開篇前言

　　關(guān)于SiC MOSFET的并聯(lián)問題,，英飛凌已陸續(xù)推出了很多技術(shù)資料,，幫助大家更好的理解與應(yīng)用,。此文章將借助器件SPICE模型與Simetrix仿真環(huán)境，分析SiC MOSFET單管在并聯(lián)條件下的均流特性,。

　　特別提醒

　　仿真無法替代實驗,，僅供參考。

　　1,、選取仿真研究對象

　　SiC MOSFET

　　IMZ120R045M1（1200V/45mΩ）,、TO247-4pin、兩并聯(lián)

　　Driver IC

　　1EDI40I12AF,、單通道,、磁隔離、驅(qū)動電流±4A（min）

　　2,、仿真電路Setup

　　如圖1所示,，基于雙脈沖的思路，搭建雙管并聯(lián)的主回路和驅(qū)動回路,，并設(shè)置相關(guān)雜散參數(shù),，環(huán)境溫度為室溫。

　　外部主回路：直流源800Vdc,、母線電容Capacitor（含寄生參數(shù)）,、母線電容與半橋電路之間的雜散電感Ldc_P和Ldc_N、雙脈沖電感Ls_DPT

　　并聯(lián)主回路：整體為半橋結(jié)構(gòu),，雙脈沖驅(qū)動下橋SiC MOSFET,，與上橋的SiC MOSFET Body Diode進行換流。下橋為Q11和Q12兩顆IMZ120R045M1,，經(jīng)過各自發(fā)射極（源極）電感Lex_Q11和Lex_Q12,，以及各自集電極（漏極）電感Lcx_Q11和Lcx_Q12并聯(lián)到一起；同理上橋的Q21和Q22的并聯(lián)結(jié)構(gòu)也是類似連接,。

　　并聯(lián)驅(qū)動回路：基于TO247-4pin的開爾文結(jié)構(gòu),，功率發(fā)射極與信號發(fā)射級可彼此解耦，再加上1EDI40I12AF這顆驅(qū)動芯片已配備OUTP與OUTN管腳,，所以每個單管的驅(qū)動部分都有各自的Rgon、Rgoff和Rgee（發(fā)射極電阻）,，進行兩并聯(lián)后與驅(qū)動IC的副邊相應(yīng)管腳連接,。

　　驅(qū)動部分設(shè)置：通過調(diào)整驅(qū)動IC副邊電源和穩(wěn)壓電路，調(diào)整門級電壓Vgs=+15V/-3V,，然后設(shè)置門極電阻Rgon=15Ω,，Rgoff=5Ω，Rgee先近似設(shè)為0Ω（1pΩ）,，外加單管門極與驅(qū)動IC之間的PCB走線電感,。

　　圖1.基于TO247-4Pin的SiC雙管并聯(lián)的雙脈沖電路示意圖

　　3,、并聯(lián)動態(tài)均流仿真

　　SiC MOSFET并聯(lián)的動態(tài)均流與IGBT類似，只是SiC MOSFET開關(guān)速度更快,，對一些并聯(lián)參數(shù)會更為敏感,。如圖2所示，我們先分析下橋Q11和Q12在雙脈沖開關(guān)過程中的動態(tài)均流特性及其影響因素：

　　圖2.下橋SiC雙管并聯(lián)的雙脈沖電路示意圖

　　3.1 器件外部功率源極電感Lex對并聯(lián)開關(guān)特性的影響

　　設(shè)置Lex_Q11=5nH,Lex_Q12=10nH,，其他參數(shù)及仿真結(jié)果如下：

　　圖3.不同Lex電感的并聯(lián)均流仿真結(jié)果

　　3.2 器件外部功率漏極電感Lcx對并聯(lián)開關(guān)特性的影響

　　設(shè)置Lcx_Q11=5nH,Lcx_Q12=10nH,，其他參數(shù)及仿真結(jié)果如下：

　　圖4.不同Lcx電感的并聯(lián)均流仿真結(jié)果

　　3.3 器件外部門級電感Lgx對并聯(lián)開關(guān)特性的影響

　　設(shè)置門級電感Lgx_Q11=20nH,Lgx_Q12=40nH，其中Rgon和Rgoff的門級電感都是Lgx,，其他參數(shù)及仿真結(jié)果如下：

　　圖5.不同Lgx電感的并聯(lián)均流仿真結(jié)果

　　3.4器件外部源極環(huán)流電感Lgxe和環(huán)流電阻Rgee對并聯(lián)開關(guān)特性的影響

　　在Lex電感不對稱（不均流）的情況下,，設(shè)置不同的源極抑制電感和電阻Lgxe=20nH,Rgee=1Ω和3Ω，看看對驅(qū)動環(huán)流的抑制與均流效果,，其仿真結(jié)果如下：

　　4,、總結(jié)

　　基于以上TO247-4pin的SiC MOSFET兩并聯(lián)的仿真條件與結(jié)果，我們可以得到如下一些初步的結(jié)論：

　　1,、并聯(lián)單管的源極電感Lex差異,，SiC MOSFET的開通與關(guān)斷的均流對此非常敏感。因為,，源極電感的差異也會耦合影響到驅(qū)動回路,，以進一步影響均流。如下圖8所示,，以關(guān)斷為例,，由于源極電感Lex不同，造成源極環(huán)流和源極的電位差（VQ11_EE-VQ12_EE）,，推高了Q11源極電壓VQ11_EE,，間接降低了Q11門級與源極之間的電壓Vgs_Q11。

　　2,、并聯(lián)單管的漏極電感Lcx差異,，對均流影響的影響程度要明顯低與源極電感。因為漏極電感不會直接影響由輔助源極和功率源極構(gòu)成的源極環(huán)流回路,。

　　3,、門極電感差異對動態(tài)均流的影響不明顯，而且驅(qū)動電壓Vgs波形幾乎沒有變化,。如果把主回路的總雜散電感減小,，同時把門級電阻變小，讓SiC工作在更快的di/dt和dv/dt環(huán)境,，此時門級電感對均流的影響可能會稍微明顯一點,。

　　4、輔助源極電阻Rgee,，對抑制源極環(huán)流和改善動態(tài)均流的效果也不甚明顯,。

　　在這里提出另一個問題：既然Rgee對抑制源極環(huán)流效果一般,，那如果給門極增加一點Cge電容呢？請看以下仿真：

　　由上述仿真可以看出,，Cge電容對于關(guān)斷幾乎沒有影響,，而Cge之于開通只是以更慢的開通速度，增加了Eon,，同時減輕了開通電流振蕩,，但是對于開通的均流差異和損耗差異，影響也不大,。