)還取得了用于加工MOSFET和JFET的外延生長能力。

 

項目組與意法半導(dǎo)體,、IMM-CNR公司進行SiO2/SiC接口的合作研發(fā),,以改進4H-SiC MOSFET晶體管的溝道遷移率。

 

最后,,項目組與Acreo,、FORTH合作開發(fā)出了用于高溫4H-SiC JFET和MOSFET的全新技術(shù)模塊,為可靠封裝解決方案模塑化合物和無鉛芯片連接材料研究提供CCR支持,。

 

LAST POWER項目還從事在功率電子應(yīng)用中使用基于GaN器件的研究,。特別是意法半導(dǎo)體在150mm Si襯底上生長AlGaN/GaN HEMT外延層結(jié)構(gòu)的開發(fā)取得了成功,,外延層長至3µm,抗擊穿電壓能力高達200V,。LAST POWER與IMM-CNR,、Unipress和意法半導(dǎo)體合作,采用一種“無金”方法開發(fā)常關(guān)型AlGaN/GaN HEMT器件,。該制程模塊完全兼容意法半導(dǎo)體生產(chǎn)線要求的芯片制造流程,,目前正在整合至HEMT生產(chǎn)線。項目成員在材料生長和制造工藝方面開展的卓有成效的合作互動,,讓業(yè)界向單片集成GaN和SiC器件的目標(biāo)邁出重要一步,,這兩項技術(shù)在2°偏軸4H-SiC襯底上均取得成功。

 

 

關(guān)于意法半導(dǎo)體

意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,;ST)是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商,,為客戶提供傳感器、功率器件,、汽車產(chǎn)品和嵌入式處理器解決方案,。從能源管理和節(jié)能技術(shù),到數(shù)字信任和數(shù)據(jù)安全,,從醫(yī)療健身設(shè)備,,到智能消費電子,從家電,、汽車,,到辦公設(shè)備,,從工作到娛樂,,意法半導(dǎo)體的微電子器件無所不在,在豐富人們的生活方面發(fā)揮著積極,、創(chuàng)新的作用,。意法半導(dǎo)體代表著科技引領(lǐng)智能生活(life.augmented)的理念。


意法半導(dǎo)體2012年凈收入84.9 億美元,。詳情請訪問公司網(wǎng)站www.st.com,。



[1]功率器件用大面積碳化硅和heTeroepitaxial GaN襯底

本站內(nèi)容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外,轉(zhuǎn)載內(nèi)容只為傳遞更多信息,,并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點,。轉(zhuǎn)載的所有的文章、圖片,、音/視頻文件等資料的版權(quán)歸版權(quán)所有權(quán)人所有,。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內(nèi)容無法一一聯(lián)系確認版權(quán)者。如涉及作品內(nèi)容,、版權(quán)和其它問題,,請及時通過電子郵件或電話通知我們,,以便迅速采取適當(dāng)措施,避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟損失,。聯(lián)系電話:010-82306118,;郵箱:[email protected]