《電子技術(shù)應(yīng)用》
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Vishay推出應(yīng)用在便攜電子產(chǎn)品中的，且具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款MOSFET

采用PowerPAK® SC-70封裝,，2mm x 2mm占位面積可顯著節(jié)省空間
2014-04-29

2014 年4 月29 日— 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布,，推出采用超小尺寸,、熱增強(qiáng)PowerPAK® SC-70封裝的新款-30V、12V VGS P溝道TrenchFET®功率MOSFET---SiA453EDJ,。該器件是2mm x 2mm占位面積的-30V器件,，在-4.5V和-2.5V柵極驅(qū)動下具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻，在便攜電子產(chǎn)品里能夠節(jié)省空間,，并提高能源效率,。

今天發(fā)布的Vishay Siliconix這款-30V VDS器件具有抵御過壓尖峰所需的余量，其12V VGS使器件在-3.7V和-2.5V下具有更低的導(dǎo)通電阻,，可用于超便攜,、電池供電的產(chǎn)品。MOSFET適用于智能手機(jī),、平板電腦,、移動計(jì)算設(shè)備、非植入式便攜醫(yī)療產(chǎn)品,、硬盤驅(qū)動器,，以及電動牙刷、刮胡刀,，掃描儀和RFID讀寫機(jī)具等手持消費(fèi)電子產(chǎn)品中的負(fù)載和輸入過壓保護(hù)開關(guān),、電池充電器、DC/DC轉(zhuǎn)換器,。對于這些應(yīng)用,，SiA453EDJ提供了18.5mΩ(-10V)、23.5mΩ(-4.5V),、26.0mΩ(-3.7V)和37.7mΩ(-2.5V)的極低導(dǎo)通電阻,，內(nèi)建ESD保護(hù)達(dá)到4000V。

SiA453EDJ在4.5V下的導(dǎo)通電阻比最接近的-30V器件低36%，比使用12V VGS的最接近器件低50%,。MOSFET在-2.5V下的導(dǎo)通電阻比僅次于這款器件的12V VGS器件低46%,。這些業(yè)內(nèi)最低的數(shù)值使設(shè)計(jì)者能在電路里實(shí)現(xiàn)更低的壓降，更有效地使用電能,，并延長電池使用壽命,。而器件的小尺寸PowerPAK SC-70封裝能節(jié)省非常重要的PCB空間。

MOSFET進(jìn)行了100%的Rg和UIS測試,，符合JEDEC JS709A的無鹵素規(guī)定,，符合RoHS指令2011/65/EU。

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