三星全新旗艦手機(jī)Galaxy S7/S7 edge已經(jīng)在MWC2016開幕的前一天發(fā)布,，S7/S7 edge身上有許多亮點(diǎn)，例如雙曲面Super AMOLED屏幕,，IP68級別的三防功能,，佳能全像素雙核傳感器技術(shù)等等，這確實(shí)能給用戶不少全新的體驗(yàn)。而硬件配置作為良好體驗(yàn)的基礎(chǔ),，旗艦的 Galaxy S7/S7 edge又怎能落后呢?關(guān)于三星自主設(shè)計(jì)/制造的處理器,，你又知多少呢?今天，筆者和大家一起聊聊三星處理器的發(fā)展歷程,，以及Galaxy S7/S7 edge的“大腦”:Exynos 8890與驍龍820,。

三星制造處理器已經(jīng)15個(gè)年頭

　 　三星作為半導(dǎo)體領(lǐng)域的IDM廠商，其自身具備IC的設(shè)計(jì)能力以及生產(chǎn)能力,。三星移動處理器（以下簡稱為Soc）發(fā)展至今已經(jīng)經(jīng)歷了15個(gè)年頭,，其中不少 經(jīng)典的移動產(chǎn)品像iPhone 1代、iPod nano 2都搭載有三星的Soc,。除了Soc之外,，三星的產(chǎn)業(yè)（移動設(shè)備內(nèi)）還涉及到多方面的設(shè)計(jì)制造，例如手機(jī)上的LPDDR3/4 RAM,、eMMC/UFS標(biāo)準(zhǔn)的ROM芯片,、OLED屏幕、攝像頭模塊等等,，是全球僅有的一家核心部件自給自足的手機(jī)廠商,。當(dāng)然，以上提及到的產(chǎn)品都可以 出售,，三星也有自己的晶圓生產(chǎn)基地,，用于自家芯片的生產(chǎn)以及別家Fabless廠商的芯片代工，例如蘋果A9處理器,，高通驍龍820處理器等等,。

Exynos 4210/4212:三星首款雙核處理器

　　Exynos 4210/4212有一個(gè)為人熟悉的名字:獵戶座，其首次搭載在三星首款雙核手機(jī):Galaxy S2（I9100）上,，雖然這款神機(jī)年事已高，但CM團(tuán)隊(duì)甚至為其推出了Android 6.0的Nightlies版本,。Exynos 4210采用45nm制程節(jié)點(diǎn)制造,，內(nèi)置兩顆1.2GHz的arm Cortex-A9核心，集成Mali T400 GPU,，支持LPDDR2/3內(nèi)存,，支持30fps/1080p的高清拍攝回放，性能不弱于同期的高通MSM8260以及Nvidia的Tegra 2,。

Galaxy S2

　　除了Galaxy S2,，這款處理器也搭載在Galaxy Note以及魅族MX上面。而之后的Exynos 4212更是升級到32nm HKMG制程工藝,，主頻提高到1.5GHz,。

　　Exynos 4412:四核心Cortex-A9架構(gòu)

　 　雖然Exynos 4412同樣采用4210/4212上的Cortex-A9核心，但32nm HKMG的制程工藝卻讓Cortex-A9發(fā)揮得更完美，以至于Exynos 4412內(nèi)置4核A9在性能以及功耗上都取得了更好的平衡,，GPU方面Exynos 4412依然集成Mali T400,，同樣支持當(dāng)時(shí)最高規(guī)格的LPDDR3，整體性能上和高通Snapdragon S4不相上下,，但功耗控制卻比S4更優(yōu)秀,。

Galaxy S3

　　Exynos 4412搭載在Galaxy S3上面，而Galaxy Note2,、魅族MX2同樣采用這款處理器,。

　　Exynos 7420:更爭氣的A57+A53架構(gòu)

　 　Exynos 7420搭載在Galaxy S6系列機(jī)型上，是三星首款14nm FinFET LPE工藝的處理器產(chǎn)品,，其內(nèi)置4*A57+4*A53核心,，A57主頻高達(dá)2.1GHz，集成Mali T760 GPU,，也是三星首款支持LPDDR4內(nèi)存的Soc,，因?yàn)榛?4nm LPE工藝，Exynos 7420性能強(qiáng)勁之余也非?；馃?，但已經(jīng)比隔壁家的要好。

Galaxy S6 edge+

　 　當(dāng)然,，除了上述的3款處理器之外,，三星還有相當(dāng)多值得一提的經(jīng)典處理器，例如業(yè)界首款采用Cortex-A15內(nèi)核的雙核Exynos 5250/四核Exynos 5410,，與驍龍810同為A57+A53核心的Exynos 5433,。考慮到文章篇幅過長,，筆者就不一一解析了,。而Exynos 8890作為三星2016年旗艦Soc，它到底是怎樣的呢?莫慌,，繼續(xù)往下看,。

Galaxy S7處理器共有兩個(gè)版本

　　據(jù)悉，三星Galaxy S7擁有兩個(gè)處理器的版本,，分別搭載了Exynos 8890以及高通820,。而更有消息指國行S7采用的是高通驍龍820版本，而國際版采用的是Exynos 8890,，這可能是因?yàn)?.國行有電信CDMA制式,，而高通820內(nèi)置的基帶以及捆綁的射頻芯片組支持全網(wǎng)通，三星也就免去了像Galaxy S6外掛高通基帶實(shí)現(xiàn)全網(wǎng)通的麻煩事,，2.高通驍龍820采用三星14nm FinFET LPP制程工藝制造,，換句話來說就是不熱了，三星也更愿意使用驍龍820。

