一個(gè)電壓反饋放大器宏模型可以仿真共同效果,如瞬態(tài)響應(yīng),、頻率響應(yīng),、電壓噪聲和輸入/輸出壓擺率(slew rate)限制。接下來(lái)我們將以實(shí)例模型詳盡描述每個(gè)級(jí)和相關(guān)實(shí)際器件的行為,。這里沒(méi)有提供完整的晶體管原理圖,,客戶可以利用充分提取的3D器件模型進(jìn)行精確的仿真來(lái)開發(fā)宏模型。
第一個(gè)關(guān)于運(yùn)算放大器宏 模型的技術(shù)是由Boyle在1974年開發(fā)的,,僅使用了兩個(gè)晶體管,、幾個(gè)二極管和線性元件。[1]電阻,、電容,、電感器和電壓/電流控制源等線性元件的仿真 遠(yuǎn)遠(yuǎn)快于有源元件(active element),并可用來(lái)提供極點(diǎn),、零點(diǎn)和任意增益,。采用DC模型,可以用一個(gè)電壓控制電壓源作放大器,,同時(shí)可以增加電阻以更好地表示輸入和輸出阻抗,。電容、電感,、二極管和晶體管可以提供適當(dāng)?shù)慕涣黜憫?yīng),。欲了解更多關(guān)于仿真模型的開發(fā)信息,請(qǐng)參見參考文獻(xiàn)Alexander和Bowers[2]和[3],。他們的模型如本例后面所述,。
ISL28133是一個(gè)采用電壓反饋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的零漂移運(yùn)算放大器。其增益帶寬積為400kHz,,壓擺率為0.2V/微秒,,電源電流為18μA。圖1顯示了一個(gè)五級(jí)模型,,它代表了實(shí)際電路框圖,。這些級(jí)包括輸入、增益,、頻率整形,、輸出和噪聲模塊。
圖1. ISL28133宏模型框圖
(圖字:輸入級(jí),,增益級(jí),,頻率整形級(jí),輸出級(jí),,噪聲模塊)
輸入級(jí)
零漂移放大器的 輸入級(jí)如圖2所示,。100μA的電流源“I2”饋送pmos輸入對(duì),。一般情況下,,I2應(yīng)選擇低于靜態(tài)電流。請(qǐng)記住,,ISL28133的典型電源電流 (RL=open)僅為18μA,。然而,,很小的I2(約10μA)將使輸入電壓噪聲過(guò)大而無(wú)法仿真。這將在后面的噪聲分析部分討論,。選擇 I2=100μA,,并使用I1進(jìn)行補(bǔ)償。Cin1和Cin2是輸入共模電容,,Cdiff是差模輸入電容,。
圖2. 輸入級(jí)
增益級(jí)
這一級(jí)可以執(zhí)行模型中的一些重要功能
1)本級(jí)設(shè)置該部分的DC增益。所有后續(xù)級(jí)均可提供增益,。
2)可實(shí)現(xiàn)壓擺率限制,。
3)在AC特性中增加主極點(diǎn)(dominant pole)。
4)將信號(hào)從以電源作為參考量的兩個(gè)電壓水平移位至一個(gè)以中點(diǎn)作為參考量的單電壓,。
5)限制輸出,。
參見圖3,Ga是電路(block)G1和G2的增益,。Gb是電路G3和G4的增益,。
改變V3和V4的值可以限制壓擺率。此外,,R8/C1和R7/C2決定了這一模式的主極點(diǎn),。E1用來(lái)在Vcc和Vee的中間設(shè)置參考電平。
圖3. 增益級(jí)
頻率整形級(jí)
這里采用的“伸縮”頻率整形技術(shù)是常見的運(yùn)算放大器建模方法,。它很容易增加更多的極點(diǎn)和零點(diǎn),。每個(gè)頻率整形電路可以提供增益。這個(gè)模型包含的零極對(duì)如圖4所示,。
高階極點(diǎn)級(jí)G7/8,、R13/14和C3/4如圖5所示。
圖4. 零極點(diǎn)對(duì)兒級(jí)
圖5. 高階極點(diǎn)級(jí)
噪聲仿真
ISL28133的輸入電流噪聲非常小(約70),,所以在這個(gè)模型中可以忽略不計(jì),。MOSFET的電壓噪聲可以用以下公式仿真:
