日前,，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布,，推出采用小尺寸,、散熱增強(qiáng)型PowerPAK^®MLP 5mm x 5mm的31pin封裝的VRPower^®集成DrMOS新品---SiC620,。Vishay Siliconix SiC620輸出電流超過(guò)60A，尺寸比前一代6mm x 6mm尺寸小30%,，但效率更高出3%,，最高可達(dá)95%。這些器件封裝的寄生參數(shù)比離散方案小,，使開(kāi)關(guān)頻率可以達(dá)到1.5MHz,，能有效提高功率密度，降低總體方案成本,。

該器件包含的高端和低邊TrenchFET^®Gen IV N溝道低導(dǎo)通阻抗的MOSFET,，先進(jìn)的MOSFET驅(qū)動(dòng)IC，以及自舉的肖特基勢(shì)壘二極管,，全部集成在小尺寸25mm²面積內(nèi),。SiC620的驅(qū)動(dòng)IC兼容各種PWM控制器，支持5V和3.3V的三態(tài)PWM邏輯,。

SiC620家族完全符合DrMOS 4.0標(biāo)準(zhǔn),，針對(duì)筆記本電腦,、服務(wù)器、游戲機(jī),、圖形卡、交換機(jī)和存儲(chǔ)系統(tǒng),，以及其他采用CPU的高功率系統(tǒng)中的高功率,、多相降壓穩(wěn)壓器，以及大電流的非隔離負(fù)載點(diǎn)模塊,。Buck變換器在12V輸入時(shí)是最優(yōu)的,，輸入電壓可以從4.5V到16V的范圍，PWM傳輸延遲小于20ns,。器件具有優(yōu)異的散熱性能,，工作溫度比前一代方案的溫度低50℃以上。

器件的驅(qū)動(dòng)IC集成了零電流檢測(cè)電路,，可以改善輕負(fù)載條件下的效率,，且自適應(yīng)式死區(qū)時(shí)間控制有助于進(jìn)一步提高所有負(fù)載點(diǎn)下的效率。保護(hù)功能包括欠壓鎖定(UVLO),、擊穿保護(hù)和過(guò)熱警告以便在結(jié)溫過(guò)高時(shí)向系統(tǒng)發(fā)出告警,。