文獻(xiàn)標(biāo)識碼: A
文章編號: 0258-7998(2014)04-0035-04
隨著數(shù)字化技術(shù)的高速發(fā)展,,模/數(shù)轉(zhuǎn)換電路(ADC)逐步向高速、高精度,、低功耗的趨勢發(fā)展,。無線通信系統(tǒng)、高速存儲系統(tǒng)和千兆以太網(wǎng)等高速系統(tǒng)要求ADC的采樣速率在1 GHz以上,。出于速度上的考慮,,F(xiàn)lash結(jié)構(gòu)ADC多應(yīng)用于此類系統(tǒng)中[1]。目前,,高速系統(tǒng)對所接收的寬帶模擬信號進(jìn)行DSP(Digital Signal Process)處理時,,一般都要求ADC的轉(zhuǎn)換精度達(dá)到6~8 bit。ADC眾多結(jié)構(gòu)中的并行結(jié)構(gòu)最適合這類高速系統(tǒng)[1],。
并行的ADC系統(tǒng)結(jié)構(gòu)也有多種,,包括全并行、兩步式,、折疊和插值等,。對于前述應(yīng)用領(lǐng)域的高速ADC系統(tǒng),應(yīng)用最多的是折疊插值結(jié)構(gòu)[2],。在此結(jié)構(gòu)中,,對前端采樣保持放大器的要求很高,因?yàn)榍岸瞬蓸颖3址糯笃鞯膸捠钦麄€ADC系統(tǒng)模擬帶寬的決定因素,。為了降低前端采樣保持放大器的設(shè)計復(fù)雜程度,,節(jié)省資源,可采用分布式采樣保持(S/H)電路[3],。
在分布式采樣保持電路模塊中,,采樣開關(guān)失配所造成的隨機(jī)失調(diào)會影響采樣時間的精度性,進(jìn)而影響ADC線性度,。一般可以通過增大開關(guān)管尺寸來抑制這個現(xiàn)象,,但這樣又會引起功耗增大、寄生電容增大等不利因素,。
本文提出了一種可有效提高INL的基于電容平均網(wǎng)絡(luò)的失調(diào)平均技術(shù),。電容平均網(wǎng)絡(luò)利用分布式S/H電路的保持電容和一系列平均電容實(shí)現(xiàn)。該技術(shù)可以抑制70%的INL誤差,,并且對DNL誤差也有很明顯的抑制作用,。相比較電阻失調(diào)平均技術(shù)[4],電容失調(diào)平均技術(shù)有極低的靜態(tài)功耗,,并且對INL誤差的抑制優(yōu)于電阻平均網(wǎng)絡(luò),。
1 電阻失調(diào)平均技術(shù)
電阻失調(diào)平均技術(shù)的最初形式由Kattmann和Barrow提出,應(yīng)用于BJT工藝的典型Flash ADC結(jié)構(gòu)[4]。隨著MOS工藝的發(fā)展,,電阻失調(diào)平均技術(shù)越來越多地應(yīng)用于MOS工藝的Flash ADC中,,使ADC的DNL和INL指標(biāo)都得到改善[5-7],且DNL的改善更加明顯,。通過改變平均電阻的大小,,可以調(diào)節(jié)DNL、INL的改善程度,,隨著平均電阻阻值的減小,,DNL、INL的改善情況更加明顯[8-10],。
2 電容失調(diào)平均技術(shù)
本文中提出了一種電容平均網(wǎng)絡(luò)的失調(diào)平均技術(shù),,即在分布式S/H電路的輸入端加入電容平均網(wǎng)絡(luò)。圖1是帶電容平均網(wǎng)絡(luò)的差分分布式S/H電路,,其中Ci是S/H電路中的電容,,Cn是失調(diào)平均電容,兩者共同構(gòu)成電容平均網(wǎng)絡(luò),。
電容失調(diào)平均網(wǎng)絡(luò)對INL和DNL的抑制比的結(jié)果如圖3所示,。可以看出隨著Cn的增加,,INL和DNL都迅速降低,,且INL的減小速度明顯高于DNL的減小速度,幾乎達(dá)到4倍以上,。
當(dāng)分辨率為8 bit時,,引入電容失調(diào)平均網(wǎng)絡(luò)使平均電容Cn等于Ci,圖4顯示了此條件下DNL,、INL的變化情況,。可以看出DNL,、INL減小了70%以上,,得到了明顯的改善。隨著Cn的增大,,DNL,、INL的抑制會明顯增加。
3 電容平均網(wǎng)絡(luò)設(shè)計優(yōu)化
在實(shí)際電路中,,所采用的電容失調(diào)平均網(wǎng)絡(luò)不可能是無限長的,,對于有限長的電容平均網(wǎng)絡(luò),其兩端邊界一定會對電路產(chǎn)生影響,。針對這種情況,,一般采取的方法是在兩端增加足夠的相同結(jié)構(gòu)電路,,使邊界產(chǎn)生的影響在有限長的電路網(wǎng)絡(luò)中變得很小,不影響其功能,。這些電路稱為冗余(overrange)電路[4],。在此電容平均網(wǎng)絡(luò)中加入冗余放大器和相應(yīng)的平均電容就可以減小邊界的影響。但是加入過多的冗余電路又會帶來其他問題,,比如功耗的增加,、輸入信號擺幅的降低等。