ID是漏電流。高偏置電流需要低電壓噪聲,。 在輸入級(jí),,尾電流設(shè)置得足夠高,,以產(chǎn)生可以忽略的輸入電壓噪聲。在增加噪聲源之前,,該模型將提供低于數(shù)據(jù)表中的規(guī)格或典型性能噪聲曲線的噪聲,。圖6的噪聲 電壓模塊可通過(guò)使用一個(gè)偏置二極管-電阻器串聯(lián)組合的0.1V電壓源生成1/f和白噪聲。白噪聲是由熱噪聲電流產(chǎn)生的,。
因此,,給定噪聲電壓譜密度的所需電阻值為
該斬波穩(wěn)定放大器設(shè)計(jì)可大大減少1/f噪聲。1/f噪聲(閃爍噪聲,,flicker noise)指的是出現(xiàn)的與頻率成反比的功率譜密度噪聲,。更為普遍的是,具有譜密度()的噪聲也稱為1/f噪聲,。通常情況下,,其中的穿越白噪聲曲線的頻率閃爍噪聲曲線被定義為拐角頻率(corner frequency)。少量的閃爍噪聲仍然可在SPICE二極管模型內(nèi)進(jìn)行建模,,參見圖6,。
圖6. 噪聲電壓模塊
輸出級(jí)
在頻率整形級(jí)之后,信號(hào)出現(xiàn)在節(jié)點(diǎn)VV5,,它以兩個(gè)電源軌的中點(diǎn)作為參考量,。每個(gè)受控源可以產(chǎn)生足夠的電流,以支持其并聯(lián)電阻兩端所需的電壓 降,。R15和R16等于開環(huán)輸出電阻的兩倍,,所以它們的并聯(lián)組合可提供正確的Zout。D5-D8和G9/10被用來(lái)迫使電流從正電壓軌 (positive rail)流向負(fù)電壓軌(negative rail),,以糾正實(shí)際電流流入或流出,。
圖7. 輸出級(jí)
仿真結(jié)果
以下列出了某些SPICE仿真結(jié)果與來(lái)自手冊(cè)的典型性能曲線的比較(見右邊來(lái)自手冊(cè)的圖)。
圖8. 增益,、頻率與CL的對(duì)比
(圖字:標(biāo)準(zhǔn)增益(dB),,頻率(Hz))
圖8是增益、頻率與負(fù)載電容的對(duì)比,。它不是很準(zhǔn)確,,因?yàn)殡娐钒迳系募纳娙輿](méi)有列在模型中。其誤差小于5%,。
圖9. 頻率響應(yīng)與閉環(huán)增益對(duì)比
(圖字:增益(dB),,頻率(Hz))
圖9是具有不同增益的閉環(huán)增益頻率響應(yīng)。在增益=100時(shí),,帶寬為3.94kHz,,誤差小于5%。在低增益條件下,,由于零極點(diǎn)對(duì)的緣故帶寬擴(kuò)大,。
圖10. 大信號(hào)階躍響應(yīng)(4V)
(圖字:大信號(hào)(V),,時(shí)間(μs))
圖10是大信號(hào)階躍響應(yīng)。仿真的壓擺率為0.198V/μs,,誤差為1%,。
結(jié)論
電壓反饋放大器全 面的SPICE宏模型包括諸如傳輸響應(yīng)(transfer response)、準(zhǔn)確的AC響應(yīng),,DC偏移和電壓噪聲的影響,。它很容易增加更多的功能,,如共模抑制比(CMRR),、電源抑制比(PSRR)、輸入電流 噪聲等等,。此外,,它還可以方便地改變模型的參數(shù),以適應(yīng)其他的電壓反饋放大器,。幾款I(lǐng)ntersil的電壓反饋放大器采用了相同的模式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),。
ISL28133宏模型網(wǎng)表
* ISL28133宏模型
* B版本,2009年7月
* 該模型可仿真AC特性,、電壓噪聲,、瞬態(tài)響應(yīng)
* 連接: +輸入
* | -輸入
* | | +電源電壓
* | | | -電源電壓
* | | | | 輸出
* | | | | |
.subckt ISL28133 3 2 7 4 6
*Input Stage
C_Cin1 8 0 1.12p
