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美光HBM內(nèi)存能效優(yōu)異迅速成為韓廠威脅

2024-06-03
來(lái)源:IT之家

6 月 3 日消息,韓媒 ETNews 近日?qǐng)?bào)道指,,在優(yōu)異能效等因素下,,美光正迅速在 HBM 內(nèi)存領(lǐng)域成為 SK 海力士三星電子兩大韓國(guó)存儲(chǔ)企業(yè)的威脅。

由于多重影響,,美光傳統(tǒng)上在 HBM 領(lǐng)域處于弱勢(shì),。但美光在 2022 年大膽放棄了 HBM3 的量產(chǎn),將精力集中在了 HBM3E 內(nèi)存的研發(fā)和改進(jìn)上,。

這一決策收獲了豐碩的成果:美光已接獲 HBM 最大需方英偉達(dá)的訂單,,并開(kāi)始向英偉達(dá) H200 AI GPU 出貨 HBM3E 內(nèi)存。

美光迅速成為韓廠威脅的重要原因之一是能效優(yōu)勢(shì):美光宣稱其 8Hi 堆疊的 24GB HBM3E 內(nèi)存功耗比競(jìng)品低 30%,。

AI 需求爆發(fā)的當(dāng)下,,低功耗技術(shù)逐漸成為業(yè)界關(guān)注的焦點(diǎn),。更節(jié)能的 HBM3E 內(nèi)存可降低系統(tǒng)發(fā)熱和用電量,,減少散熱需求,,最終降低 AI 數(shù)據(jù)中心的 TCO。

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此外,,美國(guó)渴望擴(kuò)大半導(dǎo)體自給自足率,,在這一大背景下美光獲得了美國(guó)政府大量資金支持,得以新建大型存儲(chǔ)晶圓廠,。

美光的美國(guó)身份也使其更容易接觸英特爾和 AMD 這另外兩家 AI 芯片企業(yè),,便于拿下更多的 HBM 訂單。

而在產(chǎn)能方面,,根據(jù) TrendForce 集邦咨詢今年 3 月的研報(bào),,美光在 2023 底的 HBM 產(chǎn)能僅有每月 3000 片 12 英寸晶圓,占到整體市場(chǎng)的 3.2%,。

到 2024 年底,,美光有望實(shí)現(xiàn)每月 20000 片晶圓的 HBM 產(chǎn)能,市場(chǎng)占比也大幅提升至 11.4%,。

在美光未來(lái)產(chǎn)品方面,,根據(jù)IT之家此前報(bào)道,其單堆棧容量可達(dá) 36GB 的 12Hi HBM3E 內(nèi)存已于 3 月初完成采樣,,計(jì)劃 2025 年實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn),。

展望更遠(yuǎn)的 HBM4 世代,韓媒稱美光計(jì)劃在 2025 下半年實(shí)現(xiàn) HBM4 內(nèi)存的開(kāi)發(fā),,HBM4E 的開(kāi)發(fā)完成則落在 2028 年,。


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