文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼: A
DOI:10.16157/j.issn.0258-7998.2015.11.033
中文引用格式: 周朝陽,,馮全源. 一種低功耗同步BUCK芯片的過零檢測(cè)電路設(shè)計(jì)[J].電子技術(shù)應(yīng)用,2015,,41(11):118-120,,131.
英文引用格式: Zhou Chaoyang,F(xiàn)eng Quanyuan. Design of a zero-crossing detection circuit for low-power synchronous BUCK converter[J].Application of Electronic Technique,,2015,,41(11):118-120,131.
0 引言
近年來,同步BUCK型開關(guān)電源因高效率,、低功耗的優(yōu)勢(shì)被廣泛用作各種電子設(shè)備的電源,,其采用同步整流MOSFET代替?zhèn)鹘y(tǒng)的續(xù)流二極管,是目前比較常用的一類開關(guān)電源拓?fù)?。同?a class="innerlink" href="http://forexkbc.com/tags/BUCK變換器" title="BUCK變換器" target="_blank">BUCK變換器在滿負(fù)載情況時(shí)工作于連續(xù)電流模式(CCM),;但在輕負(fù)載情況下,當(dāng)負(fù)載電流降低至低于電感電流時(shí),,會(huì)出現(xiàn)電感電流倒灌現(xiàn)象,,此時(shí)變換器需要工作在非連續(xù)電流模式(DCM)下以降低損耗。通常,,同步變換器實(shí)現(xiàn)DCM模式是比較困難的,,尤其是在高頻應(yīng)用中,這時(shí)往往需要一個(gè)高速,、高精度的電感電流過零檢測(cè)電路[1-3],,在輕載時(shí)能及時(shí)關(guān)斷同步續(xù)流管,降低變換器輕載模式下功耗,。
本文提出了一種低功耗同步BUCK芯片的過零檢測(cè)電路,,采用雙電壓門限技術(shù)及門限溫度補(bǔ)償電路,,有效限制了電感電流的倒灌。詳細(xì)介紹了同步BUCK變換器DCM工作模式及過零檢測(cè)機(jī)制,,通過仿真驗(yàn)證了該過零檢測(cè)電路工作性能良好,。
1 同步BUCK變換器DCM工作模式及過零檢測(cè)機(jī)制
1.1 同步BUCK變換器DCM工作模式
同步BUCK型變換器的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)如圖1所示,其采用同步整流MOSFET代替?zhèn)鹘y(tǒng)異步變換器的續(xù)流二極管,,從而極大提高電源轉(zhuǎn)換效率,。其中,M1為高端開關(guān)管,,M2為同步整流MOSFET,,Driver信號(hào)是帶有死區(qū)時(shí)間控制的脈寬調(diào)制方波,驅(qū)動(dòng)M1及M2的導(dǎo)通和關(guān)斷,。L為儲(chǔ)能電感,,R為負(fù)載電阻,C為輸出端電容,。當(dāng)Driver驅(qū)動(dòng)信號(hào)為高電平時(shí)開關(guān)管M1導(dǎo)通,,輸入電壓對(duì)電感L充電;當(dāng)Driver信號(hào)為低電平時(shí)續(xù)流管M2導(dǎo)通,,電感放電到負(fù)載R,。
假設(shè)圖1中的開關(guān)管M1、續(xù)流管M2的導(dǎo)通阻抗分別為RON1,、RON2,,則在開關(guān)管M1導(dǎo)通時(shí)SW端的電壓VSW1可表示為:
VSW1=VIN-IL·RON1(1)
同步續(xù)流管M2導(dǎo)通時(shí)SW端的電壓:
VSW2=0-IL·RON2(2)