C_Cin2 2 0 1.12p
C_Cd 8 2 1.6p
R_R1 9 10 10
R_R2 10 11 10
R_R3 4 12 100
R_R4 4 13 100
M_M1 12 8 9 9 pmosisil
+ L=50u
+ W=50u
M_M2 13 2 11 11 pmosisil
+ L=50u
+ W=50u
I_I1 4 7 DC 92uA
I_I2 7 10 DC 100uA
*Gain stage
G_G1 4 VV2 13 12 0.0002
G_G2 7 VV2 13 12 0.0002
R_R5 4 VV2 1.3Meg
R_R6 VV2 7 1.3Meg
D_D1 4 14 DX
D_D2 15 7 DX
V_V3 VV2 14 0.7Vdc
V_V4 15 VV2 0.7Vdc
*SR limit first pole
G_G3 4 VV3 VV2 16 1
G_G4 7 VV3 VV2 16 1
R_R7 4 VV3 1meg
R_R8 VV3 7 1meg
C_C1 VV3 7 12u
C_C2 4 VV3 12u
D_D3 4 17 DX
D_D4 18 7 DX
V_V5 VV3 17 0.7Vdc
V_V6 18 VV3 0.7Vdc
*Zero/Pole
E_E1 16 4 7 4 0.5
G_G5 4 VV4 VV3 16 0.000001
G_G6 7 VV4 VV3 16 0.000001
L_L1 20 7 0.3H
R_R12 20 7 2.5meg
R_R11 VV4 20 1meg
L_L2 4 19 0.3H
R_R9 4 19 2.5meg
R_R10 19 VV4 1meg
*Pole
G_G7 4 VV5 VV4 16 0.000001
G_G8 7 VV5 VV4 16 0.000001
C_C3 VV5 7 0.12p
C_C4 4 VV5 0.12p
R_R13 4 VV5 1meg
R_R14 VV5 7 1meg
*Output Stage
G_G9 21 4 6 VV5 0.0000125
G_G10 22 4 VV5 6 0.0000125
D_D5 4 21 DY
D_D6 4 22 DY
D_D7 7 21 DX
D_D8 7 22 DX
R_R15 4 6 8k
R_R16 6 7 8k
G_G11 6 4 VV5 4 -0.000125
G_G12 7 6 7 VV5 -0.000125
*Voltage Noise
D_DN1 102 101 DN
D_DN2 104 103 DN
R_R21 0 101 120k
R_R22 0 103 120k
E_EN 8 3 101 103 1
V_V15 102 0 0.1Vdc
V_V16 104 0 0.1Vdc
.model pmosisil pmos (kp=16e-3 vto=10m)
.model DN D(KF=6.4E-16 AF=1)
.MODEL DX D(IS=1E-18 Rs=1)
.MODEL DY D(IS=1E-15 BV=50 Rs=1)
.ends ISL28133
參考文獻(xiàn)
1. BOYLE,G.R.,,“集成電路運(yùn)算放大器的宏建?!保琁EEE J. 1974, SC-9,。
2. Derek Bowers,、Mark Alexander、Joe Buxton,,“‘電流反饋’運(yùn)算放大器的綜合仿真宏模型”,,IEEE學(xué)報(bào),137卷,,1990年4月,,137-145頁(yè)。
3. Mark Alexander,、Derek Bowers,,“符合AN-138 SPICE的運(yùn)算放大器宏模型”,ADI公司,,應(yīng)用筆記138,。
4. “用于‘電流反饋’放大器的全面SPICE宏模型AN-840的開發(fā)”,美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司,,應(yīng)用筆記840,。