作為全球最大的代工廠,，臺積電這幾年并不是很順利，但每每展望未來總是一片光明：2016年第四季度量產10nm,，2018投產7nm……那么再往后呢,？就是5nm了,。嗯，沒錯,，越往后進步幅度就會越小,，5nm之后還能不能繼續(xù)前進都是個大問題了。

       為了解決工藝提升中的各種復雜挑戰(zhàn),，半導體行業(yè)早就想出了各種各樣的高招,，但因為成本太過于高昂，技術太過于復雜,，一直都很難投入實用,，比如說極紫外光刻(EUV)。

       根據規(guī)劃,， 臺積電的10nm,、7nm都會用上EUV極紫外技術，更遙遠的5nm也會如此,，而且還會加入新的多重電子束技術(multipe e-beam),。

       不過,，5nm還屬于長期規(guī)劃，需要解決的問題太多太多,，何時投產尚無明確時間表,，臺積電只是說會在2014-2019年間不斷研究5nm。

       業(yè)內人士預計,，10nm之后的工藝至少5年以后才能實現,，照這么預計及時7nm也得等到2020年，而按照臺積電這幾年的拖沓表現,，還真不好說,。

       Intel也在一直研究極紫外光刻和450毫米大晶圓，但多次推遲了投產進度,。450毫米晶圓已經在試產,，應該會在10nm上使用。極紫外說不定得等7nm,。