假設(shè)RON1、RON2為定值,,根據(jù)式(1),、式(2)可知,SW端的電壓變化量與電感電流的變化量成線性比例關(guān)系,,因此可以利用SW端電壓作為電感電流的采樣信號(hào)[4,,5]。
輕載情況下,,同步BUCK變換器通常工作于兩種模式:強(qiáng)迫連續(xù)導(dǎo)通模式(FCCM)或非連續(xù)導(dǎo)通模式(DCM),,圖2(a)、圖2(b)所示分別為FCCM和DCM模式下的電感電流波形,??梢钥闯觯現(xiàn)CCM模式中每個(gè)周期電感電流都回到零并有反向電流流通時(shí)間,,而DCM模式下電流回到零后沒有反向電流流過,,保持零電流至周期結(jié)束。
1.2 同步BUCK變換器過零檢測(cè)機(jī)制
圖3所示為本文提出的同步BUCK變換器過零檢測(cè)電路原理圖,。文中的過零檢測(cè)電路包括三部分:過零檢測(cè)使能電路,、邊沿隱匿電路和負(fù)閾值電壓比較器,。過零檢測(cè)電路使能信號(hào)如圖3中ZC_en信號(hào)所示,當(dāng)變換器高端開關(guān)管驅(qū)動(dòng)信號(hào)HS_dr為高電平,,通過使能電路反相作用,,使能信號(hào)ZC_en為低電平,整個(gè)過零檢測(cè)電路關(guān)斷,;當(dāng)HS_dr為低電平,,ZC_en拉高,從而使能過零檢測(cè)電路開始工作,。通過該使能電路,,只有在高端管關(guān)閉,低端續(xù)流管開啟階段,,電感電流可能會(huì)出現(xiàn)倒灌現(xiàn)象時(shí),過零檢測(cè)電路才啟動(dòng)工作,,從而極大降低了系統(tǒng)的功耗[6],。邊沿隱匿電路如圖3中虛線框中所示,能有效屏蔽低端續(xù)流管導(dǎo)通瞬間SW端電位擾動(dòng)對(duì)過零檢測(cè)電路造成的誤觸發(fā),。負(fù)閾值電壓比較器如圖3中ZC比較器所示,,由1.1中分析可知,電感電流降低到零時(shí),,VSW也降為零,,但由于變換器內(nèi)部的邏輯延遲、線延遲和一些寄生參數(shù)的影響,,致使VSW=0時(shí),,控制電路不能及時(shí)關(guān)斷同步續(xù)流管,仍會(huì)導(dǎo)致電感電流的倒灌,。因此實(shí)際應(yīng)用中,,通常選取略低于0 V的SW電壓作為過零比較器的翻轉(zhuǎn)門限。負(fù)電壓閾值比較器檢測(cè)SW端電壓,,一旦SW電位達(dá)到負(fù)電壓閾值,,比較器輸出保護(hù)信號(hào),系統(tǒng)將關(guān)斷低端續(xù)流管,,防止電感電流倒灌[7],。
2 過零檢測(cè)電路的設(shè)計(jì)
過零檢測(cè)電路主要包含兩部分:雙門限電壓采集電路和負(fù)閾值電壓比較器電路,分別如圖4,、圖5所示,。雙門限電壓采集電路實(shí)現(xiàn)對(duì)VSW和PGND的電壓采樣,采樣結(jié)果提供負(fù)閾值電壓比較器進(jìn)行比較,;負(fù)閾值電壓比較器比較IN+與IN-,,比較結(jié)果VOUT通過Driver模塊控制低端整流管的導(dǎo)通或關(guān)斷,。
2.1 雙門限電壓采集電路
圖4所示為雙門限電壓采集電路,當(dāng)Ctr1電平為高,、Ctr2為低時(shí),,MN1導(dǎo)通,MN2截止,,VSW0≈VSW,;當(dāng)Ctr1電平為低、Ctr2為高時(shí),,MN1截止,,MN2導(dǎo)通,VSW0≈R2/(R1+R2)×VSW,,從而實(shí)現(xiàn)對(duì)VSW雙門限采集,。
2.2 負(fù)閾值電壓比較器電路
圖5所示為負(fù)閾值電壓比較器實(shí)際電路,比較器采用兩級(jí)放大電路,,分別為第二級(jí)NPN放大電路和第三級(jí)NMOS放大電路,,其中第二級(jí)為電阻負(fù)載的NPN放大電路,以保證寬帶寬和低延時(shí),;第三級(jí)為CMOS放大電路,,以提高增益,同時(shí)對(duì)波形進(jìn)行整形,;最后一級(jí)為輸出級(jí),,將比較輸出電壓轉(zhuǎn)化成全擺幅信號(hào)。第一級(jí)采用PNP跟隨電路,,將兩個(gè)輸入信號(hào)抬高以達(dá)到第二級(jí)NPN放大電路的共模輸入電平下限值,。