Exynos 8890參數(shù)解析:自主架構(gòu)更強(qiáng)大

　　三星旗艦Soc,，Exynos 8890基于三星14nm FinFET LPP工藝（比蘋果A9的制程工藝更先進(jìn)）,，在制程節(jié)點(diǎn)上與上代旗艦Exynos 7420相同，而工藝則從FinFET LPE升級到LPP,，擁有更低的漏電率,，核心頻率也能進(jìn)一步拉高。而架構(gòu)方面,，8890內(nèi)置4*Mongoose+4*A53核心（共8核心設(shè)計(jì)）,，前面4個(gè)自主研發(fā)的Mongoose內(nèi)核主頻可達(dá)2.3GHz（超頻可達(dá)2.5GHz）用于提高性能，后面4個(gè)A53核心主頻為1.56GHz（超頻可達(dá)2.2GHz）用于兼顧功耗,。而GPU（圖形處理器）方面則為Mali T880 12核心設(shè)計(jì)（據(jù)悉存在配備16核心的版本）,。

Exynos 8890

　 　而內(nèi)存方面依舊為雙通道的LPDDR4，值得一提的是和Exynos 8890捆綁使用的最新Shannon基帶（拆解顯示為Shannon 935）,，下行支持Cat 12,，理論速度達(dá)到600Mbps，而上行也支持到Cat 13,，理論速度達(dá)到150Mbps,。達(dá)到了高通X12 LTE基帶的性能。

Exynos 8890性能測試:比上代7420/驍龍810強(qiáng)得多

　　結(jié)果來自Geekbench數(shù)據(jù)庫與GFXbench（全為Offscreen）數(shù)據(jù)庫,。

       由于搭載Exynos 8890的機(jī)型還沒開賣,，所以僅能通過理論跑分成績來說明其性能表現(xiàn)。單從數(shù)據(jù)上看來,，Exynos 8890的單核性能已經(jīng)比高通上代旗艦驍龍810以及三星上代旗艦Exynos 7420強(qiáng)不少,，Exynos 8890的單核性能基本上是驍龍810、Exynos 7420的兩倍,，而GPU方面,，Exynos 8890同樣領(lǐng)先于另外兩者，無論CPU性能還是GPU性能都有較大幅度的提升,。

　　而隨著Exynos 8890的機(jī)型逐漸出貨,，其驅(qū)動以及軟件/游戲的優(yōu)化也會陸續(xù)跟上，相信具體性能會繼續(xù)往上攀升,。

14nm LPP工藝的Exynos 8890發(fā)熱更少

　 　可能很多朋友會對這款處理器產(chǎn)生疑問,，這么強(qiáng)大的處理器,，發(fā)熱怎么樣,。鑒于筆者手上也沒有搭載這款處理器的相應(yīng)機(jī)型，所以具體發(fā)熱狀況暫且不妄下定論,。 但Exynos 8890采用14nm FinFET LPP工藝制造,，相信發(fā)熱“理論”上會得到控制，究竟FinFET是什么?它又有什么作用呢?筆者來簡單闡述一下。

FinFET顯微圖

　 　其實(shí)早在10多年前,，就有人提出FinFET這個(gè)結(jié)構(gòu),，F(xiàn)inFET主要重新設(shè)計(jì)了晶體管里面的S/D兩級以及最為關(guān)鍵的Gate結(jié)構(gòu)（什么是S/D /Gate今天不說，不然文章起碼要多2000字）,，讓Gate對通/斷的控制力更強(qiáng),，也就是在更先進(jìn)的制程節(jié)點(diǎn)上，減少S/D兩級之間的漏電流,，而漏電 流會直接影響處理器的功耗,。而驍龍810的20nm HKMG工藝，就是Gate控制力低下（對于20nm節(jié)點(diǎn)）,，導(dǎo)致漏電問題嚴(yán)重,，所以發(fā)熱以及功耗得不到良好的控制。

FinFET工藝示意圖

　 　而臺積電/三星在16nm/14nm節(jié)點(diǎn)上都使用了FinFET技術(shù),，增強(qiáng)了Gate對S/D的控制力,，減少漏電流。此外,，隨著三星14nm FinFET LPE過渡到LPP工藝的成熟,，良品率會逐漸上升，成本慢慢下降,，也利于三星在晶圓的制造過程中使用更好的工藝去控制功耗,。

　　Exynos 8890的發(fā)熱情況本站將會進(jìn)行相應(yīng)的測試。

總結(jié):三星自主處理器的又一里程碑

　　搭載Exynos 8890的Galaxy S7已經(jīng)發(fā)布,。另外,，在15年12月的驍龍820亞洲首秀上，高通表示已經(jīng)有超過70款終端采用這顆處理器,，相信到現(xiàn)在已經(jīng)突破了這一數(shù)字,。

　　Exynos 8890身上有著相當(dāng)多創(chuàng)新之處，例如自主設(shè)計(jì)的Mongoose核心以及自主架構(gòu)+arm 公版架構(gòu)的雙簇式設(shè)計(jì),，能很好地兼顧高性能與低功耗,。整體來說，Exynos 8890的性能表現(xiàn)在2016年奪下安卓手機(jī)平臺處理器性能寶座并不是問題,。

　　然而,，Exynos 8890多核性能秒蘋果A9不是問題，而工藝上面也采用比A9 LPE更強(qiáng)的LPP,。