曾經(jīng)負責AMD GDDR5開發(fā)的Joe Macri,，日前向硬件網(wǎng)站techreport.com透露了AMD HBM內(nèi)存細節(jié),，HBM內(nèi)存用來取代高功耗,、大面積占用的GDDR5內(nèi)存。Joe Macri表示,，HBM內(nèi)存在設(shè)計上非常接近GPU,，同時采用3D堆疊設(shè)計。任何HBM解決方案有三個基本組成部分：一個主芯片（一個GPU,，CPU或SoC）,，一個或多個DRAM堆棧和下方被稱為“interposer”的硅晶片，interposer完全是被動的,，是沒有活性的晶體管,，因為它僅作為主邏輯芯片與DRAM堆疊之間的高速數(shù)據(jù)通道。
　　雖然interposer是必不可少的,，HBM真正令人感興趣的創(chuàng)新是堆疊存儲器,。每個HBM內(nèi)存堆棧包括五個芯片：四個內(nèi)存芯片和一個邏輯芯片。這五個芯片通過稱為穿透硅通孔（TSV）垂直彼此連接,。這些內(nèi)存芯片是令人難以置信的薄,，只有100微米。
　　這些內(nèi)存芯片工作電壓1.3V,，工作頻率500MHz，傳輸速率1Gbps,，但是極寬的接口彌補了參數(shù)方面對GDDR5參數(shù)的劣勢,，每個堆棧有1024位接口寬度，每個GDDR5芯片只有32位寬度,，每個堆棧并且提供128 GB/s帶寬,。
　　目前SK海力士正在與AMD合作生產(chǎn)HBM。