為了解決這些問題,,需要對電容平均技術(shù)進(jìn)行優(yōu)化,。建立電容平均網(wǎng)絡(luò)的單邊靜態(tài)工作模型,,如圖5所示,,電壓U是比較器前端連接的參考電壓,在無限長網(wǎng)絡(luò)中,,所有網(wǎng)孔電流都相等,。為了使有限長網(wǎng)絡(luò)等效無限長電容平均網(wǎng)絡(luò),只能改變電路中可以控制的平均電容Cn的值,,使得每個網(wǎng)孔電流仍然相同,,那么,除了邊界以外的所有其他電路部分看起來就和無限長網(wǎng)絡(luò)一樣,。這樣就優(yōu)化了電容平均技術(shù),,減小邊界的影響。為改變邊界處的平均電容值,,設(shè)電容值為Cx,,建立網(wǎng)孔電流方程為:
所以,只要在電路中加入一個式(17)所表達(dá)的參考電壓值和兩端相應(yīng)的冗余電路就可以完成電容平均網(wǎng)絡(luò)的優(yōu)化,。
當(dāng)Flash ADC電路應(yīng)用了電容平均網(wǎng)絡(luò)后,,其INL、DNL指標(biāo)都得到了很大的改善,。相對于電阻失調(diào)平均網(wǎng)絡(luò),,它對INL的改善更加有力,在物理實(shí)現(xiàn)上也相對精確,。隨著對ADC電路的高速,、高精度、低功耗特性越來越高的要求,,電容誤差平均電路將為它提供更好的性能,。
參考文獻(xiàn)
[1] 徐世六.高速A/D轉(zhuǎn)換器技術(shù)及其產(chǎn)品發(fā)展研究[J].微電子學(xué),2004,,34(6):597-605.
[2] GRAY P R,,HURST P J,,LEWIS S H,et al.Analysis and design of analog integrated circuits(4th ed)[M].New York:Wiley,,2001.
[3] ALLEN P E,,HOLBERG D R.CMOS analog circuit design(2nd ed)[M].USA:Oxford University Press,2002.
[4] KATTMANN K,,BARROW J.A technique for reducing differential non-linearity errors in flash A/D converters[C].in ISSCC Dig.Tech.Papers,,San Francisco,CA.Feb.1991:170-171.
[5] PAN H,,SEGAMI M,,CHOI M,et al.A 3.3-V 12-b 50-MS/s A/D converter in 0.6-μm CMOS with over 80-dB SFDR[J].IEEE J.Solid-State Circuits,,2000,,35(12):1769-1780.
[6] CHOI M,ABIDI A A.A 6 b 1.3 G Sample/s A/D converter in 0.35 μm CMOS[J].IEEE J.Solid-State Circuits,,2001,,36(12):1847-1858.
[7] SCHOLTENS P.A 2.5 volt 6 bit 600 MS/s Flash ADC in 0.25 μm CMOS[C].in Proc.Eur.Solid-State Circuits Conf.,Stockholm,,Sweden,,2000:224-227.
[8] SCHOLTENS P,VERTREGT M.A 6-b 1.6 G Sample/s flash ADC in 0.18-μm CMOS using averaging termination[J]. IEEE J.Solid-State Circuits,,2002,,37(12):1599-1609.
[9] 黃帥,喬雙.SPCE061A內(nèi)置ADC非線性誤差的補(bǔ)償方法[J].東北大學(xué)學(xué)報,,2011,,43(2):68-71.
[10] BULT K,BUCHWALD A.An embedded 240-mW 10-b 50 MS/s CMOS ADC in 1-mm2[J].IEEE J.Solid-State Circuits,,1997,,32(12):1887-1895.