文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼: A
文章編號(hào): 0258-7998(2014)02-0049-04
隨著電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)向集成化方向發(fā)展,,開關(guān)變換器芯片已經(jīng)在通信、電子計(jì)算機(jī),、消費(fèi)類電子產(chǎn)品等領(lǐng)域中獲得了廣泛應(yīng)用,,其性能要求也越來(lái)越高,所以電源管理芯片的功耗,、穩(wěn)定性,、開關(guān)頻率、傳輸延遲等已經(jīng)成為設(shè)計(jì)者的重點(diǎn)研究對(duì)象[1],。為了確保芯片在電源電壓波動(dòng)情況下依然可以正常工作,,通常需要欠壓鎖定電路對(duì)電源電壓進(jìn)行監(jiān)控。開關(guān)電源芯片上電啟動(dòng)時(shí),,電源通過(guò)輸入端的等效電阻和電容對(duì)其充電,。電源芯片的電壓逐步增加,達(dá)到芯片所設(shè)計(jì)的開啟電壓時(shí)芯片開始正常工作,。開啟瞬間,,若系統(tǒng)負(fù)載電流非常大,就有可能將芯片兩端的電壓拉至芯片開啟電壓以下,,導(dǎo)致芯片一開啟就關(guān)斷,。為了避免出現(xiàn)此情況,同時(shí)實(shí)現(xiàn)對(duì)電源電壓的監(jiān)控,,通常采用欠壓鎖定電路UVLO(Under Voltage Lockout)來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)電源電壓的鎖定和監(jiān)控,。當(dāng)電源電壓低于欠壓鎖定電路的預(yù)設(shè)值時(shí),芯片被關(guān)斷,,防止系統(tǒng)崩潰,,以保證芯片安全并降低不必要的功耗,。所以欠壓鎖定電路已成為各種電源管理芯片的一個(gè)重要部分。
傳統(tǒng)的欠壓鎖定電路必須依靠外部提供基準(zhǔn)電源Vref和偏置電流IBIAS[2-3],,導(dǎo)致芯片面積增大,。另外,當(dāng)芯片由于電源電壓過(guò)低關(guān)斷時(shí),,傳統(tǒng)的欠壓鎖定電路中的比較器很可能因?yàn)榛鶞?zhǔn)電源Vref和偏置電流IBIAS的異常而無(wú)法工作,,導(dǎo)致欠壓鎖定電路輸出錯(cuò)誤信號(hào),從而影響整個(gè)芯片的可靠性,。目前,,許多參考文獻(xiàn)[4-5]提出了帶隙基準(zhǔn)電壓源結(jié)構(gòu)的UVLO電路,其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,,性能突出,,且無(wú)需外部提供基準(zhǔn)電壓和偏置電流,但沒有較好的溫度特性,。在帶隙基準(zhǔn)電壓源結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上,,本文引入了對(duì)帶隙基準(zhǔn)電壓源的溫度高階補(bǔ)償功能,從而使UVLO電路在不需要外部基準(zhǔn)電源和偏置電流的同時(shí)具有更好的溫度特性,,提高了整個(gè)電源管理芯片的可靠性,。
由式(1)可知,通過(guò)設(shè)置R1,、R2,、Vref可以實(shí)現(xiàn)不同的欠壓鎖定預(yù)設(shè)點(diǎn)和不同遲滯區(qū)間的欠壓鎖定電路。
傳統(tǒng)的欠壓鎖定電路需要外部提供基準(zhǔn)電壓Vref和偏置電流IBIAS,,這會(huì)使電源管理芯片的面積增大,,成本增加。另一方面,,晶體管的參數(shù)在溫度和寄生效應(yīng)的影響下,,使比較器的遲滯產(chǎn)生漂移,導(dǎo)致鎖定預(yù)設(shè)點(diǎn)發(fā)生漂移,,從而影響整體電路對(duì)電源電壓的鎖定和監(jiān)控,。
因此,本文提出一種基于BCD工藝的UVLO電路,,在不采用外部提供基準(zhǔn)電壓和偏置電流的前提下,,利用帶隙基準(zhǔn)電壓源結(jié)構(gòu),同時(shí)引入高階溫度補(bǔ)償功能,,使電路具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,、面積小、功耗低,、門限電壓精確,、溫度敏感性低等優(yōu)點(diǎn),。
2 具有溫度補(bǔ)償?shù)那穳烘i定電路設(shè)計(jì)及原理
2.1 欠壓鎖定電路的組成結(jié)構(gòu)
欠壓鎖定電路圖如圖2所示,晶體管Q1,、Q2與R2和R3構(gòu)成帶隙基準(zhǔn)電壓源結(jié)構(gòu)[4-5],,其中Q1、Q2的基極電流由電壓采樣電路來(lái)提供,,這就限制了R2和R3的阻值不可太大,,NPN管Qcom采用二級(jí)管連接結(jié)構(gòu),,對(duì)基準(zhǔn)進(jìn)行高階溫度補(bǔ)償,。MOS管M2、M3為其提供有源負(fù)載,,M1,、M2、M3,、M4,、M5、M6構(gòu)成電流鏡,;M7,、R0、R1,、R4形成分壓電路,;INV1、INV2對(duì)比較器的輸出波形進(jìn)行整形和緩沖,。
圖4給出了遲滯電壓隨溫度的變化,。當(dāng)T=25 ℃時(shí),VDDL=5.6 V,,VDDH=8.2 V,,遲滯區(qū)間為2.6 V。當(dāng)溫度在-30~140℃范圍內(nèi)變化時(shí),,遲滯區(qū)間的最大偏移為0.3 V,,大大地減小了遲滯電壓的溫度漂移。
本文在帶隙基準(zhǔn)電壓源結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)并優(yōu)化了一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單的欠壓鎖定電路,,使其具有高階溫度補(bǔ)償功能,,提高了UVLO電路的溫度特性。在-30~140 ℃溫度變化范圍內(nèi),,UVLO的遲滯區(qū)間為2.6 V,,且最大偏移為0.3 V,有效地減小了遲滯電壓的溫度漂移,,大大改善了欠壓鎖定電路的穩(wěn)定性和可靠性,。
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