《電子技術(shù)應(yīng)用》
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歐洲項(xiàng)目推動功率微電子未來

2013-05-21

 

LAST POWER[1]項(xiàng)目組公布了為期三年由歐盟資助的功率半導(dǎo)體項(xiàng)目開發(fā)成果,。以研發(fā)高成本效益且高可靠性的功率電子技術(shù)為目標(biāo),,涉及工業(yè)、汽車、消費(fèi)電子,、再生能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)和電信應(yīng)用。項(xiàng)目開發(fā)成果讓歐洲擠身于世界高能效功率芯片研究商用的最前沿,。

 

歐洲納電子計(jì)劃顧問委員會(ENIAC)聯(lián)盟(JU)是納米工業(yè)上市公司與私營企業(yè)的聯(lián)盟組織,,于2010年4月啟動了LAST POWER項(xiàng)目,聚集了寬帶隙半導(dǎo)體(SiC和GaN)領(lǐng)域的私營企業(yè),、大學(xué)和公共研究中心,。該聯(lián)盟成員包括項(xiàng)目協(xié)調(diào)人意法半導(dǎo)體(意大利)、LPE/ETC (意大利),、Institute for Microelectronics and Microsystems of the National Research Council –IMM-CNR(意大利),、Foundation for Research & Technology-Hellas – FORTH(希臘), NOVASiC(法國)、Consorzio Catania Ricerche -CCR(意大利),、Institute of High Pressure Physics – Unipress(波蘭),、Università della Calabria(意大利)、SiCrystal(德國),、SEPS Technologies(瑞典),、SenSiC(瑞典)、Acreo(瑞典)、, Aristotle University of Thessaloniki - AUTH(希臘),。

 

碳化硅主要研發(fā)成果基于SiCrystal公司展示的偏軸2°截止角的150mm直徑的大面積4H-SiC襯底,。在晶體結(jié)構(gòu)和表面粗糙度方面,材料質(zhì)量兼容項(xiàng)目啟動時(shí)的標(biāo)準(zhǔn)100mm 4°偏軸材料,。在LPE/ETC,,這些襯底用于中度摻雜的外延層的外延生長,適用于加工600-1200V JBS(結(jié)勢壘肖特基)二極管和MOSFET,,項(xiàng)目組為在大面積(150mm)4H-SiC上生長外延開發(fā)了一個(gè)創(chuàng)新的CVD(化學(xué)汽相淀積)反應(yīng)堆,。

 

外延層質(zhì)量讓意法半導(dǎo)體能夠在工業(yè)生產(chǎn)線上制造JBS結(jié)勢壘肖特基二極管。第一批晶圓特征分析顯示,,電氣性能與先進(jìn)的4°偏軸材料相當(dāng),。在這種情況下,關(guān)鍵工序是在NOVASiC上實(shí)現(xiàn)化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)- StepSiC ® 填充和平面化,,對于外延層生長前的襯底制備和器件活動層表面粗糙度亞納米控制,,該工序是一個(gè)關(guān)鍵問題。在這個(gè)項(xiàng)目內(nèi),,同一企業(yè)還取得了用于加工MOSFET和JFET的外延生長能力,。

 

項(xiàng)目組與意法半導(dǎo)體、IMM-CNR公司進(jìn)行SiO2/SiC接口的合作研發(fā),,以改進(jìn)4H-SiC MOSFET晶體管的溝道遷移率,。

 

最后,項(xiàng)目組與Acreo,、FORTH合作開發(fā)出了用于高溫4H-SiC JFET和MOSFET的全新技術(shù)模塊,,為可靠封裝解決方案模塑化合物和無鉛芯片連接材料研究提供CCR支持。

 

LAST POWER項(xiàng)目還從事在功率電子應(yīng)用中使用基于GaN器件的研究,。特別是意法半導(dǎo)體在150mm Si襯底上生長AlGaN/GaN HEMT外延層結(jié)構(gòu)的開發(fā)取得了成功,,外延層長至3µm,抗擊穿電壓能力高達(dá)200V,。LAST POWER與IMM-CNR,、Unipress和意法半導(dǎo)體合作,采用一種“無金”方法開發(fā)常關(guān)型AlGaN/GaN HEMT器件,。該制程模塊完全兼容意法半導(dǎo)體生產(chǎn)線要求的芯片制造流程,,目前正在整合至HEMT生產(chǎn)線。項(xiàng)目成員在材料生長和制造工藝方面開展的卓有成效的合作互動,,讓業(yè)界向單片集成GaN和SiC器件的目標(biāo)邁出重要一步,,這兩項(xiàng)技術(shù)在2°偏軸4H-SiC襯底上均取得成功。

 

 

關(guān)于意法半導(dǎo)體

意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,;ST)是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商,,為客戶提供傳感器,、功率器件、汽車產(chǎn)品和嵌入式處理器解決方案,。從能源管理和節(jié)能技術(shù),,到數(shù)字信任和數(shù)據(jù)安全,從醫(yī)療健身設(shè)備,,到智能消費(fèi)電子,,從家電、汽車,,到辦公設(shè)備,,從工作到娛樂,意法半導(dǎo)體的微電子器件無所不在,,在豐富人們的生活方面發(fā)揮著積極,、創(chuàng)新的作用。意法半導(dǎo)體代表著科技引領(lǐng)智能生活(life.augmented)的理念,。


意法半導(dǎo)體2012年凈收入84.9 億美元,。詳情請?jiān)L問公司網(wǎng)站www.st.com



[1]功率器件用大面積碳化硅和heTeroepitaxial GaN襯底

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