富士通推出數(shù)據(jù)傳輸速度高達(dá)每秒54 MB的4 Mbit QSPI FRAM
2016-03-01
上海,2016年3月1日–富士通電子元器件(上海)有限公司今天宣布,成功開(kāi)發(fā)具有4 Mbit記憶容量的,、帶有高速Q(mào)SPI接口的全新FRAM(鐵電隨機(jī)存取內(nèi)存)產(chǎn)品MB85RQ4ML,此產(chǎn)品在同類競(jìng)品中擁有最高密度和最快傳輸速度,,并開(kāi)始以樣品量供貨。由于其兼顧高速傳輸和FRAM的特性,,因此特別適用于網(wǎng)絡(luò)建置,、RAID控制器及工業(yè)運(yùn)算等領(lǐng)域。
為滿足市場(chǎng)對(duì)FRAM接口速度提升的迫切需求,,富士通目前已成功開(kāi)發(fā)MB85RQ4ML 4Mbit FRAM,,在FRAM產(chǎn)品線中擁有最高數(shù)據(jù)傳輸速度(圖一)。
圖一:采用16針腳SOP的MB85RQ4ML
此產(chǎn)品采用單一1.8V電源供應(yīng)器QSPI接口,,能以108 MHz運(yùn)作頻率達(dá)到每秒54 MB的數(shù)據(jù)傳輸速度,。富士通以往的產(chǎn)品中,采用44針TSOP封裝且擁有16-bit并行接口的4Mbit FRAM傳輸速度最快,,為每秒13 MB,。而此全新產(chǎn)品的數(shù)據(jù)讀寫速度領(lǐng)先前者將近四倍之高,且所用引腳數(shù)更少(圖三),。
圖二:數(shù)據(jù)傳輸率比較
其定位介于數(shù)據(jù)儲(chǔ)存用的高容量非揮發(fā)性內(nèi)存與高速作業(yè)內(nèi)存之間,,并以高速存取及數(shù)據(jù)備份支持?jǐn)?shù)據(jù)寫入,例如必須持續(xù)寫入設(shè)定數(shù)據(jù)的網(wǎng)絡(luò)設(shè)備,,像路由器等(圖三),。
圖三:內(nèi)存于網(wǎng)絡(luò)裝置的使用案例
仰賴海量數(shù)據(jù)處理能力的物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng),隨著數(shù)據(jù)處理量不斷增加,,內(nèi)存亦必須頻繁地執(zhí)行數(shù)據(jù)改寫,;此外,從安全觀點(diǎn)來(lái)看,,保留存取記錄也將更受到重視,。有鑒于此,,此產(chǎn)品能透過(guò)保留網(wǎng)絡(luò)領(lǐng)域中存取信息而促進(jìn)設(shè)備效能的改善。因此,,富士通充分運(yùn)用FRAM的非揮發(fā)性,、高速讀寫周期、高讀寫耐用度及低功耗特性,,為穿戴式市場(chǎng)及物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)帶來(lái)使用FRAM的解決方案,,為客戶帶來(lái)更具價(jià)值且更加便利的應(yīng)用。
產(chǎn)品規(guī)格
組件料號(hào):MB85RQ4ML
內(nèi)存密度(組態(tài)):4Mbit(512K字符x 8位)
界面:SPI/Quad SPI
運(yùn)作電壓:1.7 – 1.95伏特
保證讀/寫周期:10兆次
數(shù)據(jù)保留:10年(85度時(shí))
封裝:16針腳SOP