聯(lián)電有意推動28納米制程在廈門廠生產(chǎn),。李建梁攝晶圓代工廠聯(lián)電看好大陸對于28納米制程需求將大爆發(fā),，積極為廈門12吋廠28納米制程投產(chǎn)解套，礙于半導體西進N-1世代技術(shù)法令限制,，近期聯(lián)電與IC設(shè)計業(yè)者展開18納米制程合作,，全面為廈門12吋廠挺進28納米制程鋪路。不過,，相關(guān)消息仍待聯(lián)電對外宣布,。

　　全球半導體先進技術(shù)進入16/14納米FinFET制程競賽，然28納米制程仍扮演重要角色,，由于大陸移動通訊產(chǎn)品需求旺盛,，業(yè)者預期28納米制程至少會再熱絡(luò)3年，聯(lián)電看準這一波商機,，全力為廈門12吋廠生產(chǎn)28納米制程解套,。

　　聯(lián)電廈門12吋廠已動土興建，并申請55和40納米制程西進,，由于40與28納米PolySiON制程多數(shù)機臺設(shè)備都相通,，聯(lián)電希望28納米制程能在廈門廠合法生產(chǎn)。根據(jù)既有半導體廠西進設(shè)立12吋廠法令規(guī)范,，必須是N-1世代技術(shù),，因為聯(lián)電并沒有20納米制程技術(shù)，聯(lián)電若要在廈門廠生產(chǎn)28納米制程,，必須在臺灣量產(chǎn)14納米制程。

　　半導體業(yè)者透露,，14納米FinFET制程難度非常高,，即便是臺積電和三星電子(Samsung Electronics)在16/14納米制程亦耗費非常久的時間，2015年才陸續(xù)進入量產(chǎn),，聯(lián)電14納米制程雖號稱2015年中進入試產(chǎn),，預計2016年量產(chǎn)，但內(nèi)部評估需要更長時間,，如此恐延誤廈門12吋廠生產(chǎn)28納米時程,，聯(lián)電內(nèi)部遂決定另辟戰(zhàn)場，研發(fā)18納米制程為廈門廠解套,。

　　由于不少IC設(shè)計業(yè)者認為采用14納米制程生產(chǎn)太貴,，有意與聯(lián)電共同打造一個效能、耗電都優(yōu)于28納米，但成本低于14納米的制程世代,，聯(lián)電遂決定投入18納米制程,，初期僅規(guī)劃1萬片產(chǎn)能。

　　半導體業(yè)者認為,，聯(lián)電28納米制程系延續(xù)臺積電T-Like設(shè)計,，采用Gate-Last制程，其他如GlobalFoundries等都是采用Gate-First制程,，很難說服臺積電現(xiàn)有的28納米制程客戶轉(zhuǎn)單,，聯(lián)電想要借由28納米制程在大陸搶市占是可行的策略。

　　業(yè)界傳出聯(lián)電18納米制程采用FinFET設(shè)計,，技術(shù)難度也相當高,，聯(lián)電好不容易量產(chǎn)28納米，并投入14納米制程,，若要再發(fā)展18納米制程,，恐分散內(nèi)部研發(fā)資源。