2015年1月26日,，武漢新芯集成電路制造有限公司（XMC）,，今日宣布其第一個基于 SST 應用方案的55nm嵌入式閃存工藝驗證模塊上已經(jīng)取得成功，其高壓和存儲單元電性測試結果與設計目標值完全吻合,，16M存儲陣列良率符合預期,。這是武漢新芯低功耗嵌入式閃存技術研發(fā)的一個重要里程碑,。

武漢新芯于2014年正式開始與 SST 合作開發(fā)高可靠性的嵌入式閃存技術。在雙方工程師的共同努力下,，僅用不到一年時間就完成了技術導入,、工藝設計和器件研發(fā)制造。目前,，器件的高壓（HV）和單元（Cell）電性參數(shù)完全符合預期,，整體電路結構兼具高可靠性和低成本，能完全滿足智能卡和物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品的需求,。緊接著,，武漢新芯將與合作伙伴試產(chǎn)智能卡產(chǎn)品，以驗證終端產(chǎn)品功能和性能,，并以此進一步優(yōu)化工藝,、提升良率,，實現(xiàn)量產(chǎn)。

“在55nm嵌入式閃存工藝上取得的進展意味著武漢新芯正穩(wěn)步推進自己55nm低功耗物聯(lián)網(wǎng)平臺的建設,。”武漢新芯市場部副總裁黃建冬博士說道,，“我們將繼續(xù)拓展現(xiàn)有的制造能力，持續(xù)完善工藝平臺,，為客戶帶來更多定制化的技術與代工服務,。”