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英特爾芯片開發(fā)受阻 10nm要等到2017

2015-01-21
關(guān)鍵詞: 臺積電 10nm 高通 14nm

半導體工藝進入1xnm節(jié)點之后,,各大巨頭都遭遇了嚴重的困難,,尤其是Intel 14nm出現(xiàn)了前所未有的延遲,,與計劃進度嚴重脫節(jié),,至今只有寥寥兩個產(chǎn)品線,今年下半年才會全面普及,。

臺積電16nm原本寄予厚望,,2015年初就要快速量產(chǎn),結(jié)果連續(xù)跳票,,現(xiàn)在看最快也得年底了,,甚至得2016年。

三星14nm相對還好一些,,起步雖晚但是進步很快,,據(jù)說良品率提高很快,又拉上Global Foundries做同盟,,已經(jīng)贏得了蘋果,、高通的芳心,。

如果按照原先的Tick-Tock發(fā)展模式,,后續(xù)進展順利的話,Intel應(yīng)該在2016年底推出10nm工藝新品,,據(jù)說代號為“Cannonlake”,,取代這兩年的14nm Broadwell/Skylake,但情況極為不樂觀,。

Intel CEO柯再奇近日也公開談到了10nm,,但他沒有給出好消息,而是說他們還在繼續(xù)研究,,尚未確立時間表,。這就意味著2016年底推進到10nm的可能性已經(jīng)基本為零了。

而對于臺積電來說,,日子也不好過,。近來關(guān)于臺積電16nm Fin FET工藝進展不順的風言風語很多,比如說設(shè)備安裝推遲到下半年,,大規(guī)模量產(chǎn)可能得等明年了,,迫使高通、蘋果兩大客戶紛紛投靠三星14nm Fin FET,。

在近日的投資者大會上,,臺積電董事長張忠謀也承認,2015年的Fin FET技術(shù)市場上,,臺積電將會輸給三星,,但在2017-2018年,臺積電將會實現(xiàn)反超,。

他同時披露說,,已經(jīng)有50多名客戶利用臺積電16nm Fin FET工藝完成了新品流片工作,,大多數(shù)會在2015年第三季度投入量產(chǎn),新工藝也將在第四季度貢獻5-10%的收入,。

這就等于承認,,此前說的2015年中量產(chǎn)已經(jīng)不可能,而從收入比例上看,,所謂的第三季度量產(chǎn)也僅僅是個開始,,真正成熟最快也得今年底,和此前的推測基本相符,。

臺積電甚至說已經(jīng)有一位客戶開始使用其16nmFinFET工藝生產(chǎn)芯片了,,但具體是誰不肯說,而大多數(shù)客戶都選擇等待更好的16nmFinFET+,。

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