BJT放大電路與CMOS電路相比轉(zhuǎn)換速度更快,也具有更好的帶寬,,因此第二級(jí)采用NPN放大電路,。但BJT在集電極電流相對(duì)穩(wěn)定時(shí)受溫度變化影響較大,故需要正溫度系數(shù)電流,,以穩(wěn)定NPN差分對(duì)的增益[8],。前兩級(jí)電流源I1為帶隙基準(zhǔn)源提供的正溫度系數(shù)電流,后兩級(jí)電流源I2為負(fù)溫度系數(shù)電流,,以降低增益和延時(shí)的溫度特性,。
圖5中電流源I1可以表示為(其中K、N,、R均為常值):
由式(5)可以看出,,NPN放大級(jí)的增益和溫度無關(guān),但第三級(jí)和輸出級(jí)是CMOS電路,受溫度影響較小,。
3 仿真結(jié)果及分析
將上述過零檢測(cè)電路應(yīng)用于一款同步BUCK電源芯片中,,基于0.25 ?滋m BCD工藝設(shè)計(jì),利用HSPICE進(jìn)行仿真,。輸入電壓4.5 V~18 V,,開關(guān)頻率700 kHz,儲(chǔ)能電感1.5 ?滋H,,輸出電容44 ?滋F,,RON1=100 m,RON2=70 m,。
圖6所示為負(fù)閾值電壓比較器直流仿真結(jié)果,。當(dāng)PGND設(shè)置為0時(shí),比較器的負(fù)閾值門限約為-12 mV,,其閾值門限失調(diào)容差約為0.1 mV,。當(dāng)溫度從-40 ℃變化到120 ℃時(shí),其負(fù)閾值門限容差約為0.2 mV,,閾值電壓容差極小,。溫度仿真結(jié)果顯示,當(dāng)圖5中所示I1,、I2分別為正溫度系數(shù)和負(fù)溫度系數(shù)電流源時(shí),,MP4的柵極電壓Vg1溫度系數(shù)接近于零,,MP5的柵極電壓Vg2變化容差約為54 mV,,比較器性能穩(wěn)定。
圖7和圖8所示分別為一款同步BUCK電源芯片加載和去除論文中過零檢測(cè)電路后輕載時(shí)仿真結(jié)果,??梢钥闯觯寒?dāng)系統(tǒng)中加載了過零檢測(cè)電路時(shí),電感電流每個(gè)開關(guān)周期都要回到零,,且保持零直到周期結(jié)束,,開始另一個(gè)充放電周期,沒有反向電流出現(xiàn),,故系統(tǒng)工作于DCM模式,;當(dāng)系統(tǒng)中沒有過零檢測(cè)電路時(shí),電感電流每個(gè)開關(guān)周期都有一段反向電流,,故系統(tǒng)工作于FCCM模式,。論文提出的過零檢測(cè)電路能在系統(tǒng)輕載時(shí)及時(shí)關(guān)斷低端續(xù)流管,極大降低了功耗,,達(dá)到設(shè)計(jì)要求,。
4 結(jié)論
本文設(shè)計(jì)了一種低功耗同步BUCK芯片的過零檢測(cè)電路,該電路采用兩個(gè)不同電壓門限采集技術(shù),,并對(duì)門限進(jìn)行溫度補(bǔ)償,,有效限制了電感電流的倒灌,;同時(shí)設(shè)計(jì)了邊沿隱匿電路,避免電路切換時(shí)引起的誤觸發(fā),。該過零檢測(cè)電路已應(yīng)用于一款同步BUCK電源芯片中,,基于0.25 ?滋m BCD工藝進(jìn)行設(shè)計(jì)及仿真驗(yàn)證,當(dāng)系統(tǒng)溫度在-40~120 ℃變化時(shí),,負(fù)閾值電壓門限容差為0.2 mV,,實(shí)現(xiàn)高精度的過零檢測(cè),且靜態(tài)功耗極低,